显示基板及其制备方法、显示面板.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112599703A(43)申请公布日2021.04.02(21)申请号202011470456.6(22)申请日2020.12.14(71)申请人深圳市华星光电半导体显示技术有限公司地址518132广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号(72)发明人张乐陶(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570代理人裴磊磊(51)Int.Cl.H01L51/52(2006.01)H01L51/56(2006.01)H01L27/32(2006.01)权利要求书1页说明书9页附图4页(54)发明名称显示基板及其制备方法、显示面板(57)摘要本申请公开了一种显示基板及其制备方法、显示面板，所述显示基板的制备方法包括：(1)制备一层较薄的第一结晶化金属氧化物层；(2)在一下层结晶化金属氧化物层上制备非晶化金属氧化物层，对所述非晶化金属氧化物层进行结晶化处理，使所述非晶化金属氧化物层的对应于所述下层结晶化金属氧化物层的部分成为结晶化金属氧化物，去除所述非晶化金属氧化物层中的非晶化金属氧化物并保留结晶化金属氧化物，获得具有所述阳极图案的上层结晶化金属氧化物层的步骤；本申请所述显示基板的制备方法能克服金属氧化物层厚度变厚会形成多晶态而无法进行图形化的问题，能得到厚度较厚或具有预设厚度的第二电极层。CN112599703ACN112599703A权利要求书1/1页1.一种显示基板，包括一衬底和设置于所述衬底上的至少一阳极，所述阳极在远离所述衬底的方向上包括依次层叠的第一电极层、金属层和第二电极层，其特征在于，所述第二电极层包括层叠设置的多层结晶化金属氧化物层；并且，所述第二电极层具有一预设厚度，所述预设厚度的范围为80nm‑100nm。2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二电极层包括依次层叠于所述金属层上的第一结晶化金属氧化物层和第二结晶化金属氧化物层，其中所述第一结晶化金属氧化物层的厚度小于或等于所述第二金属氧化物层的厚度。3.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一结晶化金属氧化物层的厚度为10nm‑40nm。4.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第二结晶化金属氧化物层的厚度为40nm‑100nm。5.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极层的厚度为10nm‑100nm。6.一种显示基板的制备方法，包括在一衬底上制备阳极的步骤，其中所述阳极包括依次层叠于所述衬底上的第一电极层、金属层和第二电极层，其特征在于，所述第二电极层的制备方法包括以下步骤：制备具有所述阳极图案的第一结晶化金属氧化物层的步骤，所述第一结晶化金属氧化物层位于所述阳极的金属层上；以及，以以下方法在所述第一结晶化金属氧化物层上制备至少一层结晶化金属氧化物层的步骤:在下层结晶化金属氧化物层上制备非晶化金属氧化物层的步骤；使所述非晶化金属氧化物层的对应于所述下层结晶化金属氧化物层的部分结晶化的步骤；以及，去除所述非晶化金属氧化物层的非晶化部分并保留所述非晶化金属氧化物层的结晶化部分，获得具有所述阳极图案的上层结晶化金属氧化物层的步骤。7.如权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述第一结晶化金属氧化物层的制备方法包括以下步骤：在所述衬底上制备第一非晶化金属氧化物层并图案化的步骤；以及，对图案化的所述第一非晶化金属氧化物层进行结晶处理，以获得所述第一结晶化金属氧化物层的步骤。8.如权利要求7所述的显示基板的制备方法，其特征在于，对所述第一非晶化金属氧化物层进行退火处理以获得所述第一结晶化金属氧化物层，所述退火温度为100℃‑300℃。9.如权利要求6所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述第一结晶化金属氧化物层的厚度为10nm‑40nm。10.如权利要求6所述的显示基板的制备方法，其特征在于，对所述非晶化的金属氧化物层进行退火处理使所述非晶化金属氧化物层的对应于所述下层结晶化金属氧化物层的部分成为结晶化金属氧化物，所述退火温度为100℃‑160℃。11.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求1‑5中任一项所述的显示基板。2CN112599703A说明书1/9页显示基板及其制备方法、显示面板技术领域[0001]本申请涉及显示技术领域，尤其涉及显示基板及其制备方法、显示面板。背景技术[0002]AMOLED技术是面板行业的发展趋势，相比LCD而言，OLED具有结构简化，色域更广，响应时间更快等优点。AMOLED技术目前已量产的是底发光的WOLED，但该技术采用蒸镀方法制备OLED器件，对有机发光材料浪费极大；且WOLED需要CF来滤色才能得到RGB，因而能耗相比传统LCD并不占优；此外，开口率低是底发光结构的先天缺陷，不利于高