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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112635300A(43)申请公布日2021.04.09(21)申请号202011508325.2(22)申请日2020.12.18(71)申请人华虹半导体(无锡)有限公司地址214028江苏省无锡市新吴区新洲路30号(72)发明人蒋志伟吴长明冯大贵王玉新祝建张宇(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211代理人焦健(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称晶圆背面减薄工艺方法(57)摘要本发明公开了一种晶圆背面减薄工艺方法,适用于功率器件的背面减薄工艺,在晶圆上的钝化层刻蚀过程中加入重聚合物,同步进行倒角步骤;钝化层在刻蚀过程中会产生毛刺,利用重聚合物的特性在刻蚀过程中对毛刺进行轰击,改善毛刺尖锐程度和密集程度;在后续的背面减薄工艺完成之后,由于重聚合物的轰击导致钝化层刻蚀产生的毛刺被削弱,降低了临时粘接剂与晶圆的接触面积,使临时粘接剂与晶圆之间的粘附力降低,掲膜时残胶更容易去除,不容易留有残胶。CN112635300ACN112635300A权利要求书1/1页1.一种晶圆背面减薄工艺方法,适用于功率器件的背面减薄工艺,其特征在于:在晶圆上的钝化层刻蚀过程中加入重聚合物,同步进行倒角步骤。2.如权利要求1所述的晶圆背面减薄工艺方法,其特征在于:所述的重聚合物包含C4F8。3.如权利要求1所述的晶圆背面减薄工艺方法,其特征在于:钝化层在刻蚀过程中会产生毛刺,利用重聚合物的特性在刻蚀过程中对毛刺进行轰击,改善毛刺尖锐程度和密集程度。4.如权利要求3所述的晶圆背面减薄工艺方法,其特征在于:所述毛刺是钝化层刻蚀时打开PAD区接触到金属,金属原子或者金属聚合物与氧化层结合,产生毛刺。5.如权利要求4所述的晶圆背面减薄工艺方法,其特征在于:所述的金属为铝。6.如权利要求3所述的晶圆背面减薄工艺方法,其特征在于:所述毛刺产生与晶圆上的划片道中。7.如权利要求1所述的晶圆背面减薄工艺方法,其特征在于:在钝化层刻蚀及倒角步骤之后,还包括在晶圆正面使用临时粘接剂将晶圆固定在支撑性基板上,进行背面减薄工艺。8.如权利要求7所述的晶圆背面减薄工艺方法,其特征在于:背面减薄工艺完成之后,由于重聚合物的轰击导致钝化层刻蚀产生的毛刺被削弱,降低了临时粘接剂与晶圆的接触面积,使临时粘接剂与晶圆之间的粘附力降低,掲膜时残胶更容易去除。2CN112635300A说明书1/3页晶圆背面减薄工艺方法[0001]技术领域[0002]本发明涉及半导体器件制造工艺领域,特别是指一种在晶圆背面减薄的工艺方法。背景技术[0003]随着集成电路制造工艺的特征尺寸CD的不断缩小,单位面积上晶体管电路的数量倍增,功能也随之越显强大。然而在集成密度大幅提高的同时,热源开始在芯片上形成了集中的现象,如何降低器件热阻,做好器件的散热和冷却,成为了一个关键的问题。[0004]芯片的超薄化方法之一就是研磨减薄,晶圆上的器件以及连接电路的有效区域的厚度一般为5至10μm,为了保证其功能,都需要一定的支撑厚度,这个支撑厚度有一个20至30μm的晶圆厚度极限。但这个厚度实际上只占用了整个晶圆厚度的一小部分,其余厚度的衬底只是为了保证硅片在制造、测试和运送过程中有足够的强度。[0005]在晶圆上的集成电路制作完成后,需要对硅片进行背面减薄(backsidegrindingorbacksidethinning),使其达到所需的厚度。[0006]对于一些特殊功能的芯片,如功率器件,还要在背面减薄后,继续在背面蒸镀金属(backsidemetaldeposition),紧接着从背面引出电极,再对晶圆进行划片(diesaw),形成一个个减薄的裸芯片(die),最后进行封装。[0007]为了防止晶圆电路在背面研磨过程中断裂,需要使用临时粘接剂将晶圆正面固定在有支撑性的基板上,在减薄工艺完成后将晶圆从支撑基板上剥离。[0008]某些功率MOSFET产品在钝化刻蚀时需要将接触PAD和划片道(ScribeLine)同时打开,由于功率MOSFET产品钝化刻蚀去除率较大,在PAD打开接触到金属AL时,AL原子或含AL聚合物易与划片道中的氧化物结合,变得难以去除,在划片道出现毛刺,类似“长草”现象,如图1所示。导致在后续的减薄工艺完成后的撕膜时,出现残胶问题。发明内容[0009]本发明所要解决的技术问题在于提供一种晶圆背面减薄工艺方法,解决减薄工艺中残胶难以去除的问题。[0010]本发明所述的一种晶圆背面减薄工艺方法,适用于功率器件的背封减薄工艺,在晶圆上的钝化层刻蚀过程中加入重聚合物,同步进行倒角步骤。[0011]进一步的改进是,所述的重聚合物包含C4F8。[0