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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112677031A(43)申请公布日2021.04.20(21)申请号202011543432.9(22)申请日2020.12.23(71)申请人华虹半导体(无锡)有限公司地址214028江苏省无锡市新吴区新洲路30号(72)发明人许力恒夏汇哲李松宋振伟张守龙(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211代理人罗雅文(51)Int.Cl.B24B37/00(2012.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称对铜金属层进行CMP处理的方法(57)摘要本申请公开了一种对铜金属层进行CMP处理的方法,涉及半导体制造领域。该对铜金属层进行CMP处理的方法包括将表面沉积有铜的衬底传送至CMP机台,将所述衬底固定在CMP机台的新研磨头上;对所述衬底表面进行预研磨,令所述衬底边缘区域的铜厚度大于所述衬底中心区域的铜厚度;对所述衬底进行主研磨,对衬底表面的铜金属层进行平坦化处理;解决了目前CMP机台上新的研磨头会导致衬底边缘区域出现铜残留缺陷的问题;达到了减少CMP处理后衬底边缘出现的铜残留缺陷的效果。CN112677031ACN112677031A权利要求书1/1页1.一种对铜金属层进行CMP处理的方法,其特征在于,所述方法包括:将表面沉积有铜的衬底传送至CMP机台,将所述衬底固定在CMP机台的新研磨头上;对所述衬底表面进行预研磨,令所述衬底边缘区域的铜厚度大于所述衬底中心区域的铜厚度;对所述衬底进行主研磨,对衬底表面的铜金属层进行平坦化处理。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在预研磨过程中,对所述衬底边缘区域施加的压力小于对所述衬底中心区域施加的压力。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,在预研磨过程中,对衬底边缘区域施加的压力为0.9psi至1.1psi,对衬底中心区域施加的压力为1.35psi至1.65psi。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,主研磨过程中对衬底施加的压力大于预研磨过程中对衬底施加的压力。5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在主研磨过程中,通过涡流传感器检测衬底表面铜金属层的涡流电流,根据涡流电流实时监测铜金属层的厚度;根据所述铜金属层的厚度和目标厚度,自动调整对衬底施加的压力。6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,对所述衬底表面进行预研磨,令所述衬底边缘的铜厚度大于所述衬底中心区域的铜厚度,包括:对所述衬底表面进行预研磨,在预研磨过程中通过涡流传感器检测衬底表面铜金属层的涡流电流,根据涡流电流实时监测铜金属层的厚度;当监测到所述衬底边缘区域的厚度为预定厚度时,停止预研磨;所述衬底边缘的铜厚度大于所述衬底中心区域的铜厚度。2CN112677031A说明书1/4页对铜金属层进行CMP处理的方法技术领域[0001]本申请涉及半导体制造领域,具体涉及一种对铜金属层进行CMP处理的方法。背景技术[0002]CMP(chemicalmechanicalpolishing,化学机械抛光)是目前集成电路制造过程中对晶圆表面进行全局平坦化的工艺。在对晶圆进行CMP处理时,将晶圆固定在研磨头上,将晶圆上待抛光的一面对准研磨垫放置,研磨液不断流入晶圆和研磨垫之间,在抛光时,研磨头向晶圆施加一定压力并带动晶圆旋转,在研磨液和磨粒的作用下实现晶圆表面的平坦化。[0003]CMP制程被广泛应用在集成电路制造的各个阶段,比如,前段制程中的STI‑CMP,后段制程中的ILD‑CMP、W‑CMP、Cu‑CMP等。在Cu‑CMP阶段,在更换新的研磨头后,新的研磨头容易导致晶圆边缘出现Cu残留。目前,针对这种情况,一般会先用新的研磨头抛光大量裸片来对新的研磨头进行做旧,并且需要对效果进行人工卡控。发明内容[0004]为了解决相关技术中的问题,本申请提供了一种对铜金属层进行CMP处理的方法。该技术方案如下:[0005]一方面,本申请实施例提供了一种对铜金属层进行利用CMP处理的方法,该方法包括:[0006]将表面沉积有铜的衬底传送至CMP机台,将衬底固定在CMP机台的新研磨头上;[0007]对衬底表面进行预研磨,令衬底边缘区域的铜厚度大于衬底中心区域的铜厚度;[0008]对衬底进行主研磨,对衬底表面的铜金属层进行平坦化处理。[0009]可选的,在预研磨过程中,对衬底边缘区域施加的压力小于对衬底中心区域施加的压力。[0010]可选的,在预研磨过程中,对衬底边缘区域施加的压力为0.9psi至1.1psi,对衬底中心区域施加的压力为1.35psi至1.65psi。[0011]可选的,主研磨过程中对衬底施加的压力大于预研磨过程中对衬底施加的压力。[0012]可选的,在主研磨过程中,通过涡流传感器检测衬底表面铜金属层的涡流电流,根据