对铜金属层进行CMP处理的方法.pdf
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对铜金属层进行CMP处理的方法.pdf
本申请公开了一种对铜金属层进行CMP处理的方法,涉及半导体制造领域。该对铜金属层进行CMP处理的方法包括将表面沉积有铜的衬底传送至CMP机台,将所述衬底固定在CMP机台的新研磨头上;对所述衬底表面进行预研磨,令所述衬底边缘区域的铜厚度大于所述衬底中心区域的铜厚度;对所述衬底进行主研磨,对衬底表面的铜金属层进行平坦化处理;解决了目前CMP机台上新的研磨头会导致衬底边缘区域出现铜残留缺陷的问题;达到了减少CMP处理后衬底边缘出现的铜残留缺陷的效果。
用于多层铜互连阻挡层CMP速率选择性的控制方法.pdf
本发明公开了一种用于多层铜互连阻挡层CMP速率选择性的控制方法,旨在提供一种能控制不同材料的去除速率,从而实现对蝶形坑和蚀坑控制的方法。将抛光液加入抛光机中,在工作压力为1‑2PSI、抛盘转速为80‑100转/分、抛头转速为78‑98转/分、抛光液流量为200‑300ml/min的条件下抛光;所述抛光液由下述组分组成:硅溶胶5‑20%,功能型组分0.001‑10%,表面活性剂0.001‑10%,去离子水余量;功能型组分由A剂、B剂及C剂组成,A剂为FA/O螯合剂、四羟基乙基乙二胺、乙二胺及三乙醇胺中的任一
免CMP的电镀面铜去除及阻挡层复用的工艺方法.pdf
本发明提供一种免CMP的电镀面铜去除及阻挡层复用的工艺方法,包括以下主要步骤:在晶圆中形成盲孔,并在晶圆上表面和盲孔的内壁上制作绝缘层;在绝缘层上制作阻挡层和种子层;在盲孔中填充第二金属材料;利用电化学抛光技术去除填充盲孔过程中在晶圆表面的第二金属材料和所述种子层;对晶圆进行退火工艺;利用电化学抛光技术对盲孔中填充的第二金属材料的顶部和阻挡层之间的台阶进行修正,使得该台阶趋于消失;在晶圆上表面制作第一层再布线结构,再布线工艺时利用晶圆上表面的阻挡层;利用湿法腐蚀工艺去除晶圆上表面第一层再布线结构的区域以外
ULSI铜互连层CMP抛光液研究的中期报告.docx
ULSI铜互连层CMP抛光液研究的中期报告中期报告:ULSI铜互连层CMP抛光液研究研究背景:在现代半导体制造中,铜是一种广泛使用的金属,尤其在内存和处理器等高性能芯片中更为常见。铜的优点是它比铝更具导电性,并在微电路中具有更好的电氧化性能。但是,铜的缺点是相对较软,易于受到机械损伤并在长期使用中导致失败。因此,在制造过程中需要对铜进行抛光(CMP)以获得均匀表面和尽可能的平面度。CMP抛光液是实现这一目标的关键因素之一。研究目的:本研究致力于开发一种CMP抛光液,以在ULSI铜互连层制造过程中获得更好的
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ULSI铜互连层CMP抛光液研究的任务书任务名称:ULSI铜互连层CMP抛光液研究任务目的:研究ULSI铜互连层CMP抛光液,优化抛光工艺参数,提高抛光效率和互连层的质量。任务内容:1.收集并分析ULSI铜互连层CMP抛光液的相关文献,了解其制备工艺、成分和性能。2.确定几种常用的制备方法,制备出几组不同成分的CMP抛光液。3.对制备的CMP抛光液进行测试,测定其表面张力、粘度、pH值、抛光速率等性能指标。4.在已有的抛光工艺基础上,进行CMP抛光实验,探究不同CMP抛光液在不同工艺参数下的抛光效果。5.