水溶性锡膏清洗剂及其制备方法和应用.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112980602A(43)申请公布日2021.06.18(21)申请号202110177628.9C11D3/28(2006.01)(22)申请日2021.02.09C11D3/34(2006.01)C11D3/22(2006.01)(71)申请人深圳市合明科技有限公司C11D3/60(2006.01)地址518000广东省深圳市南山区粤海街C23F11/14(2006.01)道科技园社区琼宇路2号特发信息科C23F11/16(2006.01)技大厦5楼501单元C23F11/173(2006.01)(72)发明人郭艳萍杨鹏(74)专利代理机构深圳中一联合知识产权代理有限公司44414代理人曹柳(51)Int.Cl.C11D1/72(2006.01)C11D3/20(2006.01)C11D3/30(2006.01)C11D3/37(2006.01)权利要求书2页说明书10页(54)发明名称水溶性锡膏清洗剂及其制备方法和应用(57)摘要本申请属于清洗技术领域，尤其涉及一种水溶性锡膏清洗剂及其制备方法和应用。以所述水溶性锡膏清洗剂的总质量为100％，包括如下原料组分：非离子表面活性剂0.5～1％，第一金属缓蚀剂0.05～0.15％，第二金属缓蚀剂0.01～0.05％，增效剂0.5～2％，有机胺碱0.5～1％，有机溶剂0.8～3％，水93～97％。本申请水溶性锡膏清洗剂，通过各原料组分的协同配合作用，使水溶性锡膏清洗剂对电子元器件表面残留的水溶性锡膏具有优异的清洗能力，特别是对小尺寸、高集成度、微缝隙、高表面张力情况下的水溶性锡膏残留，有着很好的清洗能力；且VOCs含量低，安全绿色环保。CN112980602ACN112980602A权利要求书1/2页1.一种水溶性锡膏清洗剂，其特征在于，以所述水溶性锡膏清洗剂的总质量为100％，包括如下原料组分：2.如权利要求1所述的水溶性锡膏清洗剂，其特征在于，所述第一金属缓蚀剂包括：甲基苯骈三氮唑、巯基苯骈噻唑中的至少一种和甲基苯骈三氮唑盐、巯基苯骈噻唑盐中至少一种。3.如权利要求2所述的水溶性锡膏清洗剂，其特征在于，所述甲基苯骈三氮唑和所述巯基苯骈噻唑的总质量与所述苯骈三氮唑盐和所述巯基苯骈噻唑盐的总质量之比为(2～4)：1；和/或，所述苯骈三氮唑盐选自苯骈三氮唑钠；和/或，所述巯基苯骈噻唑盐选自巯基苯骈噻唑钠。4.如权利要求1所述的水溶性锡膏清洗剂，其特征在于，所述增效剂选自：聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酸钠中的至少一种。5.如权利要求1～4任一所述的水溶性锡膏清洗剂，其特征在于，所述第二金属缓蚀剂选自藻酸钠。6.如权利要求5所述的水溶性锡膏清洗剂，其特征在于，所述非离子表面活性剂选自：炔二醇聚氧乙烯醚、异构醇聚氧乙烯醚、聚氧乙烯烷醇酰胺中的至少一种；和/或，所述有机胺碱选自：异丙醇胺、三乙醇胺、二乙醇胺中的至少一种。7.如权利要求1所述的水溶性锡膏清洗剂，其特征在于，所述有机溶剂选自：二丙二醇丙醚、二丙二醇乙醚、二丙二醇丁醚、二乙二醇己醚中的至少一种；和/或，所述水选自去离子水。8.一种水溶性锡膏清洗剂的制备方法，其特征在于，包括步骤：获取如权利要求1～7任一所述水溶性锡膏清洗剂的原料组分，将各原料组分进行混合处理，得到水溶性锡膏清洗剂。9.如权利要求8所述的水溶性锡膏清洗剂的制备方法，其特征在于，所述混合处理的步骤包括：将有机胺碱、增效剂、第一金属缓蚀剂中水溶性组分、第二金属缓蚀剂与水进行第一混合处理，得到第一混合液；将非离子表面活性剂、第一金属缓蚀剂中油溶性组分与有机溶剂进行混合处理，得到2CN112980602A权利要求书2/2页第二混合液；将所述第一混合液与所述第二混合液进行混合处理，得到水溶性锡膏清洗剂。10.将如权利要求1～7任一所述的水溶性锡膏清洗剂或者如权利要求8～9任一方法制备的水溶性锡膏清洗剂用于清洗电子元器件表面的水溶性锡膏残留。3CN112980602A说明书1/10页水溶性锡膏清洗剂及其制备方法和应用技术领域[0001]本申请属于清洗技术领域，尤其涉及一种水溶性锡膏清洗剂及其制备方法和应用。背景技术[0002]锡膏主要用于印刷电路板与集成电路焊接工艺，在电子行业中被广泛使用。随着电子行业的发展，对锡膏的性能和质量要求也越来越高。锡膏焊后PCB板面等电子元器件会产生残留，目前采用的清洗剂很难完全清洗干净，这些残留会导致电气性能不理想，影响到产品品质的可靠性。水溶性锡膏由于具有很强的活化性，因此通常显示出良好的润湿性，但与免洗焊膏相比，它们的使用寿命更短，并且对温度和湿度的工作条件要求较为敏感。随着科技技术的快速发展，特别是5G半导体芯片应用，要求工作频率越来越高，尺寸越来越小，集