一种导电膜气离式刻蚀工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113488385A(43)申请公布日2021.10.08(21)申请号202110556165.7(22)申请日2021.05.21(71)申请人高中彦地址030600山西省晋中市榆次区锦纶东街418号(72)发明人高中彦(51)Int.Cl.H01L21/3213(2006.01)C09K13/06(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图4页(54)发明名称一种导电膜气离式刻蚀工艺(57)摘要本发明公开了一种导电膜气离式刻蚀工艺，属于刻蚀技术领域，本发明可以通过在蚀刻油墨中掺入多个气离微球，并在导电膜下方间歇性施加磁场，迫使气离微球间歇性的对蚀刻油墨进行挤压，使得蚀刻油墨与导电膜充分接触进行蚀刻，然后对蚀刻油墨进行加热烘干，同时触发气离微球释放气体的动作，使得气体填充至缝隙中有助于蚀刻油墨的剥离，降低蚀刻油墨成膜后的剥离强度，伴随着气体的释放，磁性物质也会充斥于蚀刻油墨的缝隙中，再将磁场转移至导电膜上方，依靠对磁性物质的磁吸作用下，从而对膜产生均匀的多点剥离力，加速膜的剥离，不仅剥离简单，不易出现残留现象，同时可以避免对导电线路造成损伤。CN113488385ACN113488385A权利要求书1/1页1.一种导电膜气离式刻蚀工艺，其特征在于：包括以下步骤：S1、提前根据导电膜材质配制好蚀刻油墨，并依次经过分散、研磨、过滤后备用；S2、将蚀刻油墨涂布至导电膜上，然后取多个气离微球埋入蚀刻油墨中；S3、在导电膜背面间歇性施加磁场，迫使气离微球间歇性的对蚀刻油墨进行挤压，使得蚀刻油墨与导电膜充分接触进行蚀刻；S4、蚀刻结束后撤销磁场，然后进行加热烘干，同时触发气离微球释放气体的动作，使得气体填充至缝隙中有助于蚀刻油墨的剥离；S5、待蚀刻油墨成膜后，将磁场转移至导电膜上方，从而加速膜的剥离，导电膜上的导电线路即制作完成。2.根据权利要求1所述的一种导电膜气离式刻蚀工艺，其特征在于：所述步骤S1中导电膜的材质为氧化铟锡透明导电膜。3.根据权利要求1所述的一种导电膜气离式刻蚀工艺，其特征在于：所述步骤S1中蚀刻油墨按以下成分及重量百分比进行配制：20％的有机与无机混合酸液、10％的聚醋酸乙烯酯、20％的聚乙烯醇树脂、13％的无机填料、30％的水以及7％的其他助剂或颜料。4.根据权利要求1所述的一种导电膜气离式刻蚀工艺，其特征在于：所述步骤S2中蚀刻油墨采用丝网印刷的方式进行涂布，涂布厚度为150‑500μm。5.根据权利要求1所述的一种导电膜气离式刻蚀工艺，其特征在于：所述气离微球包括空心压墨球(1)、多根配重须(2)以及多个隔离磁包(3)，所述配重须(2)均匀连接于空心压墨球(1)下端面上，所述隔离磁包(3)均匀镶嵌于空心压墨球(1)下端面内。6.根据权利要求5所述的一种导电膜气离式刻蚀工艺，其特征在于：所述配重须(2)采用弹性材料制成，且多个配重须(2)远离空心压墨球(1)的一端面保持齐平。7.根据权利要求5所述的一种导电膜气离式刻蚀工艺，其特征在于：所述空心压墨球(1)采用轻质导热材料制成空心结构，所述空心压墨球(1)内填充有粉末状的碳酸氢钠。8.根据权利要求5所述的一种导电膜气离式刻蚀工艺，其特征在于：所述隔离磁包(3)包括内陷膜(31)、热熔块(32)以及多个磁性颗粒(33)，所述内陷膜(31)镶嵌于空心压墨球(1)内端，所述热熔块(32)连接于内陷膜(31)外端，所述磁性颗粒(33)镶嵌于热熔块(32)内。9.根据权利要求8所述的一种导电膜气离式刻蚀工艺，其特征在于：所述内陷膜(31)采用防水透气材料制成，所述热熔块(32)采用热熔性材料制成，且热熔块(32)的熔点低于步骤S4中的加热温度。10.根据权利要求5所述的一种导电膜气离式刻蚀工艺，其特征在于：所述空心压墨球(1)上侧设有盖墨鳞片(4)，所述盖墨鳞片(4)与空心压墨球(1)之间连接有多根均匀分布的弹性拉丝(5)。2CN113488385A说明书1/5页一种导电膜气离式刻蚀工艺技术领域[0001]本发明涉及刻蚀技术领域，更具体地说，涉及一种导电膜气离式刻蚀工艺。背景技术[0002]刻蚀，英文为Etch，它是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻相联系的图形化(pattern)处理的一种主要工艺。所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，其基本目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形。随着微制造工艺的发展，广义上来讲，刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一