光刻机及光刻机的控制方法和控制系统、生产设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113534616A(43)申请公布日2021.10.22(21)申请号202110785922.8(22)申请日2021.07.12(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230011安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人林启群(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司11205代理人孟秀娟黄健(51)Int.Cl.G03F7/20(2006.01)G03F7/38(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图2页(54)发明名称光刻机及光刻机的控制方法和控制系统、生产设备(57)摘要本申请实施例提供一种光刻机及光刻机的控制方法和控制系统、生产设备，涉及半导体技术领域，光刻机的控制系统包括检测单元、加热单元以及控制单元。本申请实施例通过在光刻机内设置检测单元、加热单元以及控制单元，当控制单元判断出晶圆在光刻机内完成曝光工艺后的停留时间大于预设时长时，会控制加热单元对晶圆进行加热，及时地处理晶圆上光刻胶表面残留水滴，防止残留水滴在光刻胶上造成缺陷，提高晶圆的良率。CN113534616ACN113534616A权利要求书1/2页1.一种光刻机的控制系统，其特征在于，包括：检测单元、加热单元以及控制单元；所述检测单元，用于检测晶圆在所述光刻机内完成曝光工艺后的停留时间；所述控制单元，分别与所述检测单元和所述加热单元信号连接，用于接收所述停留时间，当所述停留时间大于预设时长时形成动作指令，并通过所述动作指令控制所述加热单元对所述晶圆进行加热，以清除所述晶圆上光刻胶表面的残留水滴。2.根据权利要求1所述的光刻机的控制系统，其特征在于，所述预设时长的范围包括20s～100s。3.根据权利要求2所述的光刻机的控制系统，其特征在于，当所述停留时间大于80s时形成动作指令，并通过所述动作指令控制所述加热单元对所述晶圆进行加热；所述控制单元还用于控制所述加热单元的加热温度，所述加热温度包括80℃～120℃。4.根据权利要求1所述的光刻机的控制系统，其特征在于，还包括：温度检测单元和报警单元，所述温度检测单元和报警单元均与所述控制单元信号连接；所述温度检测单元，用于检测所述晶圆上光刻胶表面的温度，并把所述晶圆上光刻胶表面的温度发送给控制单元；所述控制单元还用于接收所述晶圆上光刻胶表面的温度，当所述晶圆上光刻胶表面的温度大于预设温度时形成指示命令，并通过所述指示命令控制所述报警单元发出报警信号。5.根据权利要求4所述的光刻机的控制系统，其特征在于，所述报警信号包括声音信号、光信号和图像信号中的一种或者多种。6.根据权利要求1所述的光刻机的控制系统，其特征在于，还包括：所述控制单元还用于接收第一信号，在接收所述第一信号后控制所述加热单元对所述晶圆加热，所述第一信号用于指示涂胶显影机故障。7.根据权利要求6所述的光刻机的控制系统，其特征在于，所述预设时长为0s。8.根据权利要求1所述的光刻机的控制系统，其特征在于，还包括传送单元，所述光刻机通过传送单元与涂胶显影机连接；所述控制单元还用于接收第二信号时，控制所述传送单元将所述晶圆传送至所述涂胶显影机内，所述第二信号用于指示所述涂胶显影机正常工作。9.一种光刻机的控制方法，其特征在于，包括：检测晶圆在所述光刻机内完成曝光工艺后的停留时间；当停留时间大于预设时长时，启动所述光刻机内的加热单元，以使所述加热单元对所述晶圆加热，清除所述晶圆上光刻胶表面的残留水滴。10.根据权利要求9所述的光刻机的控制方法，其特征在于，所述预设时长的范围包括20s～100s。11.根据权利要求10所述的光刻机的控制方法，其特征在于，当所述停留时间大于80s时，启动所述光刻机内的加热单元，并控制所述加热单元在加热温度为80℃～120℃之间，对所述晶圆加热，清除所述晶圆上光刻胶表面的残留水滴。12.根据权利要求9所述的光刻机的控制方法，其特征在于，还包括：检测所述晶圆上光刻胶表面的温度；当所述晶圆上光刻胶表面的温度大于预设温度时，启动所述光刻机内的报警单元，发2CN113534616A权利要求书2/2页出报警信号。13.根据权利要求9所述的光刻机的控制方法，其特征在于，还包括：当接收到指示涂胶显影机故障的第一信号时，启动所述光刻机的加热单元。14.根据权利要求13所述的光刻机的控制方法，其特征在于，所述预设时长为0s。15.根据权利要求9所述的光刻机的控制方法，其特征在于，还包括：当接收到指示涂胶显影机正常工作的第二信号时，启动传动单元，以将所述晶圆传送至所述涂胶显影机内。16.一种光刻机，其特征在于，包括机台、以及设置在机台内的加热器、检测器和控制器；所述加热器位于所述机台的承载台的上方；所述控制器分别与所述加热器和所述