加热厚膜的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113534618A(43)申请公布日2021.10.22(21)申请号202110817275.4(22)申请日2021.07.19(71)申请人深圳瑞森特电子科技有限公司地址518000广东省深圳市南山区桃源街道平山社区丽山路65号平山民企科技园2栋东601(72)发明人胡志升胡旭(74)专利代理机构深圳市嘉勤知识产权代理有限公司44651代理人帅进军(51)Int.Cl.G03F7/20(2006.01)H05B3/28(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图7页(54)发明名称加热厚膜的制造方法(57)摘要本申请公开了一种加热厚膜的制造方法，包括：在衬底基材上依次设置导电浆料层和光阻层；利用光罩对光阻层进行曝光处理，光罩的透光区允许光透过并照射至光阻层上、非透光区用于阻止光透过；对经过曝光处理的光阻层进行显影处理，去除光阻层中被光照射的部分、而保留未被光照的部分；对导电浆料层进行刻蚀处理，去除导电浆料层中未被光阻层遮挡的部分、而保留被光阻层遮挡的部分；去除剩余的光阻层；对导电浆料层进行烧结，形成发热件；在发热件上设置绝缘层。本申请可以提高发热件的成型精度及厚度均匀性，有利于控制加热效率，改善加热不均匀等问题。CN113534618ACN113534618A权利要求书1/2页1.一种加热厚膜的制造方法，其特征在于，包括：S11、在衬底基材上依次设置导电浆料层和光阻层；S12、利用光罩对所述光阻层进行曝光处理，所述光罩的透光区允许光透过并照射至所述光阻层上、非透光区用于阻止光透过；S13、对经过所述曝光处理的光阻层进行显影处理，去除所述光阻层中被光照射的部分、而保留未被光照的部分；S14、对所述导电浆料层进行刻蚀处理，去除所述导电浆料层中未被所述光阻层遮挡的部分、而保留被所述光阻层遮挡的部分；S15、去除剩余的所述光阻层；S16、对所述导电浆料层进行烧结，形成发热件；S17、在所述发热件上设置绝缘层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述S12步骤之前或者所述S16步骤之后，所述方法还包括：形成导电焊盘，所述导电焊盘与所述发热件连接。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述S12至所述S16步骤中，同步形成导电焊盘和所述发热件，所述导电焊盘与所述发热件连接；在所述S17步骤中，所述绝缘层暴露所述导电焊盘。4.根据权利要求2至3任一项所述的方法，其特征在于，所述衬底基材包括用于设置所述发热件的凹槽，所述S11步骤包括：S111、在衬底基材上依次设置导电浆料层和光阻层，所述导电浆料层至少完全覆盖所述凹槽；S112、刮除所述衬底基材上预定厚度的导电浆料层；S113、在所述导电浆料层上设置光阻层。5.一种加热厚膜的制造方法，其特征在于，包括：S21、在衬底基材上依次设置导电浆料层、第一绝缘层和光阻层；S22、利用光罩对所述光阻层进行曝光处理，所述光罩的透光区允许光透过并照射至所述光阻层上、非透光区用于阻止光透过；S23、对经过所述曝光处理的光阻层进行显影处理，去除所述光阻层中被光照射的部分、而保留未被光照的部分；S24、对所述第一绝缘层进行第一次刻蚀处理，去除所述第一绝缘层中未被所述光阻层遮挡的部分并暴露所述导电浆料层、而保留被光阻层遮挡的部分；S25、对所述导电浆料层进行第二次刻蚀处理，去除所述导电浆料层中未被第一绝缘层遮挡的部分、而保留被第一绝缘层遮挡的部分；S26、去除剩余的所述光阻层；S27、对经过所述第二次刻蚀处理的导电浆料层进行烧结，形成发热件；S28、在所述第一绝缘层上设置第二绝缘层，所述第二绝缘层至少覆盖所述发热件。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二绝缘层与所述第一绝缘层的顶面平齐。7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二绝缘层还覆盖所述第一绝缘层。2CN113534618A权利要求书2/2页8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述S22步骤之前或者所述S27步骤之后，所述方法还包括：形成导电焊盘，所述导电焊盘与所述发热件连接。9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述S22至所述S27步骤中，同步形成导电焊盘和所述发热件，所述导电焊盘与所述发热件连接；在所述S28步骤中，所述第二绝缘层暴露所述导电焊盘。10.根据权利要求5至9任一项所述的方法，其特征在于，所述衬底基材包括用于设置所述发热件的凹槽，所述S21步骤包括：S211、在衬底基材上依次设置导电浆料层、第一绝缘层和光阻层，所述导电浆料层至少完全覆盖所述凹槽；S212、刮除所述衬底基材上预定厚度的导电浆料层；S213、在所述导电浆料层上设置第一绝缘层和光阻层。3CN113534618A说明书1/6页加热厚膜的制造方法技术