阵列基板及其制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113948533A(43)申请公布日2022.01.18(21)申请号202111212323.3(22)申请日2021.10.18(71)申请人昆山龙腾光电股份有限公司地址215301江苏省苏州市昆山开发区龙腾路1号(72)发明人钟德镇苏子芳严婷婷(74)专利代理机构上海波拓知识产权代理有限公司31264代理人蔡光仟(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)H01L21/77(2017.01)权利要求书5页说明书14页附图29页(54)发明名称阵列基板及其制作方法(57)摘要本发明公开了一种阵列基板及其制作方法，制作方法包括提供基底；在基底上形成第一金属层和第一绝缘层；在第一绝缘层上覆盖第一正性光阻层；从基底的顶部利用第一半色调掩膜板对第一正性光阻层进行曝光，最终形成扫描线、栅极和触控引线、在栅极绝缘层上形成整面的第二绝缘层；在第二绝缘层上覆盖负性光阻层；从基底的底部对负性光阻层进行曝光和显影，最终对应扫描线、栅极和触控引线的位置去除第二绝缘层，而其他区域则保留第二绝缘层；在第二绝缘层上形成整面的第二金属层；对第二金属层进行图形化处理，使第二金属层形成源极、漏极、数据线和触控桥接部。本发明的阵列基板及其制作方法不仅节约了成本，还提高了开口率。CN113948533ACN113948533A权利要求书1/5页1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：基底(11)；形成在所述基底(11)上的扫描线(121)、栅极(122)和触控引线(123)，所述触控引线(123)包括导线部(1231)和连接部(1232)，所述导线部(1231)位于相邻的两根所述扫描线(121)之间，所述连接部(1232)分别位于所述导线部(1231)的两端并与所述导线部(1231)相连，所述栅极(122)与所述扫描线(121)相连；对应覆盖在所述扫描线(121)、所述栅极(122)和所述导线部(1231)上的栅极绝缘层(131)，所述连接部(1232)上未覆盖有所述栅极绝缘层(131)；形成在所述栅极绝缘层(131)上的第二绝缘层(16)，所述第二绝缘层(16)覆盖除所述扫描线(121)、所述栅极(122)和所述触控引线(123)之外的区域，所述连接部(1232)上未覆盖有所述第二绝缘层(16)；形成在所述第二绝缘层(16)上的源极(181)、漏极(182)、数据线(183)和触控桥接部(184)，其中，所述源极(181)与所述漏极(182)相互间隔形成沟道区(185)，所述数据线(183)与所述源极(181)相连，所述触控桥接部(184)跨越所述扫描线(121)，且所述触控桥接部(184)的两端分别与相邻的两根所述触控引线(123)端部的所述连接部(1232)接触，使相邻两根所述触控引线(123)通过所述触控桥接部(184)电性连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：形成在所述源极(181)、所述漏极(182)、所述数据线(183)和所述触控桥接部(184)上的源极层叠部(192)、漏极层叠部(193)、有源层(191)、数据线层叠部(194)和桥接层叠部(195)，所述有源层(191)位于所述沟道区(185)，所述源极层叠部(192)与所述源极(181)层叠，所述漏极层叠部(193)与所述漏极(182)层叠，所述数据线层叠部(194)与所述数据线(183)层叠，所述桥接层叠部(195)与所述触控桥接部(184)层叠；所述源极层叠部(192)、所述漏极层叠部(193)、所述有源层(191)、所述数据线层叠部(194)和所述桥接层叠部(195)由金属氧化物半导体材料制作形成，其中所述源极层叠部(192)、所述漏极层叠部(193)、所述数据线层叠部(194)和所述桥接层叠部(195)经过氢化处理或者离子掺杂处理而由半导体转变为导体化，而所述有源层(191)保留为半导体。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：与所述源极层叠部(192)、所述漏极层叠部(193)、所述有源层(191)、所述数据线层叠部(194)和所述桥接层叠部(195)位于同一层且由相同材料制作形成的像素电极(24)；所述像素电极(24)与所述漏极层叠部(193)相连，所述像素电极(24)经过氢化处理或者离子掺杂处理而由半导体转变为导体化。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：形成在所述源极层叠部(192)、所述漏极层叠部(193)、所述有源层(191)、所述桥接层叠部(195)、所述数据线层叠部(194)和所述像素电极(24)上的第三绝缘层(23)，所述第三绝缘层(23)在对应所述桥接层叠部(195)的位置形