具有布线层的封装结构的返工方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113972140A(43)申请公布日2022.01.25(21)申请号202010713323.0(22)申请日2020.07.22(71)申请人盛合晶微半导体（江阴）有限公司地址214437江苏省无锡市江阴市长山大道78号（经营场所江阴市东盛西路9号）(72)发明人陈扣林周祖源吴政达林正忠(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219代理人余明伟(51)Int.Cl.H01L21/48(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称具有布线层的封装结构的返工方法(57)摘要本发明提供一种具有布线层的封装结构的返工方法。包括步骤：1)提供待返工的基底，基底包括载体、位于载体上的布线层及位于布线层上的光刻胶层；布线层包括介质层和金属层，金属层包括钛层和铜层，钛层位于介质层内，铜层位于钛层的上表面，且部分铜层的上表面暴露于介质层的上表面；2)去除光刻胶层；3)去除铜层；4)去除部分钛层；5)采用溅射工艺于残留的钛层表面溅射钛层和铜层。本申请经改进的工艺设计，在去除金属层时保留部分钛层，残留的钛层可以对介质层形成良好的保护，且采用的是干法刻蚀去除部分钛层，由此可以有效避免产生水汽，避免产生层间气泡，有助于提高相邻结构层之间的粘附性，提高对准精度，有助于生产良率的提升。CN113972140ACN113972140A权利要求书1/1页1.一种具有布线层的封装结构的返工方法，其特征在于，所述返工方法包括步骤：1)提供待返工的基底，所述基底包括载体、位于所述载体上的布线层及位于所述布线层上的光刻胶层；所述布线层包括介质层和金属层，所述金属层包括钛层和铜层，所述钛层位于所述介质层内，所述铜层位于所述钛层的上表面，且部分所述铜层的上表面暴露于所述介质层上表面；2)去除所述光刻胶层；3)去除上表面暴露于所述介质层的上表面的所述铜层以暴露出位于所述铜层下表面的钛层；4)采用干法刻蚀去除部分所述钛层；5)采用溅射工艺于残留的钛层表面溅射钛层和铜层。2.根据权利要求1所述的返工方法，其特征在于：所述步骤3)中采用干法刻蚀去除所述铜层。3.根据权利要求1所述的返工方法，其特征在于：所述布线层为多层，所述多层布线层上下叠置，不同布线层之间的金属层电连接。4.根据权利要求1所述的返工方法，其特征在于：所述载体包括玻璃基板。5.根据权利要求1所述的返工方法，其特征在于：所述步骤4)中，去除的钛层厚度小于所述钛层厚度的二分之一。6.根据权利要求1所述的返工方法，其特征在于：所述返工方法还包括在去除所述铜层后对得到的结构进行清洗及干燥的步骤。7.根据权利要求1所述的返工方法，其特征在于：所述步骤2)中去除所述光刻胶层的方法包括研磨法和剥离法中的一种或两种。2CN113972140A说明书1/4页具有布线层的封装结构的返工方法技术领域[0001]本发明属于半导体封装领域，特别是涉及一种具有布线层的封装结构的返工方法。背景技术[0002]晶圆级封装(WaterLevelPackaging，简称WLP)技术是以整片晶圆为包装和测试对象，完成封装后将晶圆切割成一个个独立的成品芯片的工艺流程，这与传统的芯片封装工艺有很大的不同。经WLP工艺封装出的芯片尺寸比传统工艺封装出的芯片尺寸能减小20％以上，此外还具有封装速度快，封装成本低等优点，因而WLP封装已经成为封装市场的主流。[0003]在WLP封装过程中，光刻胶图形化工艺是一道重要且通常需要多次执行的工艺。比如在依次形成包括钛层和位于钛层上的铜层的金属层(金属层形成于介质层内并延伸到介质层的表面，以和介质层共同构成布线层)后，在金属层表面涂布光刻胶层，经曝光显影定义出所需的图形，再依定义出的图形形成和金属层电连接的导电柱等结构。但是由于各种原因，比如光刻胶涂布不均匀、光刻胶固化效果差、曝光对准精度差等原因，导致显影后呈现出的图形不符合工艺要求时就需要进行返工，而返工作业时不仅需要去除显影后的光刻胶层，同时要将与光刻胶层下表面直接相连接的金属层一并去除(现有技术中通常是将铜层和位于铜层下表面的钛层同时去除)。现有技术中，在返工去除铜层和钛层时，都是通过湿法刻蚀工艺去除，即将需返工的晶圆置于刻蚀液中进行刻蚀。但是由于金属层形成于介质层内并延伸到介质层的表面，在金属层被刻蚀液刻蚀的过程中，在介质层内就产生了开口，刻蚀液会渗入这些开口内并逐步渗透至介质层中。在之后的溅射和光刻胶涂布工艺中，这些水分在受热时会变成水汽，导致相邻结构层之间出现气泡(bubble)等缺陷，这些缺陷会给后续工艺流程带来诸多不良影响，比如导致对准精度下降，不同结构层之间粘附性下降等，并导致最终产品的性能劣化甚至完全失效。发明内容[0004]鉴于以