提高外延生长晶圆对位通过率的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114121702A(43)申请公布日2022.03.01(21)申请号202111344883.4(22)申请日2021.11.15(71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司地址214028江苏省无锡市新吴区新洲路30号申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司(72)发明人董俊张顾斌王雷(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211代理人刘昌荣(51)Int.Cl.H01L21/66(2006.01)H01L21/67(2006.01)H01L21/68(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图3页(54)发明名称提高外延生长晶圆对位通过率的方法(57)摘要本发明公开了一种提高外延生长晶圆对位通过率的方法，其包括以下步骤：步骤一，获取原始版图；步骤二，光刻进行精准对位需要在原始版图中放置光刻对位标记；步骤三，将光刻对位标记通过刻蚀的方法留在晶圆上；步骤四，将刻有光刻对位标记的晶圆进行外延生长，生成外延生长图形，光刻对位标记会由于外延过程特有的延晶向生长的特点，会发生漂移的图形以及变形的图形，通过利用视觉成像镜头可调整焦距的特点以及外延生长图形的固定生长方向、漂移方向特点，过滤掉外延生长后光刻对位标记形成的杂波以及干扰图形，获取到光刻对位标记在外延生长前较为棱角分明的对位标记信号。本发明可以过滤掉外延生长后光刻对位标记形成的杂波以及干扰图形。CN114121702ACN114121702A权利要求书1/1页1.一种提高外延生长晶圆对位通过率的方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤一，获取原始版图；步骤二，光刻进行精准对位需要在原始版图中放置光刻对位标记；步骤三，将光刻对位标记通过刻蚀的方法留在晶圆上；步骤四，将刻有光刻对位标记的晶圆进行外延生长，生成外延生长图形，光刻对位标记会由于外延过程特有的延晶向生长的特点，会发生漂移的图形以及变形的图形，通过利用视觉成像镜头可调整焦距的特点以及外延生长图形的固定生长方向、漂移方向特点，调整视觉成像的焦距，将成像图形由清晰的图形变为模糊的图形，过滤掉外延生长后光刻对位标记形成的杂波以及干扰图形，获取到光刻对位标记在外延生长前较为棱角分明的对位标记信号。2.如权利要求1所述的提高外延生长晶圆对位通过率的方法，其特征在于，所述步骤一中的原始版图通过版图设计软件获得。3.如权利要求1所述的提高外延生长晶圆对位通过率的方法，其特征在于，所述光刻对位标记至少包括粗准对位标记和精准对位标记各一组。4.如权利要求1所述的提高外延生长晶圆对位通过率的方法，其特征在于，所述步骤二中采用光刻机对位镜头放置光刻对位标记。5.如权利要求1所述的提高外延生长晶圆对位通过率的方法，其特征在于，所述步骤四的晶圆是在外延炉中进行外延生长。6.如权利要求5所述的提高外延生长晶圆对位通过率的方法，其特征在于，所述外延炉采用高频感应加热方式。7.如权利要求1所述的提高外延生长晶圆对位通过率的方法，其特征在于，所述步骤四的晶圆是采用气相外延工艺外延生长。2CN114121702A说明书1/3页提高外延生长晶圆对位通过率的方法技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种提高外延生长晶圆对位通过率的方法。背景技术[0002]BCD工艺是一种单片集成工艺技术，1986年由意法半导体(ST)公司率先研制成功，这种技术能够在同一芯片上制作双极器件Bipolar、CMOS和DMOS三种器件，称为BCD工艺。随着集成电路工艺的进一步发展，BCD工艺已经成为PIC的主流制造技术。BCD工艺综合了双极器件高跨导、强负载驱动能力和CMOS集成度高、低功耗的优点，使其互相取长补短，发挥各自的优点；同时DMOS可以在开关模式下工作，功耗极低，不需要昂贵的封装和冷却系统就可以将大功率传递给负载。低功耗是BCD工艺的一个主要优点之一。BCD工艺可大幅降低功率耗损，提高系统性能，节省电路的封装费用，并具有更好的可靠性。[0003]BCD工艺需要将双极器件Bipolar、CMOS器件和DMOS器件整合到同一芯片，必须通过借用外延工艺；基于外延生长的原理，正常的对位图形会发生形貌上的变化和漂移，导致后续光刻对位层次失败的概率升高。发明内容[0004]针对上述情况，为了克服现有技术的缺陷，本发明提供一种提高外延生长晶圆对位通过率的方法。[0005]本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：一种提高外延生长晶圆对位通过率的方法，其特征在于，其包括以下步骤：[0006]步骤一，获取原始版图；[0007]步骤二，光刻进行精准对位需要在原始版图中放置光刻对位标记；[0008]步骤三，将光刻对位标记通过刻蚀的方法留在晶圆上；[0009]步骤四，将刻有光刻对位标记的晶圆