

一种石墨烯薄膜的制备装置.pdf
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相关资料
一种制备石墨烯薄膜的装置、方法及所得石墨烯薄膜.pdf
本发明涉及一种通过化学气相沉积法(CVD法)连续制备石墨烯薄膜的装置,其主要由进样室、炉管和出样室组成,生长室高温生长区将一直保持高温生长温度,不用等待升降温的过程,并解决了样品在高温区的传动问题,可以进行不间断的生长,从而大幅度提高用化学气相沉积(CVD)方法制备石墨烯薄膜的产量。
一种石墨烯薄膜的制备装置.pdf
本发明公开了一种石墨烯薄膜的制备装置,包括内部开设有加工通道的清洗烘干箱,清洗烘干箱的一侧构造有内置加热元器件的边缘倒角式凸台一,边缘倒角式凸台一的两端部均构造呈斜面,且边缘倒角式凸台一内侧斜面向下延伸至底端,并开设有浸水式清洗槽,浸水式清洗槽内可旋转连接安装有两组导料辊,且浸水式清洗槽内远离边缘倒角式凸台一的一侧设置有一组压覆辊,压覆辊远离边缘倒角式凸台一的一侧构造有一组连接清洗烘干箱的边缘倒角式凸台二,导料辊与压覆辊之间留有供石墨烯薄膜主体穿过的缝隙,浸水式清洗槽的一侧设置有连接水泵的注水口。该石墨烯
一种石墨烯薄膜的制备装置.pdf
本发明公开了一种石墨烯薄膜的制备装置,包括箱体,所述箱体的下端固定连接有多个支撑杆,多个所述支撑杆之间设置有固定板,所述固定板的上侧固定连接有水箱,所述水箱的右侧中上位置设置有注水口,所述水箱的右侧中下位置设置有排水口,所述注水口和排水口上均螺纹旋接有密封盖,所述固定板分别与多个所述支撑杆固定连接。本发明结构设计合理,可以避免石墨烯薄膜湿度过大影响石墨烯薄膜的质量,且在石墨烯薄膜进行加热时,可以调节热风罩的位置,改变热风罩与石墨烯薄膜之间的距离,有利于石墨烯薄膜的加热干燥处理,避免石墨烯薄膜干燥过度而发生
一种卷对卷的石墨烯薄膜制备装置.pdf
本发明公开了一种卷对卷的石墨烯薄膜制备装置,包括双层石英管、放带真空室、收带真空室、射频离子体发生器和管式炉;所述双层石英管,其放带端通过放带端法兰组件与放带真空室相连,其收带端通过收带端法兰组件与收带真空室相连;所述管式炉套接在所述双层石英管的管身;所述射频离子体发生器设置在所述双层石英管上,位于所述放带真空室和管式炉之间的区域;所述双层石英管,包括同心嵌套的内层石英管和外层石英管,所述内层石英管和外层石英管之间形成环形反应室,所述外层石英管承载石墨烯薄膜基膜。本发明制备石墨烯薄膜,薄膜宽度、制备效率、
一种大晶畴尺寸的石墨烯薄膜制备装置.pdf
本发明公布了一种大晶畴尺寸的石墨烯薄膜制备装置,包括生长炉、基底固定部件、驱动部件,生长炉包括炉管和对炉管加热的加热部件,炉管内部中空,一端设有开口;基底固定部件包括用于密闭开口的盖板和与盖板通过支撑气管连接的主体,主体设置有两组芯轴,两组芯轴外活动套设有基底绕卷轴,基底绕卷轴的两端面设置有固定基底的压片,芯轴为两端开口的中空管,靠近开口的一侧为出气口,背离开口的一侧为进气口,进气口与支撑气管连通,支撑气管与外部气源装置连通;驱动部件与基底固定部件连接;本发明提出一种大晶畴尺寸的石墨烯薄膜制备装置,其目的