槽式清洗设备的排气装置及排气方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114378088A(43)申请公布日2022.04.22(21)申请号202011121210.8(22)申请日2020.10.19(71)申请人中国科学院微电子研究所地址100029北京市朝阳区北土城西路3号申请人真芯（北京）半导体有限责任公司(72)发明人朴英植胡艳鹏李琳卢一泓(74)专利代理机构北京兰亭信通知识产权代理有限公司11667代理人孙峰芳(51)Int.Cl.B08B15/00(2006.01)H01L21/67(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图3页(54)发明名称槽式清洗设备的排气装置及排气方法(57)摘要本发明提供一种槽式清洗设备的排气装置。所述排气装置包括：排气罩和排气管道，排气罩环绕设置于槽式清洗设备的化学药液槽的四周外侧，被配置为可自由地上下移动，以便吸入化学药液槽产生的化学气体；排气管道与排气罩连接，被配置为将排气罩吸入的化学气体排出槽式清洗设备。本发明能够快速排出槽式清洗设备内残留的化学气体。CN114378088ACN114378088A权利要求书1/1页1.一种槽式清洗设备的排气装置，其特征在于，所述排气装置包括：排气罩，所述排气罩环绕设置于槽式清洗设备的化学药液槽的四周外侧，被配置为可自由地上下移动，以便吸入化学药液槽产生的化学气体；排气管道，与所述排气罩连接，被配置为将所述排气罩吸入的化学气体排出所述槽式清洗设备。2.根据权利要求1所述的排气装置，其特征在于，所述排气罩包括四个侧壁，其中每个侧壁形成一个气体通道。3.根据权利要求2所述的排气装置，其特征在于，所述排气罩的第一侧壁的下部设有进气口，所述进气口用于吸入化学气体。4.根据权利要求3所述的排气装置，其特征在于，所述排气罩的与所述第一侧壁相邻的第二侧壁设有出气口，所述出气口与所述排气管道连接。5.根据权利要求1所述的排气装置，其特征在于，所述排气罩的材料为聚四氟乙烯。6.根据权利要求1所述的排气装置，其特征在于，所述排气装置还包括：可升降的托举机构，所述托举机构被配置为承载所述排气罩，所述排气罩随着所述托举机构的升降实现上下移动。7.根据权利要求6所述的排气装置，其特征在于，所述托举机构包括气缸或者电驱装置。8.根据权利要求1所述的排气装置，其特征在于，所述排气管道包括可伸缩的第一管道，所述第一管道随着所述排气罩的上下移动进行伸缩。9.根据权利要求8所述的排气装置，其特征在于，所述排气管道还包括第二管道，所述第二管道连接于所述第一管道和所述槽式清洗设备的排气孔之间。10.一种槽式清洗设备的排气方法，其特征在于，采用如权利要求1至9中任一项所述的排气装置实现，所述排气方法包括：所述排气罩反复上下移动，吸入所述槽式清洗设备中的化学气体，并经所述排气管道将所述排气罩吸入的化学气体排出所述槽式清洗设备。2CN114378088A说明书1/3页槽式清洗设备的排气装置及排气方法技术领域[0001]本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种槽式清洗设备的排气装置及排气方法。背景技术[0002]槽式清洗设备，其通过传送批量晶圆依次浸泡在化学药液槽、水槽和干燥槽中，以实现批量晶圆的清洗工艺。化学药液槽使用的药液根据需要可以采用高温高浓药液，如SPM(SulfuricacidPeroxideMixture，硫酸双氧水混合液)工艺温度在125℃附近，或者，磷酸H3PO4，工艺温度在160℃附近。当晶圆从这些药液中取出后，会产生大量化学气体(ChemicalFume)。[0003]相关工艺中，在槽式清洗设备靠近底部的位置专门开设了排气口，用来去除化学药液清洗后产生的化学气体。但是，想要完全去除这些化学气体，需要很长时间，经常出现去除不及时的问题。一旦这些化学气体中颗粒吸附到晶圆表面，会影响晶圆质量。发明内容[0004]为解决上述问题，本发明提供了一种槽式清洗设备的排气装置及排气方法，能够快速排出化学气体。[0005]第一方面，本发明提供一种槽式清洗设备的排气装置，包括：[0006]排气罩，所述排气罩环绕设置于槽式清洗设备的化学药液槽的四周外侧，被配置为可自由地上下移动，以便吸入化学药液槽产生的化学气体；[0007]排气管道，与所述排气罩连接，被配置为将所述排气罩吸入的化学气体排出所述槽式清洗设备。[0008]可选地，所述排气罩包括四个侧壁，其中每个侧壁形成一个气体通道。[0009]可选地，所述排气罩的第一侧壁的下部设有进气口，所述进气口用于吸入化学气体。[0010]可选地，所述排气罩的与所述第一侧壁相邻的第二侧壁设有出气口，所述出气口与所述排气管道连接。[0011]可选地，所述排气罩的材料为聚四氟乙烯。[0012]可选地，所述排气装置还包括：[0013]可升降的托举机