密封件镀膜方法及密封件制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114438475A(43)申请公布日2022.05.06(21)申请号202210105144.8(51)Int.Cl.(22)申请日2022.01.27C23C16/44(2006.01)C23C16/02(2006.01)(71)申请人等离子体装备科技（广州）有限公司地址510000广东省广州市白云区北太路1633号广州民营科技园科盛路8号配套服务大楼5层A505-338房申请人广东省新兴激光等离子体技术研究院(72)发明人朱昆颜学庆曹健辉刘玮马伟杨锐曹祯烨陈惠君杜翰翔李冬娜刘晓兰(74)专利代理机构广州市律帆知识产权代理事务所(普通合伙)44614专利代理师王园园权利要求书2页说明书8页附图4页(54)发明名称密封件镀膜方法及密封件制备方法(57)摘要本申请涉及一种密封件镀膜方法及密封件制备方法，所述的密封件镀膜方法，包括：对基于成型工艺生产的密封件进行上料；将上料好的密封件放入清洁腔室；在清洁腔室处于真空环境下，利用等离子体对所述密封件的表面进行清洁；在清洁完成后，将所述密封件从所述清洁腔室转移到镀膜腔室；在镀膜腔室处于真空环境下，利用化学气相沉积工艺对所述密封件的镀膜部位表面进行镀膜；该技术方案，能够有效地清除密封件成型过程中残留的有机溶剂等，避免了清洗和烘干耗时长的影响，极大地提高了镀膜效率；而且能够提升薄膜沉积的膜层质量。CN114438475ACN114438475A权利要求书1/2页1.一种密封件镀膜方法，其特征在于，包括：对基于成型工艺生产的密封件进行上料；将上料好的密封件放入清洁腔室；在清洁腔室处于真空环境下，利用等离子体对所述密封件的表面进行清洁；在清洁完成后，将所述密封件从所述清洁腔室转移到镀膜腔室；在镀膜腔室处于真空环境下，利用化学气相沉积工艺对所述密封件的镀膜部位表面进行镀膜。2.根据权利要求1所述的密封件镀膜方法，其特征在于，所述对基于成型工艺生产的密封件进行上料，包括：将基于硫化成型工艺生产的密封件制作成由多个密封件排列而成的密封件集成板；在所述密封件集成板上设置预制的置板以对密封件进行固定和遮挡非镀膜部位；将固定有密封件集成板的多个置板以层叠方式固定到支撑架上。3.根据权利要求2所述的密封件镀膜方法，其特征在于，所述密封件为胶塞；所述密封件集成板为由多个胶塞排列而成且塞冠相邻的胶塞集成板；所述在所述密封件集成板上设置预制的置板以对密封件的非镀膜部位进行遮挡和对密封件集成板进行固定，包括：将两个胶塞集成板对应塞冠一侧叠放在一起；分别在两个胶塞集成板的各个胶塞的塞颈一侧套入开设有胶塞通孔阵列的置板；其中，每个胶塞分别对应置板上的一个胶塞通孔，胶塞通孔大于塞颈，使得置板遮挡胶塞的塞冠和塞边，露出塞颈和塞沿；利用螺栓螺母将两个置板固定为一体。4.根据权利要求2所述的密封件镀膜方法，其特征在于，所述密封件为橡胶垫片；所述密封件集成板为由多个橡胶垫片排列而成的垫片集成板；所述在所述密封件集成板上设置预制的置板以对密封件进行固定和遮挡非镀膜部位，包括：将两个垫片集成板对应不需要镀膜的一侧叠放在一起；分别在垫片集成板需要镀膜的两侧放置开设有垫片通孔阵列的置板；其中，每个橡胶垫片对应置板上的一个垫片通孔，垫片通孔的镂空区域对应为橡胶垫片需要镀膜区域；利用螺栓螺母将两个置板固定为一体。5.根据权利要求1所述的密封件镀膜方法，其特征在于，所述利用等离子体对所述密封件的表面进行清洁，包括：向清洁腔室通入清洁气体并开启等离子体离子源产生等离子体；利用所述等离子体轰击所述密封件的镀膜部位；调节清洁气体的气压和施加偏压，清除所述密封件的镀膜部位表面残留的有机溶剂并在所述密封件的镀膜部位表面形成刻蚀痕迹。6.根据权利要求1所述的密封件镀膜方法，其特征在于，所述利用化学气相沉积工艺对所述密封件的镀膜部位表面进行镀膜，包括：将原料室内的镀膜原料在高温低真空条件下从固体升华成气体；通过气压差将升华后的气体输入相对低压的裂解室，并在更高温度和更低气压下裂解2CN114438475A权利要求书2/2页形成活性单体气体；将所述活性单体气体输入镀膜腔室，将所述单体气体沉积至各个密封件裸露的表面，逐步聚合和结晶形成线性高分子聚合物。7.根据权利要求1所述的密封件镀膜方法，其特征在于，所述将所述密封件从所述清洁腔室转移到镀膜腔室，包括：打开所述清洁腔室与镀膜腔室之间的阀门，通过传送带将所述密封件从清洁腔室转移到镀膜腔室，并关闭所述清洁腔室与镀膜腔室之间的阀门；其中，清洁腔室和镀膜腔室通过阀门进行连通和真空隔离，且清洁腔室和镀膜腔室分别内置有传送带。8.根据权利要求7所述的密封件镀膜方法，其特征在于，在将上料好的密封件放入清洁腔室之前，还包括：将上料好的所述密封件放入上料腔室，