一种叠层芯片的剪切强度试验方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114527014A(43)申请公布日2022.05.24(21)申请号202111605103.7(22)申请日2021.12.24(71)申请人中国电子科技集团公司第五十八研究所地址214000江苏省无锡市滨湖区惠河路5号(72)发明人王世楠万永康张凯虹虞勇坚闫辰侃(74)专利代理机构无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙)32340专利代理师杨强杨立秋(51)Int.Cl.G01N3/24(2006.01)权利要求书2页说明书4页附图4页(54)发明名称一种叠层芯片的剪切强度试验方法(57)摘要本发明涉及一种叠层芯片的剪切强度试验方法。本发明包括如下步骤：将被测叠层芯片进行固定，根据被测叠层芯片的叠层所用粘接材料类型、上层芯片的粘接面积确定施加载荷范围，根据被测叠层芯片的叠层层数、叠层形式，选择被测叠层芯片的上层芯片的一条边并将载荷均匀地施加到边上进行剪切；根据上层芯片脱离时施加的载荷力大小与芯片在附着材料上的残留面积大小进行叠层芯片剪切强度评估。本发明所述的一种叠层芯片的剪切强度试验方法,能够对叠层芯片的可靠性进行有效评估，弥补了现阶段对于叠层封装结构芯片剪切强度试验方法的缺失，提高了行业对于叠层芯片可靠性的评估能力。CN114527014ACN114527014A权利要求书1/2页1.一种叠层芯片的剪切强度试验方法，其特征在于：包括如下步骤：将被测叠层芯片进行固定，根据被测叠层芯片的叠层所用粘接材料类型、上层芯片的粘接面积确定施加载荷范围，根据被测叠层芯片的叠层层数、叠层形式，选择被测叠层芯片的上层芯片的一条边并将载荷均匀地施加到边上进行剪切；根据上层芯片脱离时施加的载荷力大小与芯片在附着材料上的残留面积大小进行叠层芯片剪切强度评估。2.根据权利要求1所述的一种叠层芯片的剪切强度试验方法，其特征在于：所述根据被测叠层芯片的叠层所用粘接材料类型、上层芯片的粘接面积确定施加载荷范围的方法为：基于芯片剪切强度载荷标准图，载荷值与上层芯片粘接面积呈正相关，获取2.0倍载荷曲线。3.根据权利要求2所述的一种叠层芯片的剪切强度试验方法，其特征在于：当所用粘接材料为环氧材料，以1.0倍载荷曲线的2.0倍值作为2.0倍载荷曲线来设定施加载荷范围。4.根据权利要求2所述的一种叠层芯片的剪切强度试验方法，其特征在于：当所用粘接材料为共晶焊时，以1.0倍载荷曲线的2.0倍值作为2.0倍载荷曲线来设定施加载荷范围。5.根据权利要求2所述的一种叠层芯片的剪切强度试验方法，其特征在于：所述2.0倍载荷曲线的载荷范围为4‑50N，且1.0倍曲线的范围是2‑25N，即载荷曲线的载荷范围为2‑50N。6.根据权利要求1所述的一种叠层芯片的剪切强度试验方法，其特征在于：所述根据被测叠层芯片的叠层层数、叠层形式，选择被测叠层芯片的上层芯片的一条边并将载荷均匀地施加到边上进行剪切的方法包括：当被测叠层芯片为金字塔式叠层结构时，优先选择上层芯片最长边进行剪切，其次选择可便于剪切工具施加载荷的上层芯片的边进行剪切；当被测叠层芯片为并排式叠层结构时，优先选择上层小面积芯片最长边进行剪切，其次选择可便于剪切工具施加载荷的上层芯片的边进行剪切；当被测叠层芯片为交错式叠层结构时，优先选择上层芯片平面最长边进行剪切，其次选择可便于剪切工具施加载荷的上层芯片的边进行剪切；当被测叠层芯片为悬臂式叠层结构时，优先选择上层芯片最长边进行剪切，其次选择可便于剪切工具施加载荷的上层芯片的边进行剪切。7.根据权利要求3所述的一种叠层芯片的剪切强度试验方法，其特征在于：所述根据上层芯片脱离时施加的载荷力大小与芯片在附着材料上的残留面积大小进行叠层芯片剪切强度评估的方法包括：当所用粘接材料为环氧材料时，判断失效的方法为：达不到1.0载荷曲线的强度要求，以及使上层芯片脱离时施加的载荷力，大于或等于1.0倍载荷曲线所表示的强度，小于2.0倍载荷曲线所表示的强度，同时上层芯片在附着材料上的残留小于附着区面积的75％。8.根据权利要求4所述的一种叠层芯片的剪切强度试验方法，其特征在于：当所用粘接材料为共晶焊时，判断失效的方法为：达不到1.0载荷曲线所表示的芯片强度要求，以及使上层芯片脱离时施加的载荷力，大于或等于1.0载荷倍曲线所表示的强度，小于1.25倍载荷曲线所表示的强度，同时上层芯片在附着材料上的残留小于附着区面积的50％，以2CN114527014A权利要求书2/2页及使上层芯片脱离时施加的载荷力，大于或等于1.25倍载荷曲线所表示的强度，小于2.0倍载荷曲线所表示的强度，同时芯片在附着材料上的残留小于附着区面积的10％。3CN114527014A说明书1/4页一种叠层芯片的剪切强度试验方法技术领域[0001]本发明涉及集成