芯片上方叠层封装的去除方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113008643A(43)申请公布日2021.06.22(21)申请号202110269108.0(22)申请日2021.03.12(71)申请人苏试宜特（深圳）检测技术有限公司地址518101广东省深圳市宝安区新安街道兴东社区68区隆昌路10号美生创谷春谷102(72)发明人李延昭原岩峰(74)专利代理机构上海唯源专利代理有限公司31229代理人宋小光(51)Int.Cl.G01N1/28(2006.01)G01N1/34(2006.01)G01N1/44(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称芯片上方叠层封装的去除方法(57)摘要本发明涉及一种芯片上方叠层封装的去除方法，包括：提供底板，将样品粘附于底板；研磨样品远离底板的一侧，当待分析的芯片的轮廓露出时，停止研磨；清洗样品，并烘干样品，从而去除芯片上方的叠层封装以供分析。本发明有效地解决了叠层封装的芯片难以分离的问题，通过将样品黏贴于底板，以防止样品在研磨的过程中发生翘曲，使得样品均匀受力，防止芯片开裂，减小后期对芯片验证和分析的影响。CN113008643ACN113008643A权利要求书1/1页1.一种芯片上方叠层封装的去除方法，其特征在于，包括如下步骤：提供底板，将样品粘附于所述底板；研磨所述样品远离所述底板的一侧，当待分析的芯片的轮廓露出时，停止研磨；清洗所述样品，并烘干所述样品，从而去除所述芯片上方的叠层封装以供分析。2.如权利要求1所述的芯片上方叠层封装的去除方法，其特征在于，研磨所述样品时，还包括：用粗砂纸研磨所述样品，当研磨至靠近所述芯片的位置时，在所述样品的表面涂抹融化的热熔胶，以防止过度研磨，并更换细砂纸对所述样品继续研磨。3.如权利要求2所述的芯片上方叠层封装的去除方法，其特征在于，所述粗砂纸为P320砂纸，所述细砂纸为P2500砂纸。4.如权利要求2所述的芯片上方叠层封装的去除方法，其特征在于，冲洗所述样品前，还包括：在所述样品的表面滴腐蚀液并加热，进而用丙酮冲洗所述样品，以除去所述样品上残余的热熔胶。5.如权利要求4所述的芯片上方叠层封装的去除方法，其特征在于，所述腐蚀液为混酸。6.如权利要求4所述的芯片上方叠层封装的去除方法，其特征在于，滴腐蚀液后加热所述样品至150℃，并加热10s。7.如权利要求1所述的芯片上方叠层封装的去除方法，其特征在于，清洗所述样品时，还包括：将所述样品放入盛有无水乙二胺的烧杯中，并将装有所述样品的烧杯放入超声清洗器中清洗；将样品取出并放入盛有清水的烧杯中，并将装有所述样品的烧杯放入所述超声清洗器中清洗；取出所述样品，用丙酮冲洗所述样品。8.如权利要求7所述的芯片上方叠层封装的去除方法，其特征在于，利用所述超声清洗器清洗的时间为2～5s。9.如权利要求1所述的芯片上方叠层封装的去除方法，其特征在于，粘贴所述样品时，还包括：在所述底板的顶面涂抹胶水，将所述样品置于胶水上，并按压所述样品以排出所述样品底部的气泡，进而加热所述样品，以使得所述样品粘附于所述底板。10.如权利要求1所述的芯片上方叠层封装的去除方法，其特征在于，烘干所述样品的温度为100℃。2CN113008643A说明书1/3页芯片上方叠层封装的去除方法技术领域[0001]本发明涉及芯片封装领域，特指一种芯片上方叠层封装的去除方法。背景技术[0002]随着芯片集成化越来越高，微电子封装朝更轻、更薄、更小的方式发展，其中芯片叠层封装(stackeddiepackage)是最常见的一种封装，芯片叠层封装是将多个芯片垂直向上叠加起来，然后进行封装，由于这种结构特殊性，芯片之间间距较小，芯片的厚度比其他封装芯片的厚度有所降低，在验证或分析此类芯片时，容易使得芯片翘曲，从而对分析和验证结果造成影响，常规分离芯片的方式容易导致芯片开裂，对芯片分析造成影响。发明内容[0003]本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种芯片上方叠层封装的去除方法，解决了叠层封装的芯片难以分离的问题，通过将样品黏贴于底板，以防止样品在研磨的过程中发生翘曲，使得样品均匀受力，防止芯片开裂，减小后期对芯片验证和分析的影响。[0004]实现上述目的的技术方案是：[0005]本发明提供了一种芯片上方叠层封装的去除方法，包括如下步骤：[0006]提供底板，将样品粘附于底板；[0007]研磨样品远离底板的一侧，当待分析的芯片的轮廓露出时，停止研磨；[0008]清洗样品，并烘干样品，从而去除芯片上方的叠层封装以供分析。[0009]本发明采用芯片上方叠层封装的去除方法，通过将样品粘附于底板，以防止样品在研磨时翘曲，并使得样品受力均匀，防止样品开裂，有效地解决了叠层封装的芯片难以分离的问题，通过将样品黏