预览加载中,请您耐心等待几秒...
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10

在线预览结束,喜欢就下载吧,查找使用更方便

如果您无法下载资料,请参考说明:

1、部分资料下载需要金币,请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档,再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压,在使用对应软件打开

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114582583A(43)申请公布日2022.06.03(21)申请号202111572298.XH01F6/04(2006.01)(22)申请日2021.12.21(71)申请人西安聚能超导磁体科技有限公司地址710018陕西省西安市经济技术开发区明光路12号西部超导园区磁体厂房1幢1号(72)发明人刘伟李超马鹏张弛葛正福兰贤辉周涛李猛闫果刘向宏冯勇张平祥(74)专利代理机构西安鼎迈知识产权代理事务所(普通合伙)61263专利代理师刘喜保(51)Int.Cl.H01F6/06(2006.01)H01F6/00(2006.01)权利要求书2页说明书4页附图3页(54)发明名称一种磁控拉单晶超导磁体装置(57)摘要本发明公开了一种磁控拉单晶超导磁体装置,包括线圈骨架、线圈和内嵌铁轭。线圈骨架为马鞍形的环状结构,线圈绕制在线圈骨架上,内嵌铁轭的一端设置在线圈骨架的内环中。本发明在保留马鞍形线圈磁场利用率高、相同磁场强度需求情况下线圈使用量少等优点的基础上,将内嵌铁轭根据线圈结构进行优化设计,内嵌到线圈内径空间中,使得内嵌铁轭对线圈产生吸引力,从而缓解线圈通电励磁后由于上、下水平段电流相反,产生的电磁排斥力对线圈的影响,这样极大的减小了超导线圈上、下水平段的电磁体力大小,使得线圈受力更为合理,缓解了线圈在运行过程中因受力过大引起的失超风险。CN114582583ACN114582583A权利要求书1/2页1.一种磁控拉单晶超导磁体装置,其特征在于,包括:线圈骨架(11),所述线圈骨架(11)为马鞍形的环状结构;线圈(12),所述线圈(12)绕制在所述线圈骨架(11)上;内嵌铁轭(3),所述内嵌铁轭(3)的一端设置在所述线圈骨架(11)的内环中。2.根据权利要求1所述的一种磁控拉单晶超导磁体装置,其特征在于,所述内嵌铁轭(3)也为环状结构。3.根据权利要求1所述的一种磁控拉单晶超导磁体装置,其特征在于,还包括:磁屏蔽铁轭上顶板(1),所述磁屏蔽铁轭上顶板(1)位于所述线圈骨架(11)上方;磁屏蔽铁轭下底板(4),所述磁屏蔽铁轭下底板(4)位于所述线圈骨架(11)下方;杜瓦内筒(2),所述杜瓦内筒(2)位于所述线圈骨架(11)内侧,且所述杜瓦内筒(2)的上下两端分别与所述磁屏蔽铁轭上顶板(1)和磁屏蔽铁轭下底板(4)的内侧端连接;磁屏蔽铁轭外筒(5),所述磁屏蔽铁轭外筒(5)位于所述线圈骨架(11)外侧,且所述磁屏蔽铁轭外筒(5)的上下两端分别与所述磁屏蔽铁轭上顶板(1)和磁屏蔽铁轭下底板(4)的外侧端连接。4.根据权利要求3所述的一种磁控拉单晶超导磁体装置,其特征在于,还包括:冷屏(10),所述冷屏(10)套设在所述线圈(12)以及所述线圈骨架(11)外部;G‑M制冷机(7);冷屏导冷结构(8),所述冷屏导冷结构(8)与所述G‑M制冷机(7)的制冷输出端连接,同时所述冷屏导冷结构(8)也与所述冷屏(10)接触,以使所述冷屏(10)内部保持低温环境。5.根据权利要求4所述的一种磁控拉单晶超导磁体装置,其特征在于,还包括:线圈导冷结构(9),所述线圈导冷结构(9)与所述冷屏导冷结构(8)的输出端连接,同时所述线圈导冷结构(9)也与所述线圈骨架(11)接触,以使所述线圈骨架(11)和线圈(12)保持低温。6.根据权利要求5所述的一种磁控拉单晶超导磁体装置,其特征在于,所述线圈骨架(11)的数量为两个,两个所述线圈骨架(11)相对设置;还包括:导冷连接结构(13),所述导冷连接结构(13)连接在两个所述线圈骨架(11)之间,所述线圈导冷结构(9)与所述导冷连接结构(13)接触,使两个所述线圈骨架(11)以及线圈(12)处在低温状态。7.根据权利要求5所述的一种磁控拉单晶超导磁体装置,其特征在于,所述冷屏导冷结构(8)包括:一级冷头,所述一级冷头与所述G‑M制冷机(7)的制冷输出端连接;冷屏导冷板,所述冷屏导冷板设置在所述一级冷头外部,且所述冷屏导冷板与所述冷屏(10)接触。8.根据权利要求7所述的一种磁控拉单晶超导磁体装置,其特征在于,所述线圈导冷结构(9)包括:二级冷头,所述二级冷头与所述一级冷头的输出端连接;线圈导冷板,所述线圈导冷板设置在所述二级冷头外部,且所述线圈导冷板与所述线圈骨架(11)接触。2CN114582583A权利要求书2/2页9.根据权利要求5所述的一种磁控拉单晶超导磁体装置,其特征在于,还包括:杜瓦凸起部件(6),所述杜瓦凸起部件(6)设置在所述磁屏蔽铁轭外筒(5)的外侧面上,所述G‑M制冷机(7)设置在所述杜瓦凸起部件(6)的外侧面上,所述冷屏导冷结构(8)和线圈导冷结构(9)均设置在所述杜瓦凸起部件(6)内部。10.根据权利要求9所述的一种磁控拉单晶