一种铁电拓扑畴结构及其制备方法.pdf
慧颖****23
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一种铁电拓扑畴结构及其制备方法.pdf
本发明涉及一种铁电拓扑畴结构的制备方法,其包括以下步骤:S1:采用脉冲激光沉积法在(001)方向的STO单晶衬底上沉积一层SRO导电层作为底电极;S2:在步骤S1制得的SRO底电极表面铺展单层PS小球作为掩模板,再用氧等离子体刻蚀处理,然后置于离子束刻蚀机中进行刻蚀,最后去除残留的单层PS小球掩模板,得到SRO纳米点阵列底电极;S3:选择BFO靶材,采用脉冲激光沉积法在步骤S2制得的SRO纳米点阵列底电极上沉积一层菱方相的BFO薄膜形成纳米点阵列,其为面外具有“十字形”缓冲畴的中心型拓扑畴结构,并且面内具
一种有序铁电拓扑畴结构阵列的制备方法.pdf
本发明涉及一种有序铁电拓扑畴结构阵列的制备方法,其包括以下步骤:S1:采用脉冲激光沉积法在(001)方向的STO单晶衬底上沉积一层SRO导电层作为底电极;S2:选择Zr:Ti=7:3的PZT靶材,采用脉冲激光沉积法在SRO导电层上沉积一层菱形相PZT薄膜;S3:转移单层PS小球至PZT薄膜表面作为掩模板,再用氧等离子体刻蚀处理,然后置于离子束刻蚀机中进行刻蚀,最后去除残留的单层PS小球掩模板,得到有序的菱形相PZT纳米点阵列,其为中心型拓扑畴结构。本发明制得的有序铁电拓扑畴结构阵列达到纳米级别,是一种高密
一种通过纳米压痕/划痕调控拓扑铁电畴构型的方法.pdf
本发明公开了一种通过纳米压痕/划痕调控拓扑铁电畴构型的方法,包括:原始片状单晶通过粘结剂固定于基底上;采用纳米压头在第一载荷下压入原始片状单晶的第一表面形成压痕;转移至加热台进行升温至80℃~120℃,将原始片状单晶与基底分离;将原始片状单晶转移至坩埚中,采用多晶粉末进行包埋,并将坩埚置于箱式炉内;将温度从室温升到1450℃~1500℃,保温5min~10min,对原始片状单晶进行热处理;恢复至室温,从坩埚中获取目标片状单晶,目标片状单晶的铁电畴在压痕附近呈六重对称涡旋型分布。通过室温下的纳米压痕/划痕在
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本发明提供了一种铁电电容器结构,包括:衬底层(1),以及依次叠设于所述衬底层(1)上的缓冲层(2)、第一电极(3)、介质层(4)和第二电极(5),所述衬底层(1)为柔性衬底,所述介质层为HfO<base:Sub>2</base:Sub>铁电介质。本发明还提供了一种该铁电电容器结构的制备方法。本发明通过在柔性衬底上生长一层缓冲层,使得表面粗糙度降低,大大减小了器件的漏电流,并且使得铁电薄膜内部电场分布均匀,提高了器件的可靠性。
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钛酸钡铁电薄膜畴结构的调控钛酸钡铁电薄膜畴结构的调控摘要钛酸钡(BaTiO3)是一种具有铁电性能的重要材料,广泛应用于各种电子器件和存储器件中。钛酸钡铁电薄膜的畴结构对其电学性能具有重要影响。本论文综述了钛酸钡铁电薄膜畴结构的调控方法和相关机制,包括掺杂、应变、温度和电场等。通过合理调控钛酸钡铁电薄膜的畴结构,可以实现其电学性能的优化和功能的拓展。1.引言钛酸钡作为一种典型的铁电材料,具有较高的介电常数和压电性能,在电子器件和存储器件中具有广泛的应用前景。钛酸钡铁电薄膜的畴结构对其电学性能有重要影响。随着