电极箔及其制备方法、铝电解电容器.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114999825A(43)申请公布日2022.09.02(21)申请号202210761108.7(22)申请日2022.06.30(71)申请人新疆众和股份有限公司地址830000新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市高新区喀什东路18号(72)发明人陈锁斌游彭飞陈长科李新芳杨辉张国剑冉杰(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限公司44224专利代理师周孝湖(51)Int.Cl.H01G9/052(2006.01)H01G9/045(2006.01)H01G9/00(2006.01)权利要求书1页说明书10页(54)发明名称电极箔及其制备方法、铝电解电容器(57)摘要本发明提供了一种电极箔及其制备方法、铝电解电容器，制备方法包括如下步骤：将含有铝粉或铝合金粉、溶剂和粘结剂的浆料涂覆在基材箔的至少一个表面，烘干，得到烘干箔；将烘干箔依次进行脱脂处理和烧结处理，得到未形成箔；将未形成箔进行去残留处理，去残留处理包括碱液清洗、酸液清洗和热处理中的任意一种或多种的组合；将经去残留处理后的未形成箔进行水煮处理和化成处理。本发明的电极箔制备方法，能够有效地减小电极箔的漏电流大小、缩短水化时间，进而延长电极箔的使用寿命。CN114999825ACN114999825A权利要求书1/1页1.一种电极箔的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将包含铝粉或铝合金粉、溶剂和粘结剂的浆料涂覆在基材箔的至少一个表面，烘干，得到烘干箔；将所述烘干箔依次进行脱脂处理和烧结处理，得到未形成箔；将所述未形成箔进行去残留处理，所述去残留处理包括碱液清洗、酸液清洗和热处理中的任意一种或多种的组合；及将经所述去残留处理后的所述未形成箔进行水煮处理和化成处理。2.根据权利要求1所述的电极箔的制备方法，其特征在于，所述碱液清洗采用的碱液为质量分数0.1％～0.5％的氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸氢钠和碳酸氢钾中的一种或多种；所述碱液清洗的时间不超过30s。3.根据权利要求1所述的电极箔的制备方法，其特征在于，所述酸液清洗采用的酸液为质量分数0.3％～0.8％的硝酸、盐酸和硫酸中的一种或多种；所述酸液清洗的时间不超过30s。4.根据权利要求1所述的电极箔的制备方法，其特征在于，所述热处理的温度为280℃～320℃，热处理时间不超过5min。5.根据权利要求1至4中任一项所述的电极箔的制备方法，其特征在于，所述去残留处理包括对所述未形成箔依次进行碱液清洗、酸液清洗和热处理。6.根据权利要求1所述的电极箔的制备方法，其特征在于，所述浆料中所述铝粉或铝合金粉的重量百分比为30％～70％，所述溶剂的重量百分比为28％～60％，所述粘结剂的重量百分比为2％～10％；和/或所述铝粉或铝合金粉的平均粒径D50为2μm～4μm；和/或所述溶剂选自乙二醇、柠檬酸三丁酯、己二酸二甲酯、二乙二醇二甲基醚、邻苯二甲酸二丁酯、二乙二醇丁醚醋酸酯、二乙二醇丁醚、二乙二醇二丁醚和松油醇中的一种或多种；和/或所述粘结剂选自乙基纤维素、聚碳酸丙烯酯、聚乙烯缩丁醛树脂中的一种或多种。7.根据权利要求1所述的电极箔的制备方法，其特征在于，所述脱脂处理的温度为300℃～400℃，所述脱脂处理的时间为1h～2h；和/或所述烧结处理的温度为560℃～660℃，所述烧结处理的时间为1h～12h。8.根据权利要求1至4或6至7中任一项所述的电极箔的制备方法，其特征在于，所述水煮处理是将所述未形成箔在沸水中煮10min～20min；和/或所述化成处理是将所述未形成箔置于含有80g/L～120g/L硼酸的化成液中，化成至510V～530V，恒压15min～25min；在480℃～520℃空气气氛中放置1min～3min；然后在所述化成液中，在化成电压为510V～530V下恒压8min～12min。9.一种电极箔，其特征在于，所述电极箔通过权利要求1至8中任一项所述的制备方法制备得到。10.一种铝电解电容器，其特征在于，所述铝电解电容器的至少一个电极采用权利要求9所述的电极箔。2CN114999825A说明书1/10页电极箔及其制备方法、铝电解电容器技术领域[0001]本发明涉及电极材料技术领域，特别是涉及一种电极箔及其制备方法、铝电解电容器。背景技术[0002]铝电解电容器是一种广泛应用于电子产品的电子元件，在电路中发挥着滤波、旁路、耦合、计时、调谐、整流和储能等作用。烧结法是铝电解电容器用电极材料的一种新型制备工艺，其是在铝基材上形成单面或双面的铝粉烧结体，烧结的铝粉构成多孔层以获得大的比表面积，从而使电极材料获得高比电容。[0003]烧结法制备电极箔的工艺流程主要包括浆料制备、涂布、干燥、脱脂及烧结、化成。其中，浆料的主要成分为铝粉或铝合金粉、溶剂和粘结剂。通过脱脂及