半导体晶圆的激光刻蚀方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114985948A(43)申请公布日2022.09.02(21)申请号202210681528.4H01L21/268(2006.01)(22)申请日2022.06.15H01L21/306(2006.01)(30)优先权数据63/211,4592021.06.16US17/751,4242022.05.23US(71)申请人成都芯源系统有限公司地址611731四川省成都市成都高新综合保税区科新路8号成都芯源系统有限公司(72)发明人苏达尔桑·乌皮利维平达斯·帕拉卡尔·强森吴喜泉约翰·特雷普(51)Int.Cl.B23K26/362(2014.01)B23K26/402(2014.01)权利要求书2页说明书6页附图5页(54)发明名称半导体晶圆的激光刻蚀方法(57)摘要公开了一种半导体晶圆处理方法，包括：采用激光烧蚀工艺烧蚀半导体晶圆的背面；以及采用刻蚀工艺刻蚀半导体晶圆的背面；其中，所述激光烧蚀工艺在半导体晶圆的背面形成图案；以及所述刻蚀工艺保留了激光烧蚀工艺在半导体晶圆背面烧蚀的图案。本发明公开的半导体晶圆处理方法，在不需要引入掩膜的情况下，可以在半导体晶圆的背面制作出具有不同深度的图案。CN114985948ACN114985948A权利要求书1/2页1.一种半导体晶圆处理方法，包括：采用激光烧蚀工艺烧蚀半导体晶圆的背面；以及采用刻蚀工艺刻蚀半导体晶圆的背面；其中，所述激光烧蚀工艺在半导体晶圆的背面形成图案；以及所述刻蚀工艺保留了激光烧蚀工艺在半导体晶圆背面烧蚀的图案。2.如权利要求1所述的半导体晶圆处理方法，其中所述激光烧蚀工艺先于刻蚀工艺实施。3.如权利要求1所述的半导体晶圆处理方法，其中所述激光烧蚀工艺与刻蚀工艺同步实施。4.如权利要求1所述的半导体晶圆处理方法，其中所述半导体晶圆背面的图案具有单一深度，并且由激光烧蚀工艺以半导体晶圆背面进行单轮并单一功率的激光横扫形成。5.如权利要求1所述的半导体晶圆处理方法，其中所述半导体晶圆背面的图案具有多个深度，并且由激光烧蚀工艺至少采用以下方法之一形成：(1)多轮激光烧蚀；(2)不同烧蚀功率的激光烧蚀。6.如权利要求1所述的半导体晶圆处理方法，其中：所述刻蚀工艺包括应用于半导体晶圆背面的整体单向异性刻蚀；以及所述刻蚀工艺保留半导体晶圆背面的图案的同时整体减薄半导体晶圆的厚度。7.如权利要求1所述的半导体晶圆处理方法，其中：所述刻蚀工艺包括对半导体晶圆背面的整体刻蚀，并且至少部分是单向同性刻蚀；以及所述刻蚀工艺保留半导体晶圆背面的图案的同时整体减薄半导体晶圆的厚度。8.如权利要求1所述的半导体晶圆处理方法，其中，所述刻蚀工艺包括反应离子刻蚀工艺。9.如权利要求1所述的半导体晶圆处理方法，其中，所述图案由半导体晶圆背面的烧蚀部分和非烧蚀部分组成；以及所述非烧蚀部分至少位于以下区域之一的背面：(1)半导体晶圆的划片区；以及(2)半导体晶圆的键合线焊点。10.如权利要求1所述的半导体晶圆处理方法，其中，所述图案由半导体晶圆背面的烧蚀部分和非烧蚀部分组成；以及所述非烧蚀部分至少位于以下区域之一的背面：(1)半导体晶圆的划片区；以及(2)半导体晶圆的焊盘区。11.如权利要求1所述的半导体晶圆处理方法，其中，所述图案至少包括具有20微米深度的烧蚀区域。12.如权利要求1所述的半导体晶圆处理方法，进一步包括：在激光烧蚀工艺前研磨减薄半导体晶圆的背面。13.如权利要求1所述的半导体晶圆处理方法，其中，所述激光烧蚀工艺是区域性且选择性的，所述半导体晶圆处理方法进一步包括，在区域性且选择性的激光烧蚀工艺前，采用整体激光烧蚀工艺减薄半导体晶圆的背面。14.如权利要求1所述的半导体晶圆处理方法，其中：2CN114985948A权利要求书2/2页在激光烧蚀工艺实施前，所述半导体晶圆的平均厚度小于300微米。15.如权利要求1所述的半导体晶圆处理方法，其中：在激光烧蚀工艺实施前，所述半导体晶圆的正面包括有源器件。16.如权利要求15所述的半导体晶圆处理方法，其中：所述半导体晶圆的材料为下列之一：(1)碳化硅；(2)氮化镓；以及(3)砷化镓。17.如权利要求15所述的半导体晶圆处理方法，其中所述有源器件包括功率器件。18.如权利要求1所述的半导体晶圆处理方法，进一步包括：在激光烧蚀工艺实施之前，采用对准工艺将半导体晶圆和激光器对准，其中所述激光器可用地激光烧蚀工艺。3CN114985948A说明书1/6页半导体晶圆的激光刻蚀方法技术领域[0001]本发明的实施例涉及半导体芯片制造，更具体地说，尤其涉及半导体晶圆的图形化工艺。背景技术[0002]半导体器件一般制作于半导体衬底上。因而半导体衬底的厚度与半导体器件的导通电阻相关，尤其是对于垂直