一种远程等离子体源发生装置.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115346852A(43)申请公布日2022.11.15(21)申请号202210968057.5(22)申请日2022.08.12(71)申请人中核四0四有限公司地址730050甘肃省兰州市七里河区甘肃矿区中核四0四有限公司(72)发明人付天佐钟轶强孟树文李天福邹晓禹周利华王悦王江(74)专利代理机构北京金智普华知识产权代理有限公司11401专利代理师张晓博(51)Int.Cl.H01J37/32(2006.01)H01L21/67(2006.01)C23C16/44(2006.01)C23C16/50(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图4页(54)发明名称一种远程等离子体源发生装置(57)摘要本发明涉及等离子体处理技术领域，且公开了一种远程等离子体源发生装置，包括连接法兰，连接法兰用于与薄膜沉积腔体连接。该远程等离子体源发生装置，通过外部抽真空装置对薄膜沉积腔体进行抽真空，避免该等离子体源发生装置内部存留其余气体而造成等离子体发生污染，再通过进气组件精准控制流入直管段内的气源，并通过放电组件对气体进行电感耦合放电式或者电容耦合放电式，从而使得气源发生等离子体启辉并与薄膜沉积腔体内的半导体或者集成电路基体表面发生薄膜沉积，同时通过弯管段对输入直管段内的气体进行过渡，避免直管段内的等离子体与金属连接件直接轰击而造成等离子体发生污染，达到简单方便多级防污染及精准控制薄膜沉积效果。CN115346852ACN115346852A权利要求书1/1页1.一种远程等离子体源发生装置，包括连接法兰(1)，连接法兰(1)用于与薄膜沉积腔体连接，其特征在于：还包括直管段(2)，连接法兰(1)的进气端连通有直管段(2)，直管段(2)的外壁设置有用于激发直管段(2)内部气体发生等离子体启辉的放电组件(3)，直管段(2)远离连接法兰(1)的一端设置有弯管段(4)，直管段(2)与弯管段(4)为一体制件，弯管段(4)的进气端设置有金属转接件(5)，金属转接件(5)的进气端设置有进气组件(6)，进气组件(6)用于控制流入弯管段(4)的气流量，薄膜沉积腔体的排气端与外部抽真空装置连接。2.根据权利要求1所述的一种远程等离子体源发生装置，其特征在于：放电组件(3)包括第一壳体(31)、线圈(32)和第一接线端子(33)，第一壳体(31)设置于直管段(2)的外壁，直管段(2)的外壁且位于壳体(31)的内侧缠绕有线圈(32)，壳体(31)上设置有与线圈(32)电连接的第一接线端子(33)，第一接线端子(33)用于对线圈(32)通入交变电流并激发直管段(2)内部气体发生等离子体启辉。3.根据权利要求1所述的一种远程等离子体源发生装置，其特征在于：放电组件(3)包括第二壳体(34)、电极片(35)和第二接线端子(36)，第二壳体(34)设置于直管段(2)的外壁，直管段(2)的柱面相对侧且位于第二壳体(34)的内侧设置有两个电极片(35)，壳体(31)上设置有与两个电极片(35)分别电连接的第二接线端子(36)，第二接线端子(36)用于对两个电极片(35)通入交变电压并激发直管段(2)内部气体发生等离子体启辉。4.根据权利要求1所述的一种远程等离子体源发生装置，其特征在于：进气组件(6)包括四通管(61)、流量计(62)和阀门(63)，四通管(61)的排气端与金属转接件(5)的进气端连通，四通管(61)的三个进气端上均设置有流量计(62)和阀门(63)，四通管(61)的三个进气端分别用于通入氩气、氮气和氨气。5.根据权利要求1‑4任意一项所述的一种远程等离子体源发生装置的使用方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、将待加工的半导体或者集成电路放入薄膜沉积腔体内，并通过外部抽真空装置对薄膜沉积腔体及直管段(2)和弯管段(4)内进行抽真空；S2、打开进气组件(6)上的阀门(63)并配合流量计(62)控制四通管(61)的三个进气端分别流入金属转接件(5)内的氩气、氮气和氨气的气流量，同时通过接通放电组件(3)上的电源，观察直管段(2)内的气体是否发生等离子体启辉现象，若未发生，则通过调整放电组件(3)上第一接线端子(33)的输入电流值或第二接线端子(36)上的输出电压值，直至直管段(2)内的气体正常启辉；S3、待半导体或者集成电路表面薄膜沉积完成，断开放电组件(3)上的电源并关闭进气组件(6)上的阀门(63)，取出半导体或者集成电路，待下一工件循环加工。2CN115346852A说明书1/4页一种远程等离子体源发生装置技术领域[0001]本发明涉及等离子体处理技术领域，具体为一种远程等离子体源发生装置。背景技术[0002]在半导体或者集成电路加工中，为了保证产品质量的合格率，需要严格控制腔体的反应气氛