一种太阳电池及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115498050A(43)申请公布日2022.12.20(21)申请号202211166084.7(22)申请日2022.09.23(71)申请人通威太阳能(成都)有限公司地址610000四川省成都市双流区西南航空港经济开发区工业集中发展区六期内(72)发明人薛建锋廖劼苏世杰(74)专利代理机构北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)11463专利代理师李雪娇(51)Int.Cl.H01L31/0224(2006.01)H01L31/068(2012.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书1页说明书11页附图3页(54)发明名称一种太阳电池及其制备方法(57)摘要本申请提供一种太阳电池及其制备方法，属于太阳电池技术领域。一种太阳电池的制备方法其包括在电池半成品的正面和背面的铜种子层表面均沉积形成混合层，混合层为铜和氧化铜的混合物，在电镀前去除部分区域混合层中的氧化铜，电镀形成铜栅线。通过在种子层表面沉积形成混合层，并在电镀前去除部分区域混合层中的氧化铜，使得铜种子层的表面留下镂空铜膜，然后通过电镀填充空隙，并逐渐生长为铜栅线，使得整个铜栅线和铜种子层达到较好的结合，以实现接触电阻低。同时，在铜种子层表面形成含有氧化铜的混合层，能够减少或避免在储存过程中铜种子层发生的氧化，使得形成的铜栅线形貌整齐且毛刺较少。氧化铜的存在还可以延长黄膜片的储存时间。CN115498050ACN115498050A权利要求书1/1页1.一种太阳电池的制备方法，其特征在于，所述太阳电池的制备方法包括：在电池半成品的正面和背面的铜种子层表面均沉积形成混合层，所述混合层为铜和氧化铜的混合物，在电镀前去除部分区域所述混合层中的氧化铜，电镀形成铜栅线；所述混合层中氧化铜的质量占比为30wt％～80wt％；所述电池半成品从背面到正面沿厚度方向依次为铜种子层、导电层、P型掺杂层、本征非晶硅层、硅层、本征非晶硅层、N型掺杂层、导电层和铜种子层。2.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述去除部分区域所述混合层中的氧化铜的方法包括：采用弱酸溶液清洗露出的所述混合层，以使氧化铜溶解；可选地，所述弱酸溶液包括盐酸溶液、硫酸溶液、醋酸溶液和草酸溶液中的任意一种或多种。3.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述在电池半成品的正面和背面的铜种子层表面均沉积形成混合层的过程在无氧环境下进行。4.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，在形成所述混合层后，在正面的所述混合层的顶面和背面的所述混合层的底面设置感光胶，并通过激光打印和显影后，预设图形区域的所述混合层露出，再去除露出的所述混合层中的氧化铜。5.根据权利要求4所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述激光打印的方法包括：将预设栅线图形通过激光打印至所述感光胶上，使所述感光胶被激光打印的部分变性。6.根据权利要求4所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述显影的方法包括：采用显影液将经所述激光打印变性的部分所述感光胶溶解去除。7.根据权利要求4所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，在设置所述感光胶前，先在所述混合层的侧面设置包边胶进行包覆；可选地，所述包边胶的宽度≤50μm，所述包边胶的厚度为10μm～15μm。8.根据权利要求4所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述电镀包括先在硫酸铜溶液中进行第一次电镀形成铜栅线，再在甲基磺酸锡溶液中进行第二次电镀形成锡栅线；可选地，形成的铜栅线的高度为8μm～10μm；可选地，形成的锡栅线的高度为2μm～4μm。9.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，完成所述电镀后进行光注入处理；可选地，所述光注入处理的温度为200℃～220℃；可选地，所述光注入处理的时间为60s～120s。10.一种太阳电池，其特征在于，所述太阳电池根据权利要求1～9任一项所述的太阳电池的制备方法制得。2CN115498050A说明书1/11页一种太阳电池及其制备方法技术领域[0001]本申请涉及太阳电池技术领域，具体而言，涉及一种太阳电池及其制备方法。背景技术[0002]现有铜电镀异质结电池的制备方法包括以下步骤：先对N型单晶硅片进行制绒清洗处理，然后在硅片正面沉积本征非晶硅和N型非晶硅薄膜，并在硅片背面沉积本征非晶硅和P型非晶硅薄膜，再在非晶硅上镀透明导电薄膜，即TCO导电层，继续在透明导电薄膜上镀铜种子层，完成种子层沉积的半成品称之为黄膜片，利用铜种子层导电效果好的优点在电镀液中生长铜栅线，最后在铜栅线上镀一层金属锡层来保护铜栅线。[0003]但是，在电镀液中生长出的铜栅线形貌不整齐，且表面存在毛刺等问题，且铜栅线和铜种子层的结合力较差，导致铜栅线的拉力测试不合格