用于制造具有改进性能的声学装置的方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115549623A(43)申请公布日2022.12.30(21)申请号202210745999.7(22)申请日2022.06.28(30)优先权数据17/361,6982021.06.29US(71)申请人QORVO美国公司地址美国北卡罗来纳(72)发明人B·Q·迪埃普D·德尼兹M·L·瓦西里克J·贝尔西克(74)专利代理机构中国贸促会专利商标事务所有限公司11038专利代理师刘倜(51)Int.Cl.H03H3/02(2006.01)H03H3/08(2006.01)H03H9/02(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图14页(54)发明名称用于制造具有改进性能的声学装置的方法(57)摘要本公开涉及用于制造具有改进性能的声学装置的方法。一种用于制造声学装置的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上方提供底部电极；在所述底部电极上提供牺牲层；对所述底部电极和所述牺牲层进行图案化；对所述牺牲层进行抛光，使得所述牺牲层的一部分保留在所述底部电极上；以及经由清洁工艺去除所述牺牲层的保留部分，使得保持所述底部电极的表面粗糙度。通过进行所述抛光，使得所述牺牲层的一部分保留在所述底部电极上并且随后经由保持所述底部电极的所述表面粗糙度的清洁工艺去除所述牺牲层的所述部分，能够显著改善所述底部电极上的压电层的后续生长。CN115549623ACN115549623A权利要求书1/2页1.一种用于制造声学装置的方法，包括：·提供衬底；·在所述衬底上方提供底部电极；·在所述底部电极上提供牺牲层；·对所述底部电极和所述牺牲层进行图案化；·对所述牺牲层进行抛光，使得所述牺牲层的一部分保留在所述底部电极上；以及·经由清洁工艺去除所述牺牲层的保留部分，使得保持所述底部电极的表面粗糙度。2.如权利要求1所述的方法，还包括：·在所述底部电极上提供种子层；以及·在所述种子层上提供压电层。3.如权利要求2所述的方法，其中：·所述种子层经由离轴沉积工艺沉积，其中沉积颗粒以相对于所述底部电极的表面平面的预定角度撞击所述底部电极；以及·所述压电层经由法向轴线沉积工艺沉积，其中沉积颗粒以相对于所述种子层的表面平面的法线角度撞击所述种子层。4.如权利要求2所述的方法，还包括在所述压电层上提供顶部电极。5.如权利要求2所述的方法，其中：·所述牺牲层包含氮化铝；·所述底部电极包括铝铜层和所述铝铜层上的钨层；并且·所述种子层和所述压电层包含氮化铝。6.如权利要求2所述的方法，还包括在所述衬底与所述底部电极之间提供反射器结构。7.如权利要求6所述的方法，其中所述反射器结构包括交替的氮化铝层、二氧化硅层和钨层。8.如权利要求2所述的方法，其中在所述清洁工艺之后，所述底部电极的所述表面粗糙度介于0.5nmRa与2nmRa之间。9.如权利要求2所述的方法，其中所述牺牲层被提供为具有介于与之间的厚度。10.如权利要求2所述的方法，其中所述压电层的c轴线倾斜介于8°与35°之间。11.如权利要求1所述的方法，其中在所述清洁工艺之后，所述底部电极的所述表面粗糙度介于0.5nmRa与2nmRa之间。12.如权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层被提供为具有介于与之间的厚度。13.如权利要求1所述的方法，还包括在对所述底部电极和所述牺牲层进行图案化之前，在所述牺牲层上提供覆盖层。14.如权利要求1所述的方法，还包括在对所述底部电极和所述牺牲层进行抛光之前在所述底部电极和所述牺牲层的暴露部分上提供平坦化氧化物。15.一种声学装置，包括：·衬底；2CN115549623A权利要求书2/2页·底部电极，所述底部电极包括具有介于0.3nmRa与2nmRa之间的粗糙度的顶表面；·种子层，所述种子层在所述底部电极的所述顶表面上；·压电层，所述压电层在所述种子层上；以及·顶部电极，所述顶部电极在所述压电层上。16.如权利要求15所述的声学装置，还包括在所述衬底与所述底部电极之间的反射器结构。17.如权利要求16所述的声学装置，其中所述压电层的c轴线倾斜介于8°与35°之间。18.如权利要求17所述的声学装置，其中：·所述底部电极包括铝铜层和所述铝铜层上的钨层；·所述种子层和所述压电层包含氮化铝。3CN115549623A说明书1/5页用于制造具有改进性能的声学装置的方法技术领域[0001]本公开涉及声学装置，并且具体地说，涉及具有改进性能的声学装置及其制造方法。背景技术[0002]声学装置包括与一个或多个电极电接触的压电层。声学装置的性能在很大程度上取决于压电层的特性。这些特性可以包括压电层的结晶结构的取向。沉积具有特定结晶取向的压电层会带来巨大的技术挑战。使用常规工艺，通常难以提供具有期望结晶取向的压电层。因此，需要具有精确限定结晶取向的压电