MEMS器件的形成方法及MEMS器件.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115650152A(43)申请公布日2023.01.31(21)申请号202211336610.X(22)申请日2022.10.28(71)申请人绍兴中芯集成电路制造股份有限公司地址312035浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号(72)发明人王俊力谢红梅周健(74)专利代理机构苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙)32502专利代理师朱磊李洋(51)Int.Cl.B81C1/00(2006.01)B81B7/00(2006.01)B81B7/02(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图6页(54)发明名称MEMS器件的形成方法及MEMS器件(57)摘要本发明涉及一种MEMS器件的形成方法和MEMS器件。所述方法包括：在衬底上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成功能层和与所述功能层电连接的导电连接层；形成贯穿所述导电连接层的导通槽；形成保护层，所述保护层至少覆盖经由所述导通槽暴露出的所述导电连接层的侧壁；形成暴露出所述牺牲层的释放槽，所述释放槽在所述衬底平面上的垂直投影落入所述导通槽在所述衬底平面上的垂直投影内，以使所述导通槽的侧壁保留有部分厚度的所述保护层；经由所述释放槽去除所述牺牲层。本发明所提供的MEMS器件的形成方法和MEMS器件，使空气桥的结构更坚固，性能更稳定。CN115650152ACN115650152A权利要求书1/2页1.一种MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成功能层和与所述功能层电连接的导电连接层；形成贯穿所述导电连接层的导通槽；形成保护层，所述保护层至少覆盖经由所述导通槽暴露出的所述导电连接层的侧壁；形成暴露出所述牺牲层的释放槽，所述释放槽在所述衬底平面上的垂直投影落入所述导通槽在所述衬底平面上的垂直投影内，以使所述导通槽的侧壁保留有部分厚度的所述保护层；经由所述释放槽去除所述牺牲层。2.根据权利要求1所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述在所述牺牲层上形成功能层和与所述功能层电连接的导电连接层，包括：在所述牺牲层的预设区域上形成功能层，所述功能层为光线感测层；在所述牺牲层上的第一位置形成贯穿所述牺牲层并暴露出布线层的第一部分的第一沟槽，以及在所述牺牲层上的第二位置形成贯穿所述牺牲层并暴露出所述布线层的第二部分的第二沟槽；其中，所述布线层位于所述衬底与所述牺牲层之间；形成与所述功能层电连接的所述导电连接层，所述导电连接层包括分离设置的第一导电连接结构和第二导电连接结构，所述第一导电连接结构经所述第一沟槽将所述光线感测层的一侧导电连接至所述布线层；所述第二导电连接结构经所述第二沟槽将所述光线感测层的另一侧导电连接至所述布线层；所述形成贯穿所述导电连接层的导通槽，包括：在所述第一导电连接结构的位于所述第一沟槽和所述光线感测层之间的区域形成所述导通槽，和/或，在所述第二导电连接结构的位于所述第二沟槽和所述光线感测层之间的区域形成所述导通槽。3.根据权利要求1所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述形成暴露出所述牺牲层的释放槽，包括：形成暴露出所述牺牲层的多个释放槽；其中，所述MEMS器件包括在第二方向上彼此相对的第一侧壁和第二侧壁，多个所述释放槽中的一部分释放槽从所述第一侧壁开始沿朝向所述第二侧壁的方向延伸并且未延伸至所述第二侧壁，另一部分释放槽从所述第二侧壁开始沿朝向所述第一侧壁的方向延伸并且未延伸至所述第一侧壁；所述一部分释放槽和所述另一部分释放槽在第一方向上分别位于不同的位置处；所述第一方向、所述第二方向、所述衬底的厚度方向两两垂直。4.根据权利要求2所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述光线感测层包括有热敏材料层。5.根据权利要求4所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述热敏材料层包括从上至下依次设置的热敏薄膜、介质膜和红外吸收膜。6.根据权利要求1至4中任意一项所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料包括二氧化硅。7.一种MEMS器件，其特征在于，包括：衬底；2CN115650152A权利要求书2/2页功能层，形成于所述衬底上方，且所述功能层与所述衬底之间具有空腔；导电连接层，所述导电连接层与所述功能层电连接，且所述导电连接层中形成有导通槽；保护层，形成在所述导电连接层上以及所述导通槽中；释放槽，贯穿所述导通槽中的保护层且与所述空腔连通，且所述导通槽的侧壁保留有部分厚度的所述保护层。8.根据权利要求7所述的MEMS器件，其特征在于，所述功能层为光线感测层；导电连接层包括第一导电连接结构和第二导电连接结构，分别位于所述光线感测层的两侧；布线层，位于所述衬底上，所述第一导电连接结构和所述第二导电连接结构分别将光线感测层的两侧与所述布线层