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MEMS器件及其制备方法.pdf
2023-05-24
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景福****90
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本发明公开了MEMS器件及其制备方法,属于传感器技术领域,包括:支撑结构、位于支撑结构上的器件结构和位于器件结构上的盖顶结构;支撑结构、器件结构和盖顶结构形成一体式结构;一体式结构中包括至少两个腔体;至少一个腔体包括气孔,腔体通过气孔与外界连通;气孔包括相互连通的第一开孔和第二开孔,第一开孔的孔径等于或者大于第二开孔的孔径,本发明通过至少两个开孔实现了不同真空度腔体。本发明MEMS器件的制备方法,一个腔体真空度为初始真空度;另一个腔体的真空度为将该腔体开孔后,再进行重密封开孔后环境的真空度,使MEMS器件
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本发明提供了一种MEMS器件及其制备方法，在基底的正面形成振动膜，在所述振动膜与所述基底之间形成支撑部，所述振动膜相对于所述支撑部在所述振动膜上的投影中心对称，在所述基底的背面形成背腔，所述背腔暴露出所述振动膜且背向所述间隙，并保留所述背腔中与所述支撑部具有正对面积的基底作为所述支撑部的支撑基底，所述振动膜在振动时，在所述振动膜的边缘与中心之间的中间位置发生振动，与现有技术相比，增大了有效振动区域，由此提高了MEMS器件的灵敏度及信噪比，同时减小了振动的幅度，降低了灵敏度及信噪比的波动范围；同时减小了在机
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本发明提供了一种MEMS器件及其制备方法，在第一基底上形成MEMS结构与第一键合垫，在第二基板上形成第二键合垫与侧墙，所述侧墙包围所述第二键合垫且所述侧墙与被包围的所述第二键合垫之间具有间隙，将所述第一基底上的第一键合垫压接至所述第二基板上的第二键合垫进行键合，所述侧墙在所述第二基底上的投影包围所述第一键合垫在所述第二基底上的投影，在键合过程中所述侧墙能够阻挡所述第一键合垫的溢出，并且由于所述侧墙形成在所述第二基底上，能够避免形成侧墙的过程中对MEMS造成的损伤，并且由于在所述第一键合垫上不会有侧墙残留，
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本发明提供了一种MEMS器件及其制备方法，在第一基底上形成MEMS结构与第一键合垫，在第二基板上形成第二键合垫与侧墙，所述侧墙位于所述第二键合垫之上，所述侧墙位于所述第二键合垫的边缘且所述侧墙呈闭合形状，将所述第一基底上的第一键合垫压接至所述第二基板上的第二键合垫进行键合，所述侧墙包围所述第一键合垫，在键合过程中所述侧墙能够阻挡所述第一键合垫的溢出，并且由于所述侧墙形成在所述第二基底上，能够避免形成侧墙的过程中对MEMS造成的损伤，并且由于在所述第一键合垫上不会有侧墙残留，在一定程度上提高了键合效率。
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本发明提供了一种MEMS器件及其制备方法，在基底的正面形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层上形成振动膜及极板，在所述基底的背面形成背腔，所述背腔暴露出所述振动膜且背向所述间隙，并且保留部分所述第一绝缘层作为所述振动膜的支撑部，所述振动膜相对于所述支撑部在所述振动膜上的投影中心对称，并保留所述背腔中与所述支撑部具有正对面积的基底作为所述支撑部的支撑基底，所述振动膜在振动时，在所述振动膜的边缘与中心之间的中间位置发生振动，增大了有效振动区域，由此提高了MEMS器件的灵敏度及信噪比，同时减小了振动的幅度，降低了灵敏
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