一种旋转蒸镀与磁控溅射复合型制靶装置.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115725939A(43)申请公布日2023.03.03(21)申请号202211383530.X(22)申请日2022.11.07(71)申请人中国原子能科学研究院地址102413北京市房山区新镇三强路1号院(72)发明人李云居(74)专利代理机构北京天悦专利代理事务所(普通合伙)11311专利代理师田明任晓航(51)Int.Cl.C23C14/24(2006.01)C23C14/35(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图3页(54)发明名称一种旋转蒸镀与磁控溅射复合型制靶装置(57)摘要本发明涉及一种旋转蒸镀与磁控溅射复合型制靶装置，所述装置包括真空靶室、旋转靶盘、磁控溅射源、蒸镀坩埚以及蒸镀电极，在真空靶室中，蒸镀坩埚与旋转靶盘间隔一定距离，蒸镀坩埚设置于蒸镀电极之间，蒸镀电极与真空靶室绝缘密封，穿过真空靶室与真空靶室外的蒸镀电源相连，磁控溅射源设置于旋转靶盘另一侧，磁控溅射源与真空靶室绝缘密封，穿过真空靶室与真空靶室外的溅射电源相连，真空靶室预留氩气充气孔以向真空靶室充入高纯氩气进行保护，在真空靶室盖板上设置手套箱，以在制靶完成后在氩气氛围中对反应靶进行封装。采用本发明中公开的装置，集成蒸镀和磁控溅射技术,将反应靶中氧杂质含量尽可能降至最低，为高精度实验测量奠定可靠基础。CN115725939ACN115725939A权利要求书1/2页1.一种旋转蒸镀与磁控溅射复合型制靶装置，其特征在于：所述装置包括真空靶室、旋转靶盘、磁控溅射源、蒸镀坩埚以及蒸镀电极，所述旋转靶盘、所述磁控溅射源、所述蒸镀坩埚以及所述蒸镀电极均设置于所述真空靶室中，所述蒸镀坩埚与所述旋转靶盘间隔一定距离，所述蒸镀坩埚设置于所述蒸镀电极之间，所述蒸镀电极与所述真空靶室绝缘密封，穿过所述真空靶室与所述真空靶室外的蒸镀电源相连，给所述蒸镀电极供电加热所述蒸镀电极间的蒸镀坩埚以进行蒸镀制靶，所述磁控溅射源设置于所述旋转靶盘一侧，所述磁控溅射源与所述真空靶室绝缘密封，穿过所述真空靶室与所述真空靶室外的溅射电源相连，所述真空靶室预留氩气充气孔以向所述真空靶室充入高纯氩气进行保护，在真空靶室盖板上设置手套箱，以在制靶完成后在氩气氛围中对反应靶进行封装。2.如权利要求1所述的一种旋转蒸镀与磁控溅射复合型制靶装置，其特征在于：所述装置还包括步进电机、磁流体密封部件、旋转轴、靶架、磁控溅射源盖板，所述步进电机设置于所述真空靶室外侧，所述旋转轴、所述靶架、所述磁控溅射源盖板均设置于所述真空靶室内侧，所述旋转靶盘设置于所述靶架上，所述旋转轴的两端分别连接所述步进电机与所述靶架，所述步进电机与所述真空靶室之间通过所述磁流体密封部件进行旋转密封。3.如权利要求2所述的一种旋转蒸镀与磁控溅射复合型制靶装置，其特征在于：所述步进电机带动所述旋转轴以控制所述靶架的位置并进行旋转。4.如权利要求2所述的一种旋转蒸镀与磁控溅射复合型制靶装置，其特征在于：进行蒸镀制靶时控制所述磁控溅射源盖板封上所述磁控溅射源。5.如权利要求4所述的一种旋转蒸镀与磁控溅射复合型制靶装置，其特征在于：所述装置还包括分子泵、插板阀、真空计探头、膜厚仪、手套阀、控制板、溅射流气单元、膜厚仪表头、工控箱、真空计表头、蒸镀电源以及配电箱，所述真空计探头以及所述膜厚仪均设置于所述真空靶室中，所述控制板、所述溅射流气单元、所述膜厚仪表头、所述工控箱、所述真空计表头以及所述配电箱均设置于所述真空靶室外，所述分子泵与所述真空靶室相连，用于对所述真空靶室抽真空；在所述分子泵与所述真空靶室之间设置插板阀，所述插板阀用于开关分子泵或控制所述分子泵的抽气速度；在所述手套箱上设置手套阀，所述手套阀位于所述真空靶室外侧。6.如权利要求5所述的一种旋转蒸镀与磁控溅射复合型制靶装置，其特征在于：在所述装置上设置至少两个真空计探头，所述真空计探头用于监测低真空与高真空信号，所述真空计表头设置于所述真空靶室外部，用于实时显示所述真空计探头监测的真空度。7.如权利要求6所述的一种旋转蒸镀与磁控溅射复合型制靶装置，其特征在于：所述真空计探头设置于所述真空靶室内部或者所述分子泵所在管路中。8.如权利要求7所述的一种旋转蒸镀与磁控溅射复合型制靶装置，其特征在于：在所述旋转靶盘上设置膜厚仪探头，所述膜厚仪探头用于监测镀层厚度，所述膜厚仪表头设置于所述真空靶室外侧，用于实时显示所述膜厚仪探头监测的镀层厚度。9.如权利要求8所述的一种旋转蒸镀与磁控溅射复合型制靶装置，其特征在于：所述控制板用于控制所述蒸镀电源、所述溅射电源、所述溅射流气单元、所述插板阀的所有电控操作单元，所述溅射流气单元包括磁控溅射流量计，所述磁控溅射流量计用于控制溅射时氩气的充气速度进而控制溅射时的气压。10.如权利