一种半导体装置及半导体加工工艺方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115763352A(43)申请公布日2023.03.07(21)申请号202211420787.8(22)申请日2022.11.11(71)申请人拓荆科技股份有限公司地址110179辽宁省沈阳市浑南区水家900号(72)发明人阮大鹏高级柳雪魏佳楠(74)专利代理机构北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)11463专利代理师荣颖佳(51)Int.Cl.H01L21/683(2006.01)H01L21/67(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图3页(54)发明名称一种半导体装置及半导体加工工艺方法(57)摘要本发明提供了一种半导体装置及半导体加工工艺方法，涉及半导体加工技术领域，所述半导体装置包括：反应腔室；加热盘，设于所述反应腔室内；所述加热盘上开设有吸附孔；前级管道，顶端与所述反应腔室连通，底端与真空泵连接；真空吸附管路，包括第一至第三连接管路；所述第一至第三连接管路分别连通所述加热盘、所述前级管道的顶端和底端。这样，通过对所述第一至第三阀门的逻辑控制，使所述第一至第三阀门在时序控制下转动，以切换所述第一至第三连接管路导通或阻断状态，从而将真空吸附管路中的残留气体完全排空，提升真空吸附效果、降低晶圆吸附不牢靠而掉落的现象、减少产品错误率和能源浪费。CN115763352ACN115763352A权利要求书1/2页1.一种半导体装置，其特征在于，包括：反应腔室；加热盘，设于所述反应腔室内；所述加热盘上开设有吸附孔；前级管道，顶端与所述反应腔室连通，底端与真空泵连接；真空吸附管路，包括第一至第三连接管路；所述第一至第三连接管路分别连通所述加热盘、所述前级管道的顶端和底端；第一连接管路有两个，两个所述第一连接管路相对于所述第三连接管路对称设置；第一至第三阀门，依次设于所述第一至第三连接管路上；其中，所述第一至第三阀门接收控制指令开启或关闭，以实现所述第一至第三连接管路的导通或阻断。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括：主控装置，与所述第一至第三阀门连接，用于控制所述第一至第三阀门转动，导通或阻断所述第一至第三连接管路。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括：过滤器，与所述真空吸附管路连通。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括：喷淋板，设于所述反应腔室内所述加热盘的上方。5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括：伸缩机构，设于所述反应腔室内所述加热盘的底部，所述伸缩机构与所述主控装置连接。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一至第三阀门均为气动阀。7.一种半导体加工工艺方法，其特征在于，所述方法应用于半导体装置中的主控装置，所述半导体装置包括：反应腔室、加热盘、前级管道、真空吸附管路、第一至第三阀门以及主控装置，所述反应腔室内设置有加热盘和喷淋板，所述真空吸附管路包括与所述加热盘、所述前级管道的顶端和底端连通的第一至第三管路，在所述第一至第三连接管路上一次设有第一至第三阀门，所述第一至第三阀门和所述喷淋板分别与所述主控装置连接，所述方法包括：向第一阀门和第二阀门发送第一控制指令，以使所述第一阀门和所述第二阀门转动，导通第一连接管路和第二连接管路；向所述第一阀门和第三阀门发送第二控制指令，以使所述第一阀门和所述第三阀门转动，导通所述第一连接管路和第三连接管路；向所述喷淋板发送第三控制指令，以使所述喷淋板向所述反应腔室内通入工艺气体至所述反应腔室内气压达到预设阈值。8.根据权利要求7所述的半导体加工工艺方法，其特征在于，所述向第一阀门和第二阀门发送第一控制指令，以使所述第一阀门和所述第二阀门转动，导通第一连接管路和第二连接管路的步骤，包括：所述第一阀门和所述第二阀门同时转动。9.根据权利要求7所述的半导体加工工艺方法，应用于半导体装置中的主控装置，所述半导体装置中加热盘的底端连接有伸缩机构，所述伸缩机构与所述主控装置连接，其特征2CN115763352A权利要求书2/2页在于，所述向第一阀门和第二阀门发送第一控制指令，以使所述第一阀门和所述第二阀门转动，导通第一连接管路和第二连接管路的步骤之前，还包括：向所述伸缩机构发送第四控制指令，以使所述伸缩机构伸展，带动所述加热盘靠近晶圆并对晶圆进行预加热。10.根据权利要求9所述的半导体加工工艺方法，其特征在于，所述向所述第一阀门和第三阀门发送第二控制指令，以使所述第一阀门和所述第三阀门转动，导通所述第一连接管路和第三连接管路的步骤，包括：向所述第三阀门发送第二控制指令，以使所述第三阀门转动导通所述第三连接管路t2时长之后，使所述第一阀门转动导通所述第一连接管路t3时长；向所述伸缩