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光刻设备和制造器件的方法.pdf
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光刻设备和器件制造方法.pdf
描述了一种表征多个衬底的形变的方法。该方法包括以下步骤：‑针对多个n个不同对准测量参数λ并且针对多个衬底测量对准标记的位置；‑将位置偏差确定为n个对准标记位置测量值与标称对准标记位置之间的差值；‑将位置偏差分组成数据集；‑确定平均数据集；‑从数据集中减去平均数据集以获取多个可变数据集；‑对可变数据集执行盲源分离方法，由此将可变数据集分解为表示可变数据集的主成分的特征晶片集合；‑将特征晶片集合细分成标记形变特征晶片集合和衬底形变特征晶片集合。
2023-06-28
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光刻设备、光刻投影设备和器件制造方法.pdf
本发明涉及一种光刻设备，包括：‑基部框架(10)，适于将所述光刻设备(1)安装在支撑表面(9)上；‑投影系统(20)，所述投影系统包括：‑力框架(30)，‑光学元件(21)，所述光学元件能够相对于所述力框架移动，‑传感器框架(40)，所述传感器框架与所述力框架分开，‑至少一个传感器，适于监测所述光学元件，包括安装到所述传感器框架上的至少一个传感器元件(25)，‑力框架支撑件(31)，适于支撑在所述基部框架上的力框架，‑中间框架(45)，所述中间框架与所述力框架分开，‑传感器框架联接器(41)，适于将所述传
2023-05-28
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光刻设备和制造器件的方法.pdf
使用EUV辐射的光刻设备具有被配置用于提供科勒照射的照射器。照射器包括具有多个可独立导向的反射器的场反射镜(422)和具有多个光瞳琢面(4241‑1至4241‑M)的光瞳反射镜(424)，其中可独立导向的反射器被分成多组相邻的可独立导向的反射器、以形成虚拟场琢面(50)，光瞳琢面投影虚拟场琢面的像、以填充照射场(IS)。可独立导向的反射器被控制在非激活状态和至少一个激活状态之间，以便控制传送至衬底的剂量。
2023-11-02
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流体处理结构、光刻设备和器件制造方法.pdf
本发明公开了一种流体处理结构、光刻设备以及器件制造方法。所述流体处理结构具有用作根据气体拖曳原理操作的弯液面钉扎系统的多个开口和位于弯液面钉扎系统外面的气刀，以破碎遗留下的任何液体薄膜。气刀和弯液面钉扎系统之间的间隔是从1mm至5mm的范围中选出的。期望地，其中设置有气刀和弯液面钉扎系统的阻挡构件的下侧在气刀和弯液面钉扎系统之间是连续的，例如没有开口。
2023-11-26
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一种用于光刻装置的支撑装置(60)，具有物体保持件(61)和在物体保持件径向外侧的提取主体(65)。物体保持件被配置为支撑物体(W)。提取主体包括被配置为从支撑装置的顶面提取流体的提取开口(66)。提取主体与物体保持件间隔开，使得提取主体与物体保持件基本解耦。提取主体包括突起(30)，所述突起被配置为使得其围绕物体保持件，并且使得在使用中液体(32)的层保留在突起上且接触支撑在物体保持件上的物体。
2023-06-03
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