导电膜的制备方法及导电膜.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109979644A(43)申请公布日2019.07.05(21)申请号201910234048.1H01B13/00(2006.01)(22)申请日2019.03.26H01B1/04(2006.01)H01B1/02(2006.01)(71)申请人武汉华星光电半导体显示技术有限公司地址430079湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室(72)发明人杨林罗佳佳黄金昌白亚梅李先杰(74)专利代理机构深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300代理人黄威(51)Int.Cl.H01B5/14(2006.01)H01B5/00(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称导电膜的制备方法及导电膜(57)摘要本申请提供一种导电膜的制备方法及导电膜，该方法包括如下步骤：提供一基板；在所述基板上形成富勒烯或其衍生物层；烘干所述富勒烯或其衍生物层，形成所述富勒烯或其衍生物基础层；将所述富勒烯或其衍生物基础层置于导电金属离子溶液中浸泡第一设定时间；烘干浸泡完毕的所述富勒烯或其衍生物基础层，以形成所述导电膜。本申请通过在富勒烯或其衍生物基础层的缝隙和凹槽中填充导电金属粒子，提高导电膜的导电性。CN109979644ACN109979644A权利要求书1/1页1.一种导电膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一基板；在所述基板上形成富勒烯或其衍生物层；烘干所述富勒烯或其衍生物层，形成所述富勒烯或其衍生物基础层；将所述富勒烯或其衍生物基础层置于导电金属离子溶液中浸泡第一设定时间；烘干浸泡完毕的所述富勒烯或其衍生物基础层，以形成所述导电膜。2.根据权利要求1所述的导电膜的制备方法，其特征在于，所述富勒烯或其衍生物基础层的表面具有缝隙和凹槽；所述将所述富勒烯或其衍生物基础层置于导电金属离子溶液中浸泡第一设定时间，包括如下步骤：将所述富勒烯或其衍生物基础层置于导电金属离子溶液中浸泡第一设定时间，使得导电金属离子填充所述缝隙和凹槽。3.根据权利要求1或2所述的导电膜的制备方法，其特征在于，所述导电金属离子溶液为Au3+溶液、Ag+溶液和Cu2+溶液中的一种。4.根据权利要求1或2所述的导电膜的制备方法，其特征在于，所述导电金属离子溶液的导电金属离子浓度介于0.1毫克/毫升至10毫克/毫升之间。5.根据权利要求2所述的导电膜的制备方法，其特征在于，所述第一设定时间介于5分钟至10分钟之间。6.根据权利要求1所述的导电膜的制备方法，其特征在于，所述烘干浸泡完毕的所述富勒烯或其衍生物基础层，以形成所述导电膜，包括：将浸泡完毕的所述富勒烯或其衍生物基础层置于烘烤箱进行烘烤处理，使得导电金属离子溶液分解为导电金属粒子，并填充在所述缝隙和凹槽内，形成所述导电膜，其中烘烤温度为第一设定温度，烘烤时间为第二设定时间。7.根据权利要求6所述的导电膜的制备方法，其特征在于，所述第一设定温度介于100摄氏度至200摄氏度之间；所述第二设定时间介于30分钟至60分钟之间。8.根据权利要求5所述的导电膜的制备方法，其特征在于，所述烘干所述富勒烯或其衍生物层，形成所述富勒烯或其衍生物基础层，包括；将所述富勒烯或其衍生物层置于烘烤箱中进行烘烤处理，使得所述富勒烯或其衍生物层干燥，其中烘烤温度介于50摄氏度至200摄氏度之间。9.一种导电膜，其特征在于，包括：富勒烯或其衍生物基础层，具有缝隙和凹槽；以及导电金属粒子，填充在所述缝隙和凹槽内。10.根据权利要求9所述的导电膜，其特征在于，所述导电金属粒子为Au、Ag和Cu中的一种。2CN109979644A说明书1/4页导电膜的制备方法及导电膜技术领域[0001]本申请涉及一种导电技术，特别涉及一种导电膜的制备方法及导电膜。背景技术[0002]研究人员开发了基于氧化铟锡(Indiumtinoxide，ITO)其他材料的透明电极，比如二维材料(石墨烯)，银纳米线，聚合物等。但是，基于这类材料的透明电极电导率较低，这是由于其表面缺陷多，容易捕获电荷。[0003]以基于富勒烯及其衍生物的透明电极为例，这类材料可以通过旋涂或者打印等低成本的方式涂覆到衬底上形成导电层。但是，为了保证较高的透过率，当旋涂的薄膜较薄时，薄膜表面极容易产生裂纹、凹槽等缺陷，导致电极的导电性极具降低，因而影响透明电极的使用。发明内容[0004]本申请实施例提供一种导电膜的制备方法及导电膜，以解决现有的透明电极的导电性下降的技术问题。[0005]本申请实施例提供一种导电膜的制备方法，其包括如下步骤：[0006]提供一基板；[0007]在所述基板上形成富勒烯或其衍生物层；[0008]烘干所述富勒烯或其衍生物层，形成所述富勒烯或其衍生物基