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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110504248A(43)申请公布日2019.11.26(21)申请号201910408738.4H01L33/48(2010.01)(22)申请日2019.05.16(30)优先权数据18541532018.05.18FR(71)申请人意法半导体(格勒诺布尔2)公司地址法国格勒诺布尔(72)发明人A·库尔洛姆布R·科菲J-M·里维雷(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所11256代理人王茂华(51)Int.Cl.H01L25/075(2006.01)H01L25/16(2006.01)H01L31/0203(2014.01)权利要求书2页说明书7页附图5页(54)发明名称光学发送/接收电路(57)摘要本公开的实施例涉及光学发送/接收电路。一种器件包括衬底和被埋置在衬底中的光电芯片。衬底可以包括开口,该开口在第一光电芯片的第一光学转换区域上方和第二光电芯片的第二光学转换区域上方。CN110504248ACN110504248A权利要求书1/2页1.一种器件,包括:衬底;以及第一光电芯片,被埋置在所述衬底中。2.根据权利要求1所述的器件,其中所述衬底包括开口,所述开口在所述第一光电芯片的第一光学转换区域上方。3.根据权利要求2所述的器件,其中所述开口在第二光学转换区域上方延续。4.根据权利要求3所述的器件,还包括第二光电芯片,所述第二光电芯片被埋置在所述衬底中,其中所述第二转换区域是所述第二光电芯片的区域。5.根据权利要求1所述的器件,还包括盖体,所述盖体覆盖所述衬底。6.根据权利要求5所述的器件,其中所述盖体包括透明元件,所述透明元件在所述第一转换区域上方。7.根据权利要求6所述的器件,其中所述透明元件在第二转换区域上方延续。8.根据权利要求7所述的器件,还包括屏蔽件,所述屏蔽件位于所述透明元件上、并且位于所述第二转换区域上方。9.根据权利要求5所述的器件,其中所述盖体具有被机械耦合到所述衬底的平坦表面,所述平坦表面优选地被接合到所述衬底或者与所述衬底直接粘合接触。10.根据权利要求5所述的器件,其中所述盖体和所述衬底由相同的材料制成。11.一种制造器件的方法,所述方法包括:形成具有第一光学转换区域的第一光电芯片;以及将所述第一光电芯片埋置在衬底中。12.根据权利要求11所述的方法,包括在所述衬底上包覆成型盖体。13.根据权利要求12所述的方法,其中所述包覆成型包括在所述衬底上薄膜辅助包覆成型所述盖体。14.根据权利要求11所述的方法,包括:在所述第一光电芯片的所述第一光学转换区域上形成保护层;在所述衬底中在所述保护层正上方形成开口;以及在形成所述开口后去除所述保护层。15.根据权利要求14所述的方法,其中所述保护层与所述衬底的表面齐平。16.根据权利要求14所述的方法,还包括形成所述衬底,其中形成所述衬底包括:形成包括开口的第一衬底层;以及在将所述第一光电芯片定位在所述第一衬底层中的所述开口中之后,形成第二衬底层,所述第二衬底层至少部分地覆盖所述第一光电芯片。17.一种器件,包括:衬底,包括第一内腔;以及第一光电芯片,被定位在所述第一内腔中,并且在四侧中的每侧上由所述衬底的相应部分至少部分地覆盖。18.根据权利要求17所述的器件,其中所述衬底包括开口,所述开口在所述第一光电芯片的第一光学转换区域上方。19.根据权利要求17所述的器件,其中所述衬底包括第二内腔,所述器件还包括第二光2CN110504248A权利要求书2/2页电芯片,所述第二光电芯片被定位在所述第二内腔中,并且在四侧中的每侧上由所述衬底的相应部分至少部分地覆盖。20.根据权利要求17所述的器件,还包括覆盖所述衬底的盖体,所述盖体包括第一透明元件,所述第一透明元件在所述第一光电芯片的第一光学转换区域上方。3CN110504248A说明书1/7页光学发送/接收电路技术领域[0001]本公开一般涉及电子电路,更具体地,涉及光学转换电路。背景技术[0002]某些电子电路包括容纳在封装中的电子芯片。这种封装通常包括其上附加有芯片的衬底以及覆盖芯片和衬底的盖体。[0003]当这种器件是光学信号转换电路(例如飞行时间测量临近传感器)时,电子芯片包括一个或多个光学信号转换区域。然后,封装包括适于光学信号波长(例如红外辐射)的透明元件。透明元件与发送/接收区域相对放置,并且例如由玻璃制成。发明内容[0004]一个实施例克服了已知光学转换器件的全部或部分缺点。[0005]一个实施例提供了一种器件,其包括衬底和被埋置在衬底中的光电芯片。[0006]根据一个实施例,衬底包括在芯片的第一光学转换区域上方的开口,该开口优选地填充有透明材料。[0007]根据一个实施例,开口在第二光学转换区域上方延续。[0008