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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110504225A(43)申请公布日2019.11.26(21)申请号201910412279.7(22)申请日2019.05.17(30)优先权数据18541542018.05.18FR(71)申请人意法半导体(格勒诺布尔2)公司地址法国格勒诺布尔(72)发明人A·库尔洛姆布R·科菲J-M·里维雷(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所11256代理人王茂华(51)Int.Cl.H01L23/31(2006.01)H01L21/50(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图5页(54)发明名称光学传输/接收电路(57)摘要本申请的各实施例涉及光学传输和接收电路。一种光电设备,包括衬底和与该衬底的表面齐平的第一光电芯片。该设备包括覆盖该衬底和该第一光电芯片的盖。该盖包括在该第一光电芯片的第一光学换能区域上方的腔。该设备还包括第二光电芯片,该第二光电芯片具有与该第一光学换能区域间隔开的第二光学换能区域,并且该腔在该第二光学换能区域上方延续。CN110504225ACN110504225A权利要求书1/2页1.一种设备,包括:包括顶表面的衬底;以及第一光电芯片,位于所述衬底中,并具有与所述衬底的顶表面齐平的顶表面。2.根据权利要求1所述的设备,包括覆盖所述衬底和所述第一光电芯片的盖。3.根据权利要求2所述的设备,其中所述盖具有机械地被耦合到所述衬底的所述顶表面的平坦表面。4.根据权利要求2所述的设备,其中所述盖包括与所述第一光电芯片接触的电连接。5.根据权利要求2所述的设备,其中所述盖包括在所述第一光电芯片的第一光学换能区域上方的腔。6.根据权利要求5所述的设备,其中所述腔被填充有透明材料。7.根据权利要求5所述的设备,还包括第二光电芯片,所述第二光电芯片位于所述衬底中并且具有与所述衬底的所述顶表面齐平的顶表面,其中所述腔在所述第二光电芯片的第二光学换能区域上方延续。8.根据权利要求5所述的设备,其中所述盖包括在所述第一光学换能区域上方的透明元件。9.根据权利要求5所述的设备,还包括第二光电芯片,所述第二光电芯片具有与所述第一光学换能区域间隔开的第二光学换能区域,并且所述腔在所述第二光学换能区域上方延续。10.根据权利要求2所述的设备,其中所述盖包括在所述第一光电芯片的第一光学换能区域上方的透明元件。11.根据权利要求9所述的设备,其中所述透明元件在第二光学换能区域上方被延续。12.根据权利要求10所述的设备,还包括护罩,所述护罩在所述第二换能区域上方部分地覆盖所述透明元件。13.一种制造光电设备的方法,所述方法包括:形成衬底,所述衬底具有从所述衬底的顶表面向内延伸的腔;以及光电芯片,位于所述衬底的所述腔中,并且具有与所述衬底的所述顶表面齐平的顶表面。14.根据权利要求13所述的方法,包括在所述衬底上包覆成型盖。15.根据权利要求14所述的方法,包括在所述包覆成型之前布置与所述芯片接触的电连接。16.根据权利要求13所述的方法,包括在所述包覆成型之前在所述芯片上布置透明元件。17.一种设备,包括:衬底;第一光电芯片,位于衬底中并具有第一光学换能区域;第二光电芯片,位于衬底中并具有第二光学换能区域;以及盖,覆盖所述衬底以及所述第一光电芯片和所述第二光电芯片,其中所述盖包括直接位于所述第一光学换能区域和所述第二光学换能区域上方的腔。18.根据权利要求17所述的设备,其中所述盖包括与所述芯片接触的电连接。2CN110504225A权利要求书2/2页19.根据权利要求17所述的设备,还包括填充所述腔的透明元件。20.根据权利要求10所述的设备,还包括护罩,所述护罩在所述第二换能区域上方部分地覆盖所述透明元件。3CN110504225A说明书1/7页光学传输/接收电路技术领域[0001]本公开一般涉及电子电路,并且更具体地,涉及光学换能电路。背景技术[0002]某些电子电路包括被容纳在封装中的电子芯片。这种封装通常包括其上粘贴有芯片的衬底,以及覆盖芯片和衬底的盖。[0003]当这种设备是光学信号换能电路,例如飞行时间测量接近传感器时,电子芯片包括一个或多个光学信号换能区域。然后,封装包括适合于光学信号(例如红外辐射)波长的透明元件。透明元件被相对于传输/接收区域被放置,并且例如由玻璃制成。发明内容[0004]一个实施例克服了已知光学换能设备的全部或部分缺点。[0005]一个实施例提供了一种设备,包括衬底和与衬底的表面齐平的光电芯片。[0006]根据一个实施例,设备包括覆盖衬底和芯片的盖。[0007]根据一个实施例,盖具有机械地被耦合到衬底的平坦表面,优选地胶合到衬底或者与衬底直接粘合接触。[0008]根据一个实施例,盖包括与芯片接触的电连接。[0009]根据