一种IGBT器件及智能功率模块.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112510086A(43)申请公布日2021.03.16(21)申请号202011360147.3(22)申请日2020.11.27(71)申请人广东美的白色家电技术创新中心有限公司地址528311广东省佛山市顺德区北滘镇工业大道美的全球创新中心4栋申请人美的集团股份有限公司(72)发明人兰昊(74)专利代理机构深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280代理人瞿璨(51)Int.Cl.H01L29/739(2006.01)H01L29/417(2006.01)H01L25/16(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图6页(54)发明名称一种IGBT器件及智能功率模块(57)摘要本申请公开了一种IGBT器件及智能功率模块。该IGBT器件包括：沿第一方向依次层叠设置集电极、漂移区、发射极及栅极；栅极在集电极上的投影位于发射极在集电极上的投影内，以使发射极间隔集电极和栅极；其中，响应于IGBT导通，发射极靠近栅极的一侧形成沿第一方向朝背离集电极一侧延伸的导电沟道。通过这种方式，能够减小IGBT器件的米勒电容，进而降低开关损耗，且能够提高IGBT器件的耐压能力。CN112510086ACN112510086A权利要求书1/1页1.一种IGBT器件，其特征在于，所述IGBT器件包括：沿第一方向依次层叠设置集电极、漂移区、发射极及栅极；所述栅极在所述集电极上的投影位于所述发射极在所述集电极上的投影内，以使所述发射极间隔所述集电极和所述栅极；其中，响应于所述IGBT导通，所述发射极靠近所述栅极的一侧形成沿所述第一方向朝背离所述集电极一侧延伸的导电沟道。2.根据权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，所述发射极包括：第一体区、发射区及发射电极，所述第一体区与所述发射区沿所述第一方向接触排布，所述发射区与所述发射电极沿第二方向接触排布；所述栅极在所述集电极上的投影位于所述发射电极在所述集电极上的投影内，以使所述发射电极间隔所述集电极与所述栅极，且所述栅极分别与所述第一体区、所述发射区及所述发射电极接触；其中，所述第二方向与所述第一方向垂直。3.根据权利要求2所述的IGBT器件，其特征在于，所述第一体区进一步延伸至所述发射区背离所述发射电极的一侧；所述漂移区进一步延伸至所述第一体区背离所述发射区的一侧，且分别与所述第一体区和所述栅极接触。4.根据权利要求2所述的IGBT器件，其特征在于，所述栅极包括：栅电极；栅极绝缘层，所述栅电极设于所述栅极绝缘层，所述栅极绝缘层分别与所述第一体区、所述发射区及所述发射电极接触。5.根据权利要求3所述的IGBT器件，其特征在于，所述IGBT器件进一步包括第二体区，设置在所述发射电极背离所述栅极的一侧，且分别与所述第一体区、所述发射区及所述发射电极接触。6.根据权利要求4所述的IGBT器件，其特征在于，所述IGBT器件进一步包括第一氧化层，设置在所述漂移区与所述第二体区之间，且分别与所述第二体区和所述漂移区接触。7.根据权利要求2至6任一项所述的IGBT器件，其特征在于，所述栅极绝缘层沿所述第二方向的尺寸小于所述集电极沿所述第二方向的尺寸。8.根据权利要求5或6所述的IGBT器件，其特征在于，所述IGBT器件进一步包括缓冲层，所述集电极包括：集电电极；集电区，设置在所述集电电极和所述缓冲层之间，且分别与所述集电电极和所述缓冲层接触，所述缓冲层设置在所述漂移区与所述集电区之间，且进一步与所述漂移区接触。9.根据权利要求8所述的IGBT器件，其特征在于，所述第一体区具有第一掺杂类型，所述发射区具有第二掺杂类型，所述第二体区、所述集电区与所述第一体区的掺杂类型相同，所述漂移区、所述缓冲区与所述发射区的掺杂类型相同，且所述第二体区的掺杂浓度大于所述第一体区的掺杂浓度。10.一种智能功率模块，其特征在于，所述智能功率模块包括：IGBT器件及其驱动控制电路，所述IGBT器件为如权利要求1至9任一项所述的IGBT器件。2CN112510086A说明书1/7页一种IGBT器件及智能功率模块技术领域[0001]本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种IGBT器件及智能功率模块。背景技术[0002]绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT)是由双极型三极管(BJT)和绝缘栅型场效应管(MOSFET)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET器件的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的优点，由于IGBT具有驱动功率小而饱和压降低的优点，目前IGBT作为一种新型的电力电子器件被广泛应用到各个领域。[0003]如图1所示的IGBT的剖面结构图，在IGBT的集电极101和发射极