一种IGBT功率器件的压装结构.pdf
是你****嘉嘉
在线预览结束,喜欢就下载吧,查找使用更方便
相关资料
一种IGBT功率器件的压装结构.pdf
一种IGBT功率器件的压装结构,包括一对并列串组,该对并列串组限定一条对称中心线并包括:一个上串组和一个下串组;上串组左散热器(2)和下串组左散热器、第一中间散热器和第二中间散热器、上串组右散热器和下串组右散热器关于所述对称中心线相互分组对称,左侧的对称散热器组由上串组左散热器和下串组左散热器组成,中间的对称散热器组由第一中间散热器和第二中间散热器组成,右侧的对称散热器组由上串组右散热器和下串组右散热器组成,其中:左侧的对称散热器组和中间的对称散热器组以及右侧的对称散热器组之中的一组是做成一体的;而且,所
一种大功率压接式IGBT器件.pdf
本发明涉及一种大功率压接式IGBT器件。IGBT器件为圆柱体或矩形体,所述IGBT器件包括管壳以及设置在管壳上下两端的两个功率电极,上功率电极为平板结构,下功率电极其中一面分布凸台阵列。器件内部在每个凸台上会设置子模组,子模组分为IGBT子模组和FWD子模组两类。IGBT和FWD子模组均包括功率芯片、多片金属垫片和绝缘框架;功率芯片包括IGBT芯片和FWD芯片两组。子模组中的IGBT芯片和FWD芯片均为厚度100-1000微米的矩形硅片。压接IGBT器件内部无任何焊点。在实际应用时,依靠器件外部施加的数十
IGBT功率器件.pdf
本发明属于半导体功率器件技术领域,具体公开了一种IGBT功率器件,包括由若干个元胞结构周期性排列组成的元胞区,所述元胞结构包括:n型外延层;位于所述n型外延层内的两个第一沟槽以及介于两个所述第一沟槽之间的至少三个栅沟槽,所述栅沟槽的深度小于所述第一沟槽的深度;位于所述n型外延层内的n型电荷存储区,每个所述栅沟槽的底部均设有一个所述n型电荷存储区;所述第一沟槽内设有绝缘层和导电层,所述栅沟槽内设有栅介质层和栅极;位于所述n型外延层内且介于相邻两个所述栅沟槽之间的p型体区,所述p型体区内设有n型发射极区。
一种功率半导体器件串联均压结构及功率半导体器件.pdf
本发明提供的功率半导体器件串联均压结构及功率半导体器件,多级串联功率芯片结构的第一端固定至所述第一极性金属板的第一侧面上;所述多级串联均压回路结构的第一端固定至所述第一极性金属板的第一侧面上;所述多级串联功率芯片结构的第二端与所述多级串联均压回路结构的第二端固定连接。本发明通过在器件内部完成器件的串联,并集成均压回路,提高了模块的功率密度和集成度,并提升了可靠性。
一种IGBT器件封装结构.pdf
本发明公开了一种IGBT器件封装结构,其结构包括:封装壳体,以及设于封装壳体两端的外部电极,封装壳体的中心设有容置腔,IGBT器件的栅极端子伸入容置腔内与驱动板电性相连。通过将多个IGBT器件对称并联的容置于封装壳体内,在封装壳体两端设置外部电极分别与IGBT的集电极和发射极电性相连,并在封装壳体的中心预留容置腔,将与IGBT器件电性相连的驱动板安置于容置腔内,从而确保器件的布局对称,以及各芯片的驱动回路的对称,有利于芯片并联时的电流均衡,提高了器件电流增大时的运行稳定性。