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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112805654A(43)申请公布日2021.05.14(21)申请号201980065112.6(74)专利代理机构北京纪凯知识产权代理有限(22)申请日2019.08.02公司11245代理人魏利娜(30)优先权数据62/713,7692018.08.02US(51)Int.Cl.16/428,3452019.05.31USG05F1/10(2006.01)H01L29/772(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日2021.04.01(86)PCT国际申请的申请数据PCT/US2019/0449542019.08.02(87)PCT国际申请的公布数据WO2020/028835EN2020.02.06(71)申请人德克萨斯仪器股份有限公司地址美国德克萨斯州(72)发明人S·鞠W·谭A·娆权利要求书4页说明书12页附图6页(54)发明名称具有反馈偏置控制的米勒钳位驱动器(57)摘要电路(300)包括电压供应(302)、驱动器(305)和反馈偏置电路(304)。驱动器(305)包括p型场效应晶体管(FET)(310)和n型FET(312)。电压供应(302)具有输入和输出。驱动器(305)具有耦合到电压供应(302)输出的第一输入、耦合到第一节点的第二输入和耦合到第二节点(322)的输出。p型FET(310)具有耦合到驱动器(305)的输出的栅极、耦合到电压供应(302)输出的源极和耦合到第二节点(322)的漏极。n型FET(312)具有耦合到驱动器(305)的输出的栅极、耦合到第二节点(322)的漏极和耦合到接地节点(316)的源极。反馈偏置电路(304)具有:耦合到第二节点(322)的输入;和耦合到电压供应(302)输入的输出。CN112805654ACN112805654A权利要求书1/4页1.一种电路,其包括:电压供应,其具有输入和输出;驱动器电路,其具有耦合到所述电压供应的所述输出的第一输入、耦合到第一节点的第二输入和耦合到第二节点的输出,其中,所述驱动器电路包括:第一p型场效应晶体管即第一p型FET,其具有耦合到所述第一驱动器的所述输出的栅极端子、耦合到所述电压供应的所述输出的源极端子和耦合到所述第二节点的漏极端子;和第一n型FET,其具有耦合到所述第二驱动器的所述输出的栅极端子、耦合到所述第二节点的漏极端子和耦合到接地节点的源极端子;和反馈偏置电路,其具有耦合到所述第二节点的输入和耦合到所述电压供应的所述输入的输出。2.根据权利要求1所述的电路,其中,所述电压供应包括:电流源,其耦合在第三节点和第四节点之间;第二n型FET,其具有耦合到所述第四节点的栅极端子、耦合到所述第三节点的漏极端子和耦合到第五节点的源极端子;第三n型FET,其具有耦合到所述第四节点的栅极端子、耦合到所述第四节点的漏极端子以及源极端子;电压源,其具有耦合到所述第三n型FET的所述源极端子的第一端子和耦合到所述接地节点的第二端子;电阻器,其耦合在所述第五节点与所述接地节点之间;和电容器,其耦合在所述第五节点与所述接地节点之间。3.根据权利要求1所述的电路,其中,所述驱动器电路还包括:第一驱动器,其具有耦合到所述第一节点的输入、输出、耦合到所述电压供应的所述输出的供应端子和耦合到所述接地节点的接地端子;和第二驱动器,其具有输入、输出、耦合到所述电压供应的所述输出的供应端子和耦合到所述接地节点的接地端子。4.根据权利要求1所述的电路,其中,所述反馈偏置电路包括:第二p型FET,其具有耦合到所述驱动器电路的栅极端子、耦合到所述第二节点的漏极端子以及源极端子;第四n型FET,其具有耦合到所述电压供应的所述输入的栅极端子、耦合到所述第二p型FET的所述源极端子的源极端子和耦合到第六节点的漏极端子;第三p型FET,其具有耦合到所述第六节点的栅极端子、耦合到所述第六节点的漏极端子和耦合到第三节点的源极端子;和第四p型FET,其具有耦合到所述第六节点的栅极端子、耦合到所述电压供应的所述输入的漏极端子和耦合到所述第三节点的源极端子。5.根据权利要求1所述的电路,其还包括耦合在所述第二节点和所述接地节点之间的米勒钳位。6.根据权利要求1所述的电路,其中,所述电压供应被配置为:生成参考电压;2CN112805654A权利要求书2/4页基于所述反馈偏置电路的输出来调制所述参考电压,以生成内部供应信号;和用所述内部供应信号来驱动所述驱动器电路。7.根据权利要求6所述的电路,其中,所述电路不包括低压差稳压器即LDO。8.一种电路,其包括:电压供应,其被配置为根据参考电压和反馈信号来生成内部供应信号,所述电压供应包括:电流源,其耦合在第一节点与第二节点之间;第一n型场效应晶体管即第