一种膜厚监控装置、镀膜设备及膜厚监控方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113278945A(43)申请公布日2021.08.20(21)申请号202110506195.7(22)申请日2021.05.10(71)申请人布勒莱宝光学设备（北京）有限公司地址100176北京市大兴区北京经济技术开发区永昌南路2号5号楼(72)发明人于甄(74)专利代理机构北京知汇林知识产权代理事务所(普通合伙)11794代理人杨华(51)Int.Cl.C23C14/54(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图4页(54)发明名称一种膜厚监控装置、镀膜设备及膜厚监控方法(57)摘要本发明提供一种膜厚监控装置、镀膜设备及膜厚监控方法，通过设置多个晶振传感器，利用每个晶振传感器单独检测同一种膜材的实时厚度，使得晶振传感器不会受到不同膜材交替界面导致的不确定性影响，保证了晶振法膜厚监控精度。CN113278945ACN113278945A权利要求书1/2页1.一种膜厚监控装置，用于在基材表面交替镀多种膜材，包括：晶振监测单元，其配置在镀膜室内，用于检测所述多种膜材在基材表面的实时厚度；控制单元，其配置为与所述晶振监测单元电连接，用于接收从所述晶振监测单元传送的所述实时厚度，以及配置为与镀膜装置电连接，用于控制所述镀膜装置在基材表面交替镀多种膜材；其特征在于：所述晶振监测单元包括多个晶振传感器，所述晶振监测单元控制每个所述晶振传感器单独检测同种膜材的实时厚度，所述控制单元在所述镀膜装置向所述基材表面交替镀多种膜材期间，根据每种膜材对应的实时厚度控制所述镀膜装置的工作时间。2.如权利要求1所述的膜厚监控装置，其特征在于：所述晶振监测单元包括晶振传感器A和晶振传感器B，所述晶振监测单元控制所述晶振传感器A单独检测第一膜材的第一实时厚度，以及控制所述晶振传感器B单独检测不同于所述第一膜材的第二膜材的第二实时厚度；所述控制单元在所述镀膜装置向基材表面镀所述第一膜材期间，根据所述第一实时厚度控制所述镀膜装置的工作状态；以及所述控制单元在所述镀膜装置向基材表面镀第二膜材期间，根据所述第二实时厚度控制所述镀膜装置的工作时间。3.如权利要求2所述的膜厚监控装置，其特征在于：所述晶振监测单元还包括晶振传感器C，所述晶振监测单元控制所述晶振传感器C单独检测不同于所述第一膜材和第二膜材的第三膜材的第三实时厚度；所述控制单元在所述镀膜装置向基材表面镀所述第三膜材期间，根据所述第三实时厚度控制所述镀膜装置的工作时间。4.如权利要求3所述的膜厚监控装置，其特征在于：所述晶振监测单元还包括晶振传感器D，所述晶振监测单元控制所述晶振传感器D单独检测不同于所述第一膜材、第二膜材和第三膜材的第四膜材的第四实时厚度；所述控制单元在所述镀膜装置向基材表面镀所述第四膜材期间，根据所述第四实时厚度控制所述镀膜装置的工作时间。5.如权利要求1所述的膜厚监控装置，其特征在于：所述晶振监测单元包括盖板，用于在所述镀膜装置向基材表面镀一种膜材期间，露出单独检测该膜材的晶振传感器，同时遮挡其他所述晶振传感器。6.一种镀膜设备，用于在基材表面交替镀多种膜材，其特征在于：包括镀膜室、工件架、镀膜装置和如权利要求1‑5中任一项所述的膜厚监控装置。7.一种膜厚监控方法，其特征在于：包括如下步骤：S1，镀膜装置向基材表面交替镀多种膜材；S2，期间使用多个晶振传感器分别单独检测每种所述膜材的实时厚度并发送给控制单元；S3，控制单元判断所述实时厚度达到预设厚度时，控制镀膜装置停止镀所述每种膜材，直至完成在基材表面交替镀多种膜材。8.如权利要求7所述的膜厚监控方法，其特征在于：所述多种膜材包括第一膜材和不同于所述第一膜材的第二膜材，所述晶振传感器包括用于分别单独检测所述第一膜材和第二膜材的晶振传感器A和晶振传感器B。2CN113278945A权利要求书2/2页9.如权利要求8所述的膜厚监控方法，其特征在于：所述多种膜材还包括不同于所述第一膜材和第二膜材的第三膜材，所述晶振传感器还包括用于单独检测所述第三膜材的晶振传感器C。10.如权利要求9所述的膜厚监控方法，其特征在于：所述多种膜材还包括不同于所述第一膜材、第二膜材和第三膜材的第四膜材，所述晶振传感器还包括用于单独检测所述第四膜材的晶振传感器D。3CN113278945A说明书1/6页一种膜厚监控装置、镀膜设备及膜厚监控方法技术领域[0001]本发明属于真空镀膜技术领域，具体涉及一种膜厚监控装置、镀膜设备及膜厚监控方法。背景技术[0002]对于光学薄膜来说，厚度是除折射率之外最重要的参数，因此在真空镀膜过程中，准确控制薄膜的厚度成为制备薄膜的关键。石英晶体振荡法(晶振法)监控膜厚，主要是利用石英晶体的压电效应和质量负荷效应，通过测量其固有谐振频率或与固有谐振频率