第三章 半導體製程的技術史.ppt
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第三章 半導體製程的技術史.ppt
◆可利用10年的時間間隔,回顧半導體製程的歷史:IC以前(1950年代)IC時代(1960年代)LSI時代(1970年代)VLSI時代(1980年代)次微米VLSI時代(1990年代)Gigabit時代(2000年以後)IC以前(1950年代)IC時代(1960年代)LSI時代(1970年代)LOCOS製程流程VLSI時代(1980年代)濕式蝕刻製程與乾式蝕刻製程次微米VLSI時代(1990年代)Gigabit時代(2000年以後)大分類大分類
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半導體雷射技術1960年代,液相磊晶(liquidphaseepitaxy,LPE)氣相磊晶(vaporphaseepitaxy,VPE)亦開始發展在1970到1980年代發展出分子束磊晶(molecularbeamepitaxy,MBE)另外一種磊晶技術稱為金屬有機化學氣相沉積(metal-organicchemicalvapordeposition,MOCVD)。一般而言MOCVD系統主要由四個部分所組成,如圖7-3所示包括了氣體傳輸(gasblending)系統、反應爐系統、真空(vacuum)系統
半導體製程設備.ppt
第四章真空幫浦Outline真空幫浦的定義、分類定義PumpingSpeed終極壓力(Ultimatepressure)真空幫浦原理:真空決定因素Effectivepressurerange真空幫浦之分類幫浦作用原理區分IonizationeffectsIonpumpsPhysicalorChemicalsorptionsorptionpumps,cyropump,getteringpump真空幫浦原理:抽氣過程真空幫浦工作範圍真空幫浦工作範圍真空幫浦依抽氣方式分類真空幫浦選用之要點各種幫浦的抽氣速率各種
半導體元件的製作.doc
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