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Mi9习题6 6.1确定图中晶体管其它两个电流的值 图6.1习题6.1图 (a)IC=βIB=200×0.125=25(mA)IE=IB+IC=25.125(mA) (b)IB=IE/(1+β)=5/(1+100)=49.5(μA)IC=IE-IB=4.95(mA) (c)IB=IC/β=3/120=25(μA)IE=IB+IC=3.025(mA) 6.2测得放大电路中的晶体三极管3个电极①、=2\*GB3②、=3\*GB3③的电流大小和方向如图6.1所示,试判断晶体管的类型(NPN或PNP),说明①、=2\*GB3②、=3\*GB3③中哪个是基极b、发射极e、集电极c,求出电流放大系数。 图6.2习题6.2图 (a)①-c②-b③-ePNPβ=1.2/0.03=40 (b)①-b②-e③-cNPNβ=1.5/0.01=150 6.3有两只工作于放大状态的晶体管,它们两个管脚的电流大小和实际流向如图6.3所示。求另一管脚的电流大小,判断管子是NPN型还是PNP型,三个管脚各是什么电极;并求它们的值。 图6.3习题6.3图 (a)①-c②-e③-bNPNIE=IB+IC=4+0.1=4.1(mA)β=4/0.1=40 (b)①-e②-c③-bNPNIC=IE-IB=5.1-0.1=5(mA)β=5/0.1=50 6.4试判断图6.4所示电路中开关S放在1、2、3哪个位置时的IB最大;放在哪个位置时的IB最小,为什么? 图6.4习题6.4图 在①时,发射极相当于一个二级管导通,此时IB就等于此导通电流。 在②时,三极管相当于两个并联的二极管,此时IB等于两个二级管导通电流之和,所以此时的电流最大。 在③时,发射极导通,集电结反偏,集电结收集电子,所以IB电流下降,此时电流最小。 6.5测得某放大电路中晶体三极管各极直流电位如图6.5所示,判断晶体管三极管的类型(NPN或PNP)及三个电极,并分别说明它们是硅管还是锗管。 图6.5习题6.5图 (a)①-e②-c③-b硅NPN (b)①-b②-c③-e锗PNP (c)①-b②-e③-c锗PNP 6.6在工作正常的放大电路中,测得四个晶体管相对于电路公共端的电压如图6.6所示,是判断各晶体管的类型及各管脚对应的电极名称。 图6.6习题6.6图 (a)①-e②-b③-c硅NPN(b)①-c②-e③-b锗PNP (c)①-c②-b③-e硅PNP(d)①-b②-c③-e锗NPN 6.7用万用表直流电压挡测得晶体三极管的各极对地电位如图6.7所示,判断这些晶体管分别处于哪种工作状态(饱和、放大、截止或已损坏)。 图6.7习题6.7图 (a)截止(b)饱和(c)放大(d)饱和(e)截止(f)损坏 6.8某晶体管的极限参数为ICM=20mA、PCM=200mW、U(BR)CEO=15V,若它的工作电流IC=10mA,那么它的工作电压UCE不能超过多少?若它的工作电压UCE=12V,那么它的工作电流IC不能超过多少? 6.9图6.9所示电路对正弦信号是否有放大作用?如果没有放大作用,则说明理由并将错误加以改正(设电容的容抗可以忽略)。 图6.9习题6.9电路图 (a)无放大作用。电容C使得集电结反偏不成立。应将电容C改为阻值合适的电阻。 (b)无放大作用。VBB使得交流输入信号无法加到三极管上。应在此支路串联一阻值合适的电阻。 (c)无放大作用。PNP三极管要求VC<VB<VE,同时电容C使得发射结正偏不成立。应将VCC的+12V改为-12V,同时将电容C取消。 (d)无放大作用。发射极正偏不成立。将电阻Rb接地那一端改为接到VCC。 6.10电路如图6.10所示,试判断各电路可否正常放大交流输入信号,若不能正常放大,则说明原因,并加以改正。 图6.10习题6.10电路图 (a)无放大作用。电容C2使得交流通路中输出直接接地了。应将电容C2去掉。 (b)无放大作用。PNP三极管要求VE>VB>VC,同时三极管集电极直接接在VCC上使得在交流通路中输出直接接地了。应将+VCC改为-VCC,同时在集电极和VCC之间增加阻值合适的电阻RC。 (c)无放大作用。三极管基极直接接在VCC上使得集电结反偏不成立,同时也使得交流输入信号不能够加到三极管上。在基极和VCC之间添加一阻值合适的电阻Rb。 (d)无放大作用。电容C2使得交流输入信号不能够加到三极管上。应将电容C2去掉。 6.11确定图6.11所示电路中ICQ和UCEQ的值 图6.11习题6.11电路图 (a) (b) 6.12在NPN型三极管组成的单管共射放大电路中,假设电路其它参数不变,分别改变以下某一项参数时,试定性说明放大电路的IBQ、ICQ和UCEQ将增大、减小还是基本不变。 图6