非真空铜铟镓硒薄膜密实方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102039264A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102039264A(43)申请公布日2011.05.04(21)申请号200910180729.0(22)申请日2009.10.21(71)申请人正峰新能源股份有限公司地址中国台湾桃园县(72)发明人陈文仁(74)专利代理机构北京华夏博通专利事务所11264代理人刘俊(51)Int.Cl.B05D3/12(2006.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称非真空铜铟镓硒薄膜密实方法(57)摘要一种非真空铜铟镓硒薄膜密实方法，在非真空下，针对经软烤后包含有铜铟镓硒吸收层的基板，利用至少一气压缸提供气压产生动力以推动连结在气压缸上的连动支架，用连动支架上的滚轮施加压力而下压在铜铟镓硒吸收层上，并来回移动基板而让滚轮对铜铟镓硒吸收层进行均匀滚压以薄膜密实化铟镓硒吸收层，且滚轮的压力及直径需在适当范围内，以达到最佳的均匀滚压效果，滚轮外部需涂布刚性材料层以保护滚轮的轮面，因而经薄膜密实化的铜铟镓硒吸收层具有较高的转换效率，解决铜铟镓硒吸收层因具有较多晶界所引起的低转换效率问题。CN1023964ACCNN110203926402039266A权利要求书1/1页1.一种非真空铜铟镓硒薄膜密实方法，其特征在于，包括：在非真空下利用至少一气压缸提供气压而产生动力，以推动连结在气压缸上的连动支架，该连动支架连结滚轮，而该滚轮受连动支架的推动而向下移动以压合位于该滚轮底下的基板，该基板的上表面具有铜铟镓硒吸收层；以及来回移动基板，使滚轮对铜铟镓硒吸收层进行均匀滚压，以薄膜密实化该铜铟镓硒吸收层；其中该铜铟镓硒吸收层为利用包含铜铟镓硒材料的铜铟镓硒浆料或墨水而沈积形成，并经软烤烘干处理，该滚轮为陶瓷滚轮，或该滚轮的外部经热处理以增加刚性，或涂布刚性材料层，以保护滚轮的轮面。2.如权利要求1所述的非真空铜铟镓硒薄膜密实方法，其特征在于，该至少一气压缸所提供的气压为0.2至3kg/cm2。3.如权利要求1所述的非真空铜铟镓硒薄膜密实方法，其特征在于，该滚轮具有一直径，且该直径为0.5至10cm。4.如权利要求1所述的非真空铜铟镓硒薄膜密实方法，其特征在于，该刚性材料层包括阳极镀铬、钨，或被陶瓷材料包覆。5.如权利要求4所述的非真空铜铟镓硒薄膜密实方法，其特征在于，该陶瓷材料包括碳化硅、金刚石或类钻石材料。2CCNN110203926402039266A说明书1/3页非真空铜铟镓硒薄膜密实方法技术领域[0001]本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜密实方法，尤其涉及在非真空下的铜铟镓硒薄膜密实方法。背景技术[0002]近年来，随国际油价高涨以及环保意识的抬头，绿色能源已是世界各国无不投入大量资源全力开发的领域，尤其是洁净的太阳能电池。在众多太阳能电池中，硅太阳能电池虽具有较佳光电转换效率且制造技术成熟，但是因上游原材料的硅晶圆供应量不足，使得终端硅太阳能电池的量产规模受到相当大的限制。因此，没有上游原料问题的薄膜太阳能模块已逐渐受到重视并朝向商品化大量生产发展，包括非晶硅薄膜、铜铟镓硒(CIGS)薄膜和碲化镉薄膜的薄膜太阳能模块，其中铜铟镓硒的转换效率最高，比如单元电池(Cell)的转换效率可达20％而模块的转换效率也可达14％，因此特别受到重视。[0003]现有技术中制造铜铟镓硒太阳能电池的方法，针对铜铟镓硒吸收层的制造方式，主要可分为真空制程和非真空制程。在真空制程中，主要是使用溅镀法或蒸镀法，但是真空制程需较昂贵的处理设备且材料利用率也较低，因而使得整体制作成本较高。对于非真空制程，比如印刷法或电沈积法，因大面积太阳能电池的量产技术仍不成熟，属于实验室开发阶段，所以市面上仍无较大面积的商品化产品问世。[0004]目前，非真空制程的主要问题在于，在利用具铜铟镓硒材料的铜铟镓硒浆料或墨水沈积成为吸收层时，吸收层的致密性不足，导致铜铟镓硒颗粒不易长大，因此铜铟镓硒颗粒的晶界相对较多，使落在晶界的光线无法成功转换成可利用的电能，因而造成转换效率不易提升。发明内容[0005]本发明的主要目的在提供一种非真空铜铟镓硒薄膜密实方法，用于解决现有技术中铜铟镓硒吸收层因具有较多晶界所引起的低转换效率问题。[0006]为了达到上述目的，提供一种非真空铜铟镓硒薄膜密实方法，包括：[0007]在非真空下利用至少一气压缸提供气压而产生动力，以推动连结在气压缸上的连动支架，该连动支架连结滚轮，而该滚轮受连动支架的推动而向下移动以压合位于该滚轮底下的基板，该基板的上表面具有铜铟镓硒吸收层；以及[0008]来回移动基板，使滚轮对铜铟镓硒吸收层进行均匀滚压，以薄膜密实化该铜铟镓硒吸收层；[0009]其中该铜铟镓硒吸收层为利用包含铜铟镓