场效应管详解.ppt

3.2结型场效应管第三章场效应管一、场效应管的种类3.1MOS场效应管NN沟道EMOS管外部工作条件N沟道EMOSFET沟道形成原理VDS对沟道的控制（假设VGS>VGS(th)且保持不变）当VDS增加到使VGD=VGS(th)时→A点出现预夹断若考虑沟道长度调制效应MOS管仅依靠一种载流子（多子）导电，故称单极型器件。由于MOS管栅极电流为零，故不讨论输入特性曲线。NEMOS管输出特性曲线数学模型：饱和区数学模型：截止区由于MOS管COX很小，因此当带电物体（或人）靠近金属栅极时，感生电荷在SiO2绝缘层中将产生很大的电压VGS(=Q/COX)，使绝缘层击穿，造成MOS管永久性损坏。NEMOS管转移特性曲线P沟道EMOS管3.1.2耗尽型MOS场效应管NDMOS管伏安特性3.1.3四种MOS场效应管比较饱和区（放大区）外加电压极性及数学模型临界饱和工作条件FET直流简化电路模型(与三极管相对照)与三极管输出电阻表达式相似。MOS管跨导计及衬底效应的MOS管简化电路模型MOS管高频小信号电路模型场效应管电路分析方法与三极管电路分析方法相似，可以采用估算法分析电路直流工作点；采用小信号等效电路法分析电路动态指标。MOS管截止模式判断方法例1已知nCOXW/(2l)=0.25mA/V2，VGS(th)=2V,求ID小信号等效电路法3.2结型场效应管N沟道JFET管外部工作条件VGS对沟道宽度的影响VDS很小时→VGDVGS当VDS增加到使VGD=VGS(off)时→A点出现预夹断利用半导体内的电场效应，通过栅源电压VGS的变化，改变阻挡层的宽窄，从而改变导电沟道的宽窄，控制漏极电流ID。NJFET输出特性饱和区(放大区)截止区JFET转移特性曲线JFET电路模型同MOS管相同。只是由于两种管子在饱和区数学模型不同，因此，跨导计算公式不同。场效应管的电路符号各类FET管VDS、VGS极性比较几种FET管子的转移特性曲线比较:第三章场效应管场效应管与晶体三极管性能比较(一）基础元器件及其分析方法1.了解半导体中载流子的运动、导电原理；了解二极管、三极管、场效应管的工作原理。2.理解二极管、三极管、场效应管的伏安特性曲线（非线性特性），各个工作区域的划分，工作特点和运用条件，正确把握非线性元器件的分析方法。3.掌握三极管、场效应管的等效电路及其应用条件。4.掌握含有二极管、三极管和场效应管的电路分析方法（第四章还会学习）。