场效应管及其基本电路详解.ppt

第三章场效应管及其基本电路3―2绝缘栅场效应管(IGFET)3―2―3N沟道耗尽型MOSFET3―4场效应管放大器第三章场效应管及其基本电路场效应晶体管（场效应管）利用多数载流子的漂移运动形成电流。3―1结型场效应管PN(b)UGS负压增大，沟道变窄(c)UGS负压进一步增大，沟道夹断D由于夹断点与源极间的沟道长度略有缩短，呈现的沟道电阻值也就略有减小，且夹断点与源极间的电压不变。3―1―2结型场效应管的特性曲线图3―3JFET的转移特性曲线和输出特性曲线当uDS很小时，uDS对沟道的影响可以忽略，沟道的宽度及相应的电阻值仅受uGS的控制。输出特性可近似为一组直线，此时，JFET可看成一个受uGS控制的可变线性电阻器（称为JFET的输出电阻）；2.恒流区4.击穿区二、转移特性曲线uu3―2绝缘栅场效应管(IGFET)MOSFET3―2―1绝缘栅场效应管的结构B图3―6N沟道增强型MOS场效应管的沟道形成及符号图uDS增大，沟道预夹断前情况图3―9uDS增大，沟道预夹断时情况图uDS增大，沟道预夹断后情况二、输出特性i(3)恒流区三、转移特性u3―2―3N沟道耗尽型MOSFET(DepletionNMOSFET)图N沟道耗尽型MOS场效应管的沟道形成图3―10N沟道耗尽型MOS管的特性及符号(a)转移特性；(b)输出特性；(c)表示符号图3―10N沟道耗尽型MOS管的特性及符号
(a)转移特性；(b)输出特性；(c)表示符号3―2―4各种类型MOS管的符号及特性对比图3―11各种场效应管的符号对比JFET：利用栅源电压（输入电压）对耗尽层厚度的控制来改变导电沟道的宽度，从而实现对漏极电流（输出电流）的控制。i图3―12各种场效应管的转移特性和输出特性对比场效应管工作状态的判断方法3―3场效应管的参数和小信号模型3.输入电阻RGS三、交流参数而对增强型MOSFET2.输出电阻rds若输入为正弦量，上式可改写为r3―4场效应管放大器图3―14场效应管偏置方式
(a)自偏压方式；(b)混合偏置方式一、图解法图3―15(b)图解法求混合偏置方式电路直流工作点二、解析法3―4―2场效应管放大器分析图3―16(b)共源放大器电路低频小信号等效电路u图3-18(b)(c)带电流负反馈放大电路的等效电路及简化等效电路C图3―19(b)共漏电路等效电路1.放大倍数Au2.输入电阻图3―20计算共漏电路输出电阻Ro的电路图3―20计算共漏电路输出电阻Ro的等效电路20八月2024作业u图3―3JFET的转移特性曲线和输出特性曲线u源极图3―5绝缘栅(金属-氧化物-半导体)场效应管结构示意图ui图3―8输出特性使用FET的几点注意事项