场效应管放大器教学.ppt
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第三章场效应管放大器3.1场效应管一.绝缘栅场效应管当uGS>0V时→纵向电场→将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。定义:开启电压(UT)——刚刚产生沟道所需的栅源电压UGS。②转移特性曲线:iD=f(uGS)uDS=const一个重要参数——跨导gm:2.N沟道耗尽型MOSFET3、P沟道耗尽型MOSFET4.MOS管的主要参数二.结型场效应管2.结型场效应管的工作原理(2)漏源电压对沟道的控制作用(1)输出特性曲线:iD=f(uDS)│uGS=常数四个区:(2)转移特性曲线:iD=f(uGS)│u
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实验三场效应管放大器一、实验目的1、了解结型场效应管的性能和特点2、进一步熟悉放大器动态参数的测试方法二、实验原理场效应管是一种电压控制型器件。按结构可分为结型和绝缘栅型两种类型。由于场效应管栅源之间处于绝缘或反向偏置,所以输入电阻很高(一般可达上百兆欧)又由于场效应管是一种多数载流子控制器件,因此热稳定性好,抗辐射能力强,噪声系数小。加之制造工艺较简单,便于大规模集成,因此得到越来越广泛的应用。1、结型场效应管的特性和参数场效应管的特性主要有输出特性和转移特性。图3-1所示
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场效应管放大器§3.1结型场效应管(JFET)2.工作原理(以N沟道管为例)|vGS|,vGS=VP。沟道被夹断。见图3-4。令vGS=0,看iD和vDS的关系b.vDS,沟道电场强度(以这为主)iDc.vDS,两边耗尽层在A点相遇,称为预夹断,d.vDS,要使iD减少,须加负的vGS。3.JFET的特性曲线及参数转移特性c.在饱和区内,VPvGS0时,iD和vGS的关系是:4.主要参数跨导gm输出电阻rd§3.2绝缘栅场效应管(MOSFET)s2.工作原理vGS>0,
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场效应管的类型场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)一:结型场效应管1.结型场效应管的分类结型场效应管有两种结构形式。它们是N沟道结型场效应管(符号图为(1))和P沟道结型场效应管(符号图为(2))从图中我们可以看到,结型场效应管也具有三个电极,它们是:G——栅极;D——漏极;S——源极。电路符号中栅极的箭头方向可理解为两个PN结的正向导电方向。2.结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例)在D、S间加上电压UDS,则源极和漏极之间形成电流ID,我们通过改变栅极和源极的反
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第4章场效应管及其放大电路4.1概述场效应管是仅靠半导体中的空穴或自由电子之一来导电的,它又被称为单极性晶极管。场效应管分为结型场效应管(Junctionfieldeffecttransistor,简称JFET)和绝缘栅型场效应管(Insulatedgatefieldeffecttransistor,简称IGFET)两大类。绝缘栅型场效应管有增强型和耗尽型两类。不论结型还是绝缘栅型场效应管,它们又可分为N沟道和P沟道两种。4.2结型场效应管(2)漏源电压uDS的大小对导电沟道产生的影响如uDS=0,则不管