场效应管放大器...ppt

场效应管放大器§3.1结型场效应管（JFET）2.工作原理（以N沟道管为例）|vGS|，vGS=VP。沟道被夹断。见图3－4。令vGS=0，看iD和vDS的关系b.vDS，沟道电场强度（以这为主）
iDc.vDS，两边耗尽层在A点相遇，称为预夹断，d.vDS，要使iD减少，须加负的vGS。3.JFET的特性曲线及参数转移特性c.在饱和区内，VPvGS0时，iD和vGS的关系是：4.主要参数跨导gm输出电阻rd§3.2绝缘栅场效应管（MOSFET）s2.工作原理vGS>0，排斥空穴，吸引电子到半导体表面ssvDS并不能控制iD。3.特性曲线归纳：二、耗尽型绝缘栅场效应管的特点（N沟道）2.工作原理vGS(V)4.耗尽型MOSFET和JFET比较§3.3场效应管放大器（以N沟耗尽型MOSFET为例）可求得VGS、ID分压式自偏压电路2.图解法求Q点求得Q点所对应的值：二、场效应管放大器的微变等效电路分析法用相量表示图3－16要求不高的场合可用简化模型2.场效应管放大电路分析微变等效电路如(b)图例3－1求下图的解：(1)画简化微变等效电路(2)例3－2求共漏极电路的(1)微变等效电路例3－3源极输出器电路如图所示。已知场效应管工作点上的互导gm=0.9mS，其它参数如图中所示。求放大倍数、输入电阻Ri和输出电阻Ro。解：例3－4一场效应管和双极型晶体管直接耦合的放大电路如图，已知T1的gm=1mS，T2的=50，rbe=1k。信号源电压=10mV，求输出电压，输入电阻Ri和输出电阻Ro。解：