超薄硅片的切割方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102363330A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102363330A(43)申请公布日2012.02.29(21)申请号201110183082.4(22)申请日2011.06.30(71)申请人常州天合光能有限公司地址213031江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号(72)发明人李毕武刘振淮黄振飞(74)专利代理机构常州市维益专利事务所32211代理人路接洲(51)Int.Cl.B28D5/04(2006.01)权利要求书1页说明书2页(54)发明名称超薄硅片的切割方法(57)摘要本发明涉及一种超薄硅片的切割方法，包括以下步骤：1)切片机的导轮槽锯为0.28～0.30mm，硅片目标厚度120～160μm，切割线采用固定磨料切割线；2)将处理好的晶体硅棒装入切片机，固定好晶棒位置，预机循环；3)热机结束后，进行硅片切割，其中台速为0.3～0.9mm/min，线速度为0～15m/s，采用双向切割工艺；4)切片过程中使用水性切削液，整个切割过程中，切削液一直循环流动；5)切割结束后，停机、下棒，硅片进行清洗和分选。本发明可以规模化生产120μm～160μm厚度太阳能级硅片，提高硅片的出片率10％以上，大大降低光伏发电的硅成本。CN10236ACCNN110236333002363348A权利要求书1/1页1.一种超薄硅片的切割方法，其特征在于包括以下步骤：1)切片机的导轮槽锯为0.28～0.30mm，硅片目标厚度120～160μm，切割线采用固定磨料切割线；2)将处理好的晶体硅棒装入切片机，固定好晶棒位置，预机循环；3)热机结束后，进行硅片切割，其中台速为0.3～0.9mm/min，线速度为0～15m/s，采用双向切割工艺；4)切片过程中使用水性切削液，整个切割过程中，切削液一直循环流动；5)切割结束后，停机、下棒，硅片进行清洗和分选。2.如权利要求1所述的超薄硅片的切割方法，其特征在于：所述的步骤1)中固定磨料切割线上的固定磨料为高硬度的BCX、BNX、金刚石或硬度大于硅的材料。3.如权利要求1或2所述的超薄硅片的切割方法，其特征在于：所述的步骤1)中固定磨料切割线是在普通钢线上将高硬度的磨料颗粒电镀或通过树脂涂层固定在基体上，直径范围在0.1mm～0.3mm。4.如权利要求1或2所述的超薄硅片的切割方法，其特征在于：所述的步骤1)中的固定磨料切割线在水性切割液体系下完成超薄硅片切割。2CCNN110236333002363348A说明书1/2页超薄硅片的切割方法技术领域[0001]本发明涉及一种硅片的切割方法，尤其是一种超薄硅片的切割方法。背景技术[0002]目前在太阳能级硅片切割中，采用的工艺方法一般是：利用钢线的运动带动具有切削能力的SiC砂子对硅棒进行磨削，硅棒最终被加工成硅片。[0003]然而传统的切割工艺中，具有切削能力的SiC颗粒是通过具有粘附能力的PEG粘附在切割钢线表面，由于SiC颗粒在外力情况下可以自由移动，导致在硅片的不同位置SiC颗粒的不分布不均，这样对于硅片的表面精度控制比较差，特别是对于160um厚度以下硅片的精度控制无法达到太阳能级硅片标准要求，切割成功率非常低。发明内容[0004]本发明要解决的技术问题是：提出一种利用多线切割设备切割160μm以下厚度太阳能级硅片的方法。[0005]本发明所采用的技术方案为：一种超薄硅片的切割方法，包括以下步骤：[0006]1)切片机的导轮槽锯为0.28～0.30mm，硅片目标厚度120～160μm，切割线采用固定磨料切割线；[0007]2)将处理好的晶体硅棒装入切片机，固定好晶棒位置，预机循环；[0008]3)热机结束后，进行硅片切割，其中台速为0.3～0.9mm/min，线速度为0～15m/s，采用双向切割工艺；[0009]4)切片过程中使用水性切削液，整个切割过程中，切削液一直循环流动；[0010]5)切割结束后，停机、下棒，硅片进行清洗和分选。[0011]具体的说，所述的步骤1)中固定磨料切割线上的固定磨料为高硬度的BCX、BNX、金刚石或硬度大于硅的材料。固定磨料切割线是在普通钢线上将高硬度的磨料颗粒电镀或通过树脂涂层固定在基体上，直径范围在0.1mm～0.3mm。固定磨料切割线在水性切割液体系下完成超薄硅片切割。[0012]需要说明的是，在整个切割过程中，切削液一直循环流动，以起到润滑和散热作用。[0013]本发明的有益效果是：通过使用固定磨料钢线可以精确控制硅片的精度，同时调整合适的台线速比，可以规模化生产120μm～160μm厚度太阳能级硅片，提高硅片的出片率10％以上，大大降低光伏发电的硅成本。具体实施方式[0014]现在结合实施例对本发明作进一步详细的说明。[0015]一种超薄硅片的切