热处理控制系统及热处理控制方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102738037A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102738037A(43)申请公布日2012.10.17(21)申请号201210088719.6(22)申请日2012.03.29(30)优先权数据2011-0757812011.03.30JP(71)申请人东京毅力科创株式会社地址日本东京都(72)发明人吉井弘治山口达也王文凌斋藤孝规(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人李伟舒艳君(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)H01L21/324(2006.01)G05D23/19(2006.01)权利要求书权利要求书1页1页说明书说明书66页页附图附图33页(54)发明名称热处理控制系统及热处理控制方法(57)摘要本发明提供一种能够在装载晶片时可靠地推定晶片温度来对晶片施以迅速的热处理的热处理控制系统及热处理控制方法。热处理控制系统具备：处理被保持在载体中的晶片的处理容器、密封处理容器的盖体、加热处理容器的加热器以及控制加热器的控制装置。在盖体上设置有轮廓温度传感器保持件，在该轮廓温度传感器保持件上设置有轮廓温度传感器。轮廓温度传感器与温度推定部连接，温度推定部基于轮廓温度传感器的检测信号对该轮廓温度传感器的检测信号施以一阶延迟滤波来推定晶片的温度。控制装置基于由温度推定部求出的晶片的温度来控制加热器。CN102738ACN102738037A权利要求书1/1页1.一种热处理控制系统，其特征在于，具备：炉本体；加热部，设置于炉本体内表面；处理容器，配置在炉本体内，且下端形成有开口；盖体，在上下方向上移动自如地被设置且对处理容器的下端开口进行密封；保持件，设置在盖体上且内部收纳多个被处理体，并将被处理体插入处理容器内；处理容器内温度传感器，与被处理体一同被插入到处理容器内，检测处理容器内的温度；温度推定部，基于来自处理容器内温度传感器的检测信号，对该来自处理容器内温度传感器的检测信号施以一阶延迟滤波来推定被处理体的温度；和控制装置，基于由温度推定部推定出的被处理体的温度来控制加热部。2.根据权利要求1所述的热处理控制系统，其特征在于，处理容器内温度传感器设置在盖体上。3.根据权利要求1所述的热处理控制系统，其特征在于，处理容器内温度传感器被安装在保持件上。4.根据权利要求1所述的热处理控制系统，其特征在于，温度推定部在向处理容器内插入被处理体的装载时推定被处理体的温度。5.一种热处理控制方法，其特征在于，使用如权利要求1所述的热处理控制系统，该热处理控制方法包括：通过收纳并保持被处理体的保持件向处理容器内插入被处理体的装载步骤；在温度推定部中，基于来自处理容器内温度传感器的检测信号，对该来自处理容器内温度传感器的信号施以一阶延迟滤波来推定被处理体的温度的步骤；和基于由温度推定部推定出的温度，由控制装置控制加热部的步骤。2CN102738037A说明书1/6页热处理控制系统及热处理控制方法[0001]本专利申请享有2011年3月30日提出的日本特愿2011-075781的优先权。该在先申请中的所有公开内容被援引为本说明书的一部分。技术领域[0002]本发明涉及热处理控制系统以及热处理控制方法。背景技术[0003]在半导体器件的制造中，为了对被处理体如半导体晶片实施氧化、扩散、CVD、退火等热处理而使用各种热处理装置。作为其中的一种，公知有一种可一次对多个片进行热处理的纵型热处理装置。该纵型热处理装置具备：石英制的处理容器，下部具有开口部；盖体，开合该处理容器的开口部；保持件，设置在该盖体上，在上下方向上以规定的间隔保持多片被处理体；和炉本体，设置在所述处理容器的周围，并安装有对被送入处理容器内的所述被处理体进行加热的加热器。[0004]在这样的热处理装置中，通过加热器来加热被处理体，以使被处理体基于来自设置在处理容器内的温度传感器的信号变成由控制装置预先设定的设定温度。但是，在装载被处理体时，由于被处理体的温度从室温渐渐地上升，因此为了将被处理体加热至预先设定的设定温度需要花费较长时间，从而尤其需要在装载时迅速且高精度地对被处理体进行热处理。[0005]专利文献1：日本专利第4285759号公报发明内容[0006]本发明因考虑到这样的问题而提出，目的在于提供一种在装载被处理体时，可以迅速且高精度地对被处理体进行热处理的热处理装置以及热处理方法。[0007]本实施方式的特征在于，具备：炉本体；加热部，设置于炉本体内表面；处理容器，配置在炉本体内，且下端形成有开口；盖体，在上下方向上移动自如地被设置且对处理容器的下端开口进行密封；保持件，设置在盖体上且内部收纳多个被处理体，并将被处理体插入处理容器内；处理容器内温度传感器，与被处理体一同