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光刻胶的一些问题2、下层反射造成驻波,下层散射降低图像分辨率。驻波对于光刻图形的影响光刻步骤简述光刻步骤详述硅片对准,曝光坚膜:10~30min,100~140CStepper&ScanSystem图形转移——刻蚀图形转移——剥离(lift-off)去胶 溶剂去胶(strip):Piranha(H2SO4:H2O2)。 正胶:丙酮光源248nm2、Reducingresolutionfactork1AlternatingPSM AttenuatedPSM ……2.光学光刻分辨率增强技术(RET)OPC实例3、离轴照明技术OAI(off-axisillumination)MaskdesignandresistprocessLensfabrication2122EUVMinimumfeaturesizeEUV(Extremeultraviolet)反射式掩模版电子束图形曝光光栅扫描(左)和矢量扫描电子束光刻问题:1)速度慢!电子束光刻问题:2)电子散射及二次电子:线条宽>束斑电子束源: 热电子发射 场发射 光发射电子束抗蚀剂邻近效应X射线图形曝光(XRL)35X射线图形曝光的几何效应离子束图形曝光不同图形曝光方法的比较各种图形曝光技术的比较如下光刻总结