电子束熔炼去除冶金级硅中磷、铝、钙的研究.docx
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电子束熔炼去除冶金级硅中磷、铝、钙的研究.docx
电子束熔炼去除冶金级硅中磷、铝、钙的研究电子束熔炼去除冶金级硅中磷、铝、钙的研究摘要:冶金级硅是用于制备高纯硅的重要原材料之一。然而,冶金级硅中常常存在着磷、铝、钙等杂质元素,会降低硅的纯度和电子迁移率。本论文通过电子束熔炼的方法去除冶金级硅中的磷、铝和钙的影响,研究表明该方法可以有效地提高硅的纯度和电子迁移率。引言:冶金级硅是一种纯度较高的硅材料,被广泛应用于电子、光电和太阳能等领域。然而,在制备过程中,常常会引入一些杂质元素,如磷、铝、钙等。这些杂质元素会导致硅材料的纯度下降,制约其在高科技领域中的应
电子束熔炼与定向凝固技术耦合去除硅中杂质的研究.docx
电子束熔炼与定向凝固技术耦合去除硅中杂质的研究摘要:本文利用电子束熔炼与定向凝固技术耦合去除硅中杂质。研究表明,电子束熔炼可以有效地去除硅中的杂质,但是会对材料的结构和性能产生影响,定向凝固技术则可以控制材料的结晶过程,减少杂质的存在。将两种技术进行耦合可以进一步提高去除杂质的效率,并保证材料质量的稳定性。关键词:电子束熔炼,定向凝固,杂质去除,稳定性一、引言硅是一种重要的半导体材料,广泛应用于电子、光电、太阳能等领域。但是,硅中存在着许多杂质,这些杂质会影响材料的电学和光学性质,影响材料的使用效果。因此
一种冶金级硅中磷和硼的去除方法.pdf
一种冶金级硅中磷和硼的去除方法,涉及一种冶金级工业硅的提纯。提供一种具有投资较少、生产成本较低、环境污染较小等优点的冶金级硅中磷和硼的去除方法。将块状硅料装入熔炼炉中熔炼,再将造渣剂覆盖在块状硅料上,得硅块混料;对熔炼炉抽真空,当真空抽至800~1200Pa时停止抽气,再充氩气至8000~12000Pa后停止充氩气;将硅块混料加热融化,通入水蒸气,再将熔化的混料浇注在熔炼坩埚下方的承接石墨坩埚上,冷却后,取出硅料;将造渣后的硅料破碎磨粉,得硅粉;将硅粉用盐酸浸泡;将盐酸浸泡后的硅粉用稀王水浸泡;将稀王水浸
一种电子束熔炼去除多晶硅中杂质砷的方法.pdf
一种电子束熔炼去除硅中杂质砷的方法,属于电子束熔炼技术领域。方法步骤包括在料仓、熔炼坩埚、送料小车、五个凝固坩埚中均装入重掺砷硅料;装料完毕后,电子束炉抽真空,当真空度小于0.5Pa时开始预热3把电子枪;3把电子枪功率继续保持250kW熔化并熔炼硅料;将照射熔炼坩埚的2把电子枪关闭,硅液倾倒,倾倒完成后,将另1把照射凝固坩埚的电子枪功率保持250kW;最终电子枪按照250kW维持10min,200kW维持2min,150kW维持3min,120kW维持5min,100kW维持7min,80kW维持8min
电子束连续熔炼去除多晶硅中氧杂质的方法及其装置.pdf
本发明属于多晶硅提纯领域,具体涉及一种电子束连续熔炼去除多晶硅中氧杂质的方法及其装置,本发明中,打破了传统的除氧模式,而是采用电子束熔炼进行除氧,解决了多晶硅中杂质氧去除的难题。翻转机构和装载坩埚的加入,保证了电子书熔炼除氧的半连续化生产,单炉出产量高。本发明的优点在于:(1)经过5~15min的电子束轰击熔炼,氧含量可以降低于0.0571ppmw以下,满足太阳能电池对多晶硅铸锭含氧量的要求;(2)与不进行除氧技术的多晶硅相比,提高电池片的光电转换效率0.1%以上;(3)可实现连续化生产,提高生产效率35