内容提供者
一种电子束熔炼去除多晶硅中杂质砷的方法.pdf
2023-06-18
10金币
162KB
5页
春波****公主
实名认证
内容提供者
1/5
2/5
3/5
4/5
5/5
在线预览结束，喜欢就下载吧，查找使用更方便
相关资料
一种电子束熔炼去除多晶硅中杂质砷的方法.pdf
一种电子束熔炼去除硅中杂质砷的方法，属于电子束熔炼技术领域。方法步骤包括在料仓、熔炼坩埚、送料小车、五个凝固坩埚中均装入重掺砷硅料；装料完毕后，电子束炉抽真空，当真空度小于0.5Pa时开始预热3把电子枪；3把电子枪功率继续保持250kW熔化并熔炼硅料；将照射熔炼坩埚的2把电子枪关闭，硅液倾倒，倾倒完成后，将另1把照射凝固坩埚的电子枪功率保持250kW；最终电子枪按照250kW维持10min，200kW维持2min，150kW维持3min，120kW维持5min，100kW维持7min，80kW维持8min
2023-06-18
10
162KB
一种电子束造渣熔炼去除多晶硅中杂质硼的方法.pdf
本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束造渣熔炼去除多晶硅中杂质硼的方法，将洗净后的多晶硅料及造渣剂均匀混合形成混合料；再预处理：将混合料放入电子束熔炼炉内的熔炼坩埚中，对熔炼坩埚进行坩埚水冷，预热电子枪；采用小束流电子束轰击混合料，混合料熔化后增大电子束至250-500mA进行熔炼，杂质硼在熔炼过程中与碱性造渣剂反应生成气体挥发而去除，冷却凝固得到低硼的多晶硅锭。本发明采用了电子束造渣熔炼的技术，结合了造渣除硼和电子束除去挥发性杂质的特点，工艺更加简单，有效将电子束与造渣工艺结合，工艺条
2023-06-20
10
342KB
电子束连续熔炼去除多晶硅中氧杂质的方法及其装置.pdf
本发明属于多晶硅提纯领域，具体涉及一种电子束连续熔炼去除多晶硅中氧杂质的方法及其装置，本发明中，打破了传统的除氧模式，而是采用电子束熔炼进行除氧，解决了多晶硅中杂质氧去除的难题。翻转机构和装载坩埚的加入，保证了电子书熔炼除氧的半连续化生产，单炉出产量高。本发明的优点在于：（1）经过5～15min的电子束轰击熔炼，氧含量可以降低于0.0571ppmw以下，满足太阳能电池对多晶硅铸锭含氧量的要求；（2）与不进行除氧技术的多晶硅相比，提高电池片的光电转换效率0.1%以上；（3）可实现连续化生产，提高生产效率35
2023-06-19
10
649KB
一种电子束熔炼去除多晶硅铸锭底料中杂质氧的方法.pdf
本发明属于用电子束熔炼的技术领域，特别涉及一种电子束熔炼去除多晶硅铸锭底料中杂质氧的方法。步骤包括将多晶硅铸锭底料破碎，清洗烘干后放入水冷铜坩埚中；调节真空泵组，将炉体真空度抽到5×10
2023-06-19
10
339KB
采用电子束注入去除多晶硅中杂质硼的方法.pdf
本发明采用电子束注入去除多晶硅中杂质硼的方法属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域，特别涉及一种利用电子束进行电子注入，从而去除多晶硅中杂质硼的方法。该方法首先利用高温加热炉加热硅粉，然后将其置于电子束熔炼炉中，低束流电子束轰击硅粉，最后用HF酸溶液除去硅粉表面氧化膜得到低硼硅粉。本发明的显著效果是采用了电子束释放电子显负电的电效应，结合硅材料本身的特点，增强了硅料自身的微电场，在温度的驱动下使硼扩散到界面进而进入到二氧化硅层中，最后酸洗去除含有硼的二氧化硅膜，从而达到去除杂质硼的目的，以满足太阳能级硅的
2023-06-20
10
331KB