大功率逆变电源IGBT关断电压尖峰抑制研究.docx
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大功率逆变电源IGBT关断电压尖峰抑制研究.docx
大功率逆变电源IGBT关断电压尖峰抑制研究随着电力电子技术的发展,逆变电源应用越来越广泛。由于其输出特性优良,被广泛应用于变频调速领域、光伏逆变等领域。其中,IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是逆变电源中常用的器件。但是,在高功率逆变电源的设计中,存在一个严重的问题:IGBT的关断电压尖峰。尖峰电压不仅会影响开关器件的寿命,而且也会对整个系统的运行稳定性产生很大影响。因此,如何有效抑制IGBT的关断电压尖峰一直是高功率逆变电源设计过程中亟待解决的问题。1.IGBT关断
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基于电压电流的IGBT关断机理与关断时间研究引言近年来,随着电力电子技术的不断发展,MOSFET和IGBT等功率晶体管已经成为许多电力电子应用中的首选器件。其中,IGBT被广泛应用于各种功率电子转换器中,如变频驱动器、交流输电等。但是,IGBT的关断时间是影响其性能和可靠性的重要指标之一,因此本文将着重探讨关断机理和关断时间。IGBT的关断机理IGBT的关断机理可以分为两种情况:正常关断和紧急关断。其中正常关断是指根据电路设计,通过控制信号控制功率晶体管开关,实现正常关断。紧急关断是指在不可避免的紧急情况
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基于SiCMOSFET直流固态断路器关断初期电压尖峰抑制方法基于SiCMOSFET直流固态断路器关断初期电压尖峰抑制方法摘要:随着功率电子技术的不断发展,SiCMOSFET直流固态断路器作为新型的断路器已经被广泛地应用于交流/直流电力转换系统中。在断开负载电路时,SiCMOSFET直流固态断路器会产生一个短暂的电压尖峰。这个电压尖峰可能会损坏SiCMOSFET本身或系统中其他元器件。因此需要对SiCMOSFET直流固态断路器进行电压尖峰抑制,以确保设备的正常运行。本文介绍了常用的SiCMOSFET直流固态
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本发明公开了一种推挽MOS管电压尖峰抑制电路,包括推挽控制单元、功率MOS管驱动单元、推挽升压功率单元、LC谐振单元和辅助电源单元,推挽升压功率单元包括第十MOS管至第十四MOS管和推挽变压器,第十MOS管的漏极和第十一MOS管的漏极均与推挽变压器的初级线圈的一端连接,第十MOS管的栅极和第十一MOS管的栅极均与功率MOS管驱动单元的一个输出端连接,LC谐振单元包括漏感和聚丙烯电容,推挽控制单元包括主控芯片,主控芯片的第十三引脚和第十五引脚均连接12V电源。本发明能消除漏感引起的电压尖峰、提高逆变器的整体