(完整word版)实验二：SRAM-静态随机存储器实验.doc

《计算机组成原理》

实验报告

实验二：SRAM静态随机存储器实验

学院：
专业：
班级学号：
学生姓名：
实验日期：
指导老师：
成绩评定：

计算机学院计算机组成原理实验室

实验二
一、实验名称：SRAM静态随机存储器实验
二、实验目的：
掌握静态随机存储器RAM工作特性及数据的读写方法。
三、实验内容：
1、向存储器中指定的地址单元输入数据,地址先输入AR寄存器，在地址灯上显示;再将数据送入总线后，存到指定的存储单元，数据在数据显示灯显示。
2、从存储器中指定的地址单元读出数据,地址先输入AR寄存器,在地址灯显示;读出的数据送入总线,通过数据显示灯显示。
四、实验设备：
PC机一台，TD-CMA实验系统一套。
五、实验步骤：
1、关闭实验系统电源，按图2-4连接实验电路，并检查无误，图中将用户需要连接的信号用圆圈标明。
2、将时序与操作台单元的开关KK1、KK3置为运行档、开关KK2置为‘单步’档。3、将CON单元的IOR开关置为1（使IN单元无输出），打开电源开关，如果听到有‘嘀’报警声，说明有总线竞争现象，应立即关闭电源，重新检查接线，直到错误排除。
HYPERLINK"http://retype.wenku.bdimg.com/retype/zoom/2797096dcc175527072208d5?pn=2&x=0&y=0&raww=413&rawh=507&o=png_6_0_0_142_675_347_426_892.979_1262.879&type=pic&aimh=507&md5sum=7e01c922769cfd8f0fd971e4c4c1d3e4&sign=a0e650fbeb&zoom=&png=164-47204&jpg=0-0"\t"_blank"
图2-4
4、给存储器的00H、01H、02H、03H、04H地址单元中分别写入数据11H、12H、13H、14H、15H。
由前面的存储器实验原理图（图2-1-3）可以看出，由于数据和地址由同一个数据开关给出，因此数据和地址要分时写入，先写地址，具体操作步骤为：先关掉存储器的读写（WR=0，RD=0），数据开关输出地址（IOR=0），然后打开地址寄存器门控信号（LDAR=1），按动ST产生T3脉冲，即将地址打入到AR中。再写数据，具体操作步骤为：先关掉存储器的读写（WR=0，RD=0）和地址寄存器门控信号（LDAR=0），数据开关输出要写入的数据，打开输入三态门（IOR=0），然后使存储器处于写状态（WR=1，RD=0，IOM=0），按动ST产生T3脉冲，即将数据打入到存储器中。写存储器的流程如图2-5所示（以向00地址单元写入11H为例）：
HYPERLINK"http://retype.wenku.bdimg.com/retype/zoom/2797096dcc175527072208d5?pn=3&x=0&y=0&raww=775&rawh=252&o=png_6_0_0_142_329_697_227_892.979_1262.879&type=pic&aimh=156.07741935483872&md5sum=7e01c922769cfd8f0fd971e4c4c1d3e4&sign=a0e650fbeb&zoom=&png=47205-125480&jpg=0-0"\t"_blank"
图2-5
5、依次读出第00、01、02、03、04号单元中的内容，观察上述各单元中的内容是否与前面写
入的一致。同写操作类似，也要先给出地址，然后进行读，地址的给出和前面一样，而在进行读操作时，应先关闭IN单元的输出（IOR=1），然后使存储器处于读状态（WR=0，RD=1，IOM=0），此时数据总线上的数即为从存储器当前地址中读出的数据内容。读存储器的流程如图2-6所示（以从00地址单元读出11H为例）：
HYPERLINK"http://retype.wenku.bdimg.com/retype/zoom/2797096dcc175527072208d5?pn=3&x=0&y=257&raww=770&rawh=252&o=png_6_0_0_142_733_697_228_892.979_1262.879&type=pic&aimh=157.0909090909091&md5sum=7e01c922769cfd8f0fd971e4c4c1d3e4&sign=a0e650fbeb&zoom=&png=47205-125480&jpg=0-0"\t"_blank"
图2-6
如果实验箱和PC联机操作，则可通过软件中的数据通路图来观测实验结果（软件使用说明请看附录1），方法是：打开软件，选择联机软件