实验二：SRAM静态随机存储器实验-.docx

第PAGE\*MERGEFORMAT7页实验二：SRAM静态随机存储器实验1、《计算机组成原理》试验报告试验二：SRAM静态随机存储器试验学院：专业：班级学号：学生姓名：试验日期：指导老师：成果评定：计算机学院计算机组成原理试验室试验二一、试验名称：SRAM静态随机存储器试验二、试验目的：把握静态随机存储器RAM工作特性及数据的读写方法。三、试验内容：1、向存储器中指定的地址单元输入数据,地址先输入AR寄存器，在地址灯上显示;再将数据送入总线后，存到指定的存储单元，数据在数据显示灯显示。2、从存储器中指定的地址单元读出数据,地址先输入AR寄存器,在地址灯显示;读出的数据送入总线,通过数据显示灯显示。四、试验设备：PC机一台，TD-CMA试验系统一套。五、试验步骤：1、关闭试验系统电源，按图2-4连接试验电路，并检查无误，图中将用户需要连接的信号用圆圈标2、明。2、将时序与操作台单元的开关KK1、KK3置为运行档、开关KK2置为‘单步’档。3、将CON单元的IOR开关置为1〔使IN单元无输出〕，打开电源开关，假如听到有‘嘀’报警声，说明有总线竞争现象，应马上关闭电源，重新检查接线，直到错误排除。图2-44、给存储器的00H、01H、02H、03H、04H地址单元中分别写入数据11H、12H、13H、14H、15H。由前面的存储器试验原理图〔图2-1-3〕可以看出，由于数据和地址由同一个数据开关给出，因此数据和地址要分时写入，先写地址，具体操作步骤为：先关掉存储器的读写〔WR=0，RD=0〕，数据开关输出地址〔IOR=0〕，然后打开地址寄存器门控信号〔LDAR=1〕，按动ST产生T3脉冲，即将地址打入到AR中。再写数据，具体操作步3、骤为：先关掉存储器的读写〔WR=0，RD=0〕和地址寄存器门控信号〔LDAR=0〕，数据开关输出要写入的数据，打开输入三态门〔IOR=0〕，然后使存储器处于写状态〔WR=1，RD=0，IOM=0〕，按动ST产生T3脉冲，即将数据打入到存储器中。写存储器的流程如图2-5所示〔以向00地址单元写入11H为例〕：图2-55、依次读出第00、01、02、03、04号单元中的内容，观看上述各单元中的内容是否与前面写入的一致。同写操作类似，也要先给出地址，然后进行读，地址的给出和前面一样，而在进行读操作时，应先关闭IN单元的输出〔IOR=1〕，然后使存储器处于读状态〔WR=0，RD=1，IOM=0〕，此时数据总线上的数即为从存储器当前地址中读出的数据内容。读存储器的流程如图2-6所示〔以4、从00地址单元读出11H为例〕：图2-6假如试验箱和PC联机操作，则可通过软件中的数据通路图来观测试验结果〔软件使用说明请看附录1〕，方法是：打开软件，选择联机软件的“【试验】—【存储器试验】”，打开存储器试验的数据通路图，如图2-7所示。进行上面的手动操作，每按动一次ST按钮，数据通路图会有数据的流淌，反映当前存储器所做的操作〔即使是对存储器进行读，也应按动一次ST按钮，数据通路图才会有数据流淌〕，或在软件中选择“【调试】—【单周期】”，其作用相当于将时序单元的状态开关置为‘单步’档后按动了一次ST按钮，数据通路图也会反映当前存储器所做的操作，借助于数据通路图，认真分析SRAM的读写过程。图2-7六、试验结果整个试验记录的试验结果如下：存储单元地址写入的二进制数据十六进制读5、出的二进制数据十六进制0000000010101010AAH10101010AAH0110011111001100CCH11001100CCH110001100101010054H0101010054H110101000001100018H0001100018H111100110000001002H0000001002H010100000101001153H0101001153H010100110101000050H0101000050H七、分析商量1、在读出数据完成时应先关闭RD按钮然后再关闭IOR按钮，否则就会产生“滴”的声音。2、在插线的过程中留意不要把两头的线插错位或插反了，否则会影响试验结果。3、可以不依次序输出存储单元的内容。4、数据通路图会有数据的流淌反映当前存6、储器所做的操作。即使是对存储器进行读，也应按动一次ST按钮，数据通路图才会有数据的流淌。5、将CON单元的IOR开关置为“1”后再打开电源开关，假如听到有“嘀”报警声，应马上关闭电源，重新检查接线，直到错误排除。八、心得体会通过这次试验，较好的把握了静态存储器的工作特性及使用方法。把握了半导体随机存储器如何存储数据及读出数据。从今次试验中懂得了在试验接线时要细心。在操作过程中，若出现问题应能在最短时间内检查出问题，从而使试验过程更顺利。