直流磁控溅射工艺参数对β-FeSi_2薄膜性能的影响.docx
快乐****蜜蜂
在线预览结束,喜欢就下载吧,查找使用更方便
相关资料
直流磁控溅射工艺参数对β-FeSi_2薄膜性能的影响.docx
直流磁控溅射工艺参数对β-FeSi_2薄膜性能的影响引言β-FeSi_2薄膜是一种重要的光伏材料,其在太阳能电池中具有良好的性能。而磁控溅射技术是制备这种薄膜的常用手段。在磁控溅射过程中,工艺参数的调整对β-FeSi_2薄膜的性能有着重要的影响。因此,本文将探讨直流磁控溅射工艺参数对β-FeSi_2薄膜性能的影响。材料与方法使用PVD-75O磁控溅射设备制备β-FeSi_2薄膜。以高纯度的β-FeSi_2为靶材,薄膜基底采用单晶硅衬底。通过改变直流磁控溅射过程中的工艺参数,包括工作气压、Ar与H2混合比例
直流磁控溅射工艺对ITO薄膜光电性能的影响.docx
直流磁控溅射工艺对ITO薄膜光电性能的影响一、概要随着科技的不断发展,人们对电子器件性能的要求越来越高,尤其是在光电器件领域。ITO薄膜作为一种具有优异光电性能的材料,广泛应用于液晶显示器、太阳能电池等光电器件中。然而传统的制备方法往往难以满足高性能ITO薄膜的需求。因此研究直流磁控溅射(DCmagnetronsputtering,DMS)工艺对ITO薄膜光电性能的影响具有重要的理论和实际意义。直流磁控溅射是一种高效的薄膜制备技术,通过在真空环境中利用高频交流电场使靶材表面原子或分子离化并沉积到衬底表面形
直流磁控溅射工艺参数对掺钨氧化铟透明导电薄膜性能影响的研究.docx
直流磁控溅射工艺参数对掺钨氧化铟透明导电薄膜性能影响的研究摘要:本文研究了直流磁控溅射工艺参数对掺钨氧化铟透明导电薄膜性能的影响。通过对溅射功率、气体流量、衬底温度等参数进行调整,探究了对掺钨氧化铟薄膜光电性能和结构特征的影响。实验结果表明,适当调整直流磁控溅射工艺参数可以提高掺钨氧化铟透明导电薄膜的电学性能和透明性。关键词:直流磁控溅射;掺钨氧化铟;透明导电薄膜;工艺参数引言:掺钨氧化铟(ITO)作为一种常见的透明导电材料,广泛应用于平板显示器、光电器件等领域。在ITO薄膜的制备过程中,直流磁控溅射是一
工艺参数对直流磁控溅射膜沉积的影响.docx
工艺参数对直流磁控溅射膜沉积的影响AbstractDirectcurrentmagnetronsputteringisawidelyusedphysicalvapordeposition(PVD)techniqueinthesurfacecoatingindustry.Thedepositionofthinfilmsbymagnetronsputteringisinfluencedbyvariousprocessparameters,suchastargetmaterial,substratetemper
磁控溅射工艺参数对SnO2、FTO薄膜性能的影响的开题报告.docx
磁控溅射工艺参数对SnO2、FTO薄膜性能的影响的开题报告磁控溅射技术是一种常用的薄膜制备技术,广泛应用于太阳能电池、显示器、光电器件等领域。其中,磁控溅射法制备透明导电氧化物(FTO)薄膜和锡氧化物(SnO2)薄膜,在光伏领域和光电领域得到了广泛应用。本文将探讨磁控溅射工艺参数对SnO2、FTO薄膜性能的影响。1.磁控溅射工艺磁控溅射法是利用磁场控制电极中物质的溅射的过程。具体来说,磁控溅射系统由主机、工件架、电极、真空系统和磁控溅射源组成。磁控溅射源包括目标和离子源,它们通过真空系统与电极连接。其中,